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11. 发明专利

DE112020005628T5 Verbundplattierungsmaterial und Verfahren zu dessen Herstellung 未知
公开(公告)号：DE112020005628T5
公开(公告)日：2022-08-25
申请号：DE112020005628
申请日：2020-06-10
申请人： DOWA METALTECH CO LTD
发明人： KATO YUKIYA , KOTANI HIROTAKA , DOI TATSUHIRO , TOMIYA TAKAO , NARIEDA HIROTO
IPC分类号： C25D15/02 , C25D3/64 , C25D5/12 , C25D7/00 , C25D21/10 , H01H1/04 , H01H11/04 , H01R13/03
摘要： Es werden ein Verbundplattierungsmaterial und eine entsprechende Technik dafür offenbart, wobei das Verbundplattierungsmaterial umfasst: ein Basismaterial und eine Verbundplattierungsschicht auf dem Basismaterial, wobei die Verbundplattierungsschicht ein Verbundmaterial umfasst, das Kohlenstoffteilchen und Sb in einer Ag-Schicht umfasst, wobei der Kohlenstoffgehalt 6,0 Massen-% oder mehr beträgt und der Sb-Gehalt 0,5 Massen-% oder mehr beträgt.

12. 发明专利

DE112020003079T5 VERBUNDPLATTIERTES ERZEUGNIS UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DESSELBEN 未知
公开(公告)号：DE112020003079T5
公开(公告)日：2022-03-17
申请号：DE112020003079
申请日：2020-06-04
申请人： DOWA METALTECH CO LTD
发明人： KOTANI HIROTAKA , KATO YUKIYA , DOI TATSUHIRO , TOMIYA TAKAO , NARIEDA HIROTO
IPC分类号： C25D15/02 , C25D5/12 , C25D7/00 , H01R13/03
摘要： Es werden ein verbundplattiertes Erzeugnis, worin ein Verbundplattierungsfilm aus einem Verbundmaterial, das Kohlenstoffpartikel in einer Silberschicht enthält, auf einem Basismaterial gebildet ist und worin die Menge der aus dem Verbundplattierungsfilm herausgefallenen Kohlenstoffpartikel gering ist, und ein Verfahren zur Herstellung desselben bereitgestellt. Nachdem durch Elektroplattieren unter Verwendung einer Silber-Plattierungslösung, der die Kohlenstoffpartikel zugesetzt werden, ein Verbundplattierungsfilm aus einem Verbundmaterial, das Kohlenstoffpartikel in einer Silberschicht enthält, auf einem Basismaterial (bevorzugt aus Kupfer oder einer Kupferlegierung) gebildet wurde, wird eine Behandlung zur Entfernung eines Teils der Kohlenstoffpartikel an seiner Oberfläche durchgeführt.

13. 发明专利

DE112017004929T5 Blechmaterial aus Kupferlegierung und Verfahren zur Herstellung desselben 未知
公开(公告)号：DE112017004929T5
公开(公告)日：2019-06-13
申请号：DE112017004929
申请日：2017-10-24
申请人： DOWA METALTECH CO LTD
发明人： HIGAMA NAOTA , SUGIMOTO TAKANOBU , AOYAMA TOMOTSUGU , NARIEDA HIROTO
IPC分类号： C22F1/08 , C22C9/04 , C22F1/00 , H01B1/02 , H01B5/02 , H01B13/00
摘要： Es wird ein kostengünstiges Blechmaterial aus einer Kupferlegierung mit ausgezeichneter Biegeumformbarkeit und ausgezeichneter Spannungsrisskorrosionsbeständigkeit unter Beibehaltung einer hohen Festigkeit sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung bereitgestellt. Das Blechmaterial der Kupferlegierung wird durch ein Verfahren hergestellt, das die folgenden Schritte umfasst: Schmelzen und Gießen von Ausgangsmaterialen einer Kupferlegierung, die eine chemische Zusammensetzung aufweist, die 17 bis 32 Gew.-% Zink, 0,1 bis 4,5 Gew.-% Zinn, 0,01 bis 2,0 Gew.-% Silizium, 0,01 bis 5,0 Gew.-% Nickel und als Rest Kupfer und unvermeidliche Verunreinigungen umfasst; Warmwalzen der gegossenen Kupferlegierung in einem Temperaturbereich von 900 °C bis 400 °C; Abkühlen der warmgewalzten Kupferlegierung mit einer Abkühlrate von 1 bis 15 °C/min. von 400 °C bis 300 °C; Kaltwalzen der gekühlten Kupferlegierung; Rekristallisationsglühen der kaltgewalzten Kupferlegierung bei einer Temperatur von 300 bis 800 °C; und dann Alterungsglühen der rekristallisationsgeglühten Kupferlegierung bei einer Temperatur von 300 bis 600 °C.

