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121. 发明公开

EP2322953A1 DISTANCE IMAGE SENSOR AND METHOD FOR GENERATING IMAGE SIGNAL BY TIME-OF-FLIGHT METHOD 有权
标题翻译：维多利亚州杜尔斯坦传真大学
公开(公告)号：EP2322953A1
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：EP09803021.6
申请日：2009-07-30
申请人： National University Corporation Shizuoka University
发明人： KAWAHITO Shoji
IPC分类号： G01S17/10 , G01S17/89 , H01L27/146 , H04N5/225 , H04N5/335
CPC分类号： H01L27/14603 , G01S7/4863 , G01S17/10 , G01S17/89 , H01L31/02024 , H04N5/341 , H04N13/254
摘要： A distance image sensor capable of enlarging the distance measurement range without reducing the distance resolution is provided. A radiation source 13 provides first to fifth pulse trains P T1 to P T5 which are irradiated to the object as radiation pulses in the first to fifth frames arranged in order on a time axis. In each of the frames, imaging times T PU1 to T PU5 are prescribed at points of predetermined time ΔT PD from the start point of each frame, also the pulses P T1 to P T5 are shifted respectively by shift amounts different from each other from the start point of the first to fifth frames. A pixel array 23 generates element image signals S E1 to S E5 each of which has distance information of an object in distance ranges different from each other using imaging windows A and B in each of five frames. A processing unit 17 generates an image signal S IMAGE by combining the element image signals. Since five times-of-flight measurement are used