14. 发明专利

DE60143557D1 Herstellungsweise einer Metallkeramik-Leiterplatte 未知
公开(公告)号：DE60143557D1
公开(公告)日：2011-01-13
申请号：DE60143557
申请日：2001-05-04
申请人： DOWA METALTECH CO LTD
发明人： OSANAI HIDEYO , FURO MASAHIRO
IPC分类号： C04B37/00 , H01L23/14 , H01B13/00 , H01L23/373 , H01L25/07 , H01L25/18 , H05K1/03 , H05K1/05 , H05K3/00 , H05K3/38 , H05K7/20

15. 发明专利

DE60232085D1 未知
公开(公告)号：DE60232085D1
公开(公告)日：2009-06-04
申请号：DE60232085
申请日：2002-12-04
申请人： DOWA METALTECH CO LTD
发明人： NING XIAO-SHAN , TSUKAGUCHI NOBUYOSHI , KIMURA MASAMI , NAMIOKA KAZUHIKO , KITAMURA YUKIHIRO
IPC分类号： C23C18/16 , H05K1/03 , H05K1/09 , H05K3/24

16. 发明专利

AT391191T 未知
公开(公告)号：AT391191T
公开(公告)日：2008-04-15
申请号：AT03021860
申请日：2003-09-26
申请人： DOWA METALTECH CO LTD
发明人： INOHANA YASUO , SUGAWARA AKIRA , SATO TOSHIHIRO
IPC分类号： C22C1/02 , C22C9/04 , C22C9/02 , C22F1/08

17. 发明专利

DE602005002898D1 未知
公开(公告)号：DE602005002898D1
公开(公告)日：2007-11-29
申请号：DE602005002898
申请日：2005-08-29
申请人： DOWA METALTECH CO LTD
发明人： HATAKEYAMA KOUICHI
IPC分类号： C22C9/00 , C22C9/02 , C22C9/06 , C22F1/08
摘要： A copper alloy of superior flex durability is provided that is suitable for the conducting members of flexible printed circuits. This is a copper alloy where the integrated intensity ratio I {200} / I {111} found by x-ray diffraction of the rolled surface is 1.5 or less. Examples of its specific chemical composition are: a composition where, in percent by weight, Fe: 0.045-0.095%, P: 0.010-0.030%, the sum of all elements other than Fe, P and Cu is less than 1% and the balance is Cu, and a composition where, in percent by weight, Ni: 0.5-3.0%, Sn: 0.5-2.0%, P: 0.03-0.10%, the sum of all elements other than Ni, Sn, P and Cu is less than 1% and the balance is Cu. The copper alloy has a conductivity of 85% IACS or greater.

18. 发明专利

DE102020103983B4 Mehrschichtige Wärmesenkenplatte aufweisend Kupferschichten und Cobaltdiffusionsschichten 未知
公开(公告)号：DE102020103983B4
公开(公告)日：2022-06-30
申请号：DE102020103983
申请日：2020-02-14
申请人： DOWA METALTECH CO LTD , THE GOODSYSTEM CORP
发明人： CHO MEOUNG-WHAN , KIM IL-HO , LEE SEOG-WOO , KIM YOUNG-SUK , NARIEDA HIROTO , AOYAMA TOMOTSUGU
IPC分类号： H01L23/373 , C22C9/00
摘要： Wärmesenkenplatte, aufweisend:eine erste Schicht (10) aus Kupfer (Cu) oder einer Kupferlegierung;eine zweite Schicht (20), die auf der ersten Schicht (10) ausgebildet ist und aus Molybdän (Mo) oder einer Legierung besteht, welche Kupfer (Cu) und eine oder mehrere Komponenten umfasst, die aus Molybdän (Mo), Wolfram (W), Kohlenstoff (C), Chrom (Cr), Titan (Ti) und Beryllium (Be) ausgewählt sind;eine dritte Schicht (30), die auf der zweiten Schicht (20) ausgebildet ist und aus Kupfer (Cu) oder einer Kupferlegierung (Cu) besteht;eine vierte Schicht (40), die auf der dritten Schicht (30) ausgebildet ist und aus Molybdän (Mo) oder einer Legierung besteht, die Kupfer (Cu) und eine oder mehrere Komponenten umfasst, die aus Molybdän (Mo), Wolfram (W), Kohlenstoff (C), Chrom (Cr), Titan (Ti) und Beryllium (Be) ausgewählt sind; undeine fünfte Schicht (50), die auf der vierten Schicht (40) ausgebildet ist und aus Kupfer (Cu) oder einer Kupferlegierung (Cu) besteht,gekennzeichnet durch eine Cobaltdiffusionsschicht (Co) (60, 70) mit einer vorgegebenen Dicke an jeder der Grenzschichten zwischen der ersten, dritten und fünften Schicht (10, 30, 50) und der entsprechend dazwischenliegenden zweiten und vierten Schicht (20, 40) ausgebildet ist.

19. 发明专利

DE112019000657T5 KUPFERLEGIERUNGSPLATTE UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 未知
公开(公告)号：DE112019000657T5
公开(公告)日：2020-10-15
申请号：DE112019000657
申请日：2019-02-20
申请人： DOWA METALTECH CO LTD
发明人： HIGAMI NAOTA , SUGIMOTO TAKANOBU , YOSHIDA KAZUKI , NARIEDA HIROTO
IPC分类号： C22C9/04 , C22F1/00 , C22F1/08 , H01B1/02 , H01B5/02 , H01B13/00 , H01R13/03
摘要： Es ist eine preiswerte Kupferlegierungsplatte mit ausgezeichneter Biegeverarbeitbarkeit, ausgezeichneter Spannungsrisskorrosionsbeständigkeit und ausgezeichneter Spannungsrelaxationsbeständigkeit unter Beibehaltung ihrer hohen Festigkeit sowie ein Verfahren zu ihrer Herstellung vorgesehen. Die Kupferlegierungsplatte weist eine chemische Zusammensetzung auf, die 17 bis 32 Gew.-% Zink, 0,1 bis 4,5 Gew.-% Zinn, 0,5 bis 2,0 Gew.-% Silizium, 0,01 bis 0,3 Gew.-% Phosphor und als Rest Kupfer und unvermeidbare Verunreinigungen enthält, wobei die Summe des Gehalts an Silizium und des Sechsfachen des Gehalts an Phosphor 1 Gew.-% oder mehr beträgt, und eine Kristallorientierung aufweist, die I{220}/I{420}≤2,0 unter der Annahme erfüllt, dass die Röntgenbeugungsintensität auf der {220}-Kristallebene auf der Plattenfläche der Kupferlegierungsplatte I{220} und die Röntgenbeugungsintensität auf der {420}-Kristallebene darauf I{420} beträgt.

20. 发明专利

DE102020103983A1 Wärmesenkenplatte 未知
公开(公告)号：DE102020103983A1
公开(公告)日：2020-09-17
申请号：DE102020103983
申请日：2020-02-14
申请人： DOWA METALTECH CO LTD , THE GOODSYSTEM CORP
发明人： CHO MEOUNG-WHAN , KIM IL-HO , LEE SEOG-WOO , KIM YOUNG-SUK , NARIEDA HIROTO , AOYAMA TOMOTSUGU
IPC分类号： H01L23/373 , C22C9/00
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine Wärmesenkenplatte, die eine große Menge an Wärme aufnehmen kann, wie ein elektronisches Hochleistungselement oder ein optisches Element, und die dazu in der Lage ist, die Bindung an ein Element, das aus einem Keramikmaterial besteht, während eines Verpackungsprozesses aufrechtzuerhalten und die im Einsatz ausgezeichnete Bindungseigenschaften aufweist. Die Wärmesenkenplatte umfasst eine erste Schicht, die aus Kupfer (Cu) oder einer Kupferlegierung besteht, eine zweite Schicht, die auf der ersten Schicht ausgebildet ist und aus Molybdän (Mo) oder einer Legierung besteht, die Kupfer (Cu) und eine oder mehrere Komponenten beinhaltet, welche aus Molybdän (Mo), Wolfram (W), Kohlenstoff (C), Chrom (Cr), Titan (Ti) und Beryllium (Be) gewählt werden, eine dritte Schicht, die auf der zweiten Schicht ausgebildet ist und aus Kupfer (Cu) oder einer Kupferlegierung (Cu) besteht, eine vierte Schicht, die auf der dritten Schicht ausgebildet ist und aus Molybdän (Mo) oder einer Legierung besteht, welche Kupfer (Cu) und ein oder mehrere Komponenten beinhaltet, die aus Molybdän (Mo), Wolfram (W), Kohlenstoff (C), Chrom (Cr), Titan (Ti) und Beryllium (Be) gewählt werden, und eine fünfte Schicht, die auf der vierten Schicht ausgebildet ist und aus Kupfer (Cu) oder einer Kupferlegierung (Cu) besteht. Eine Cobaltdiffusionsschicht (Co) mit einer vorgegebenen

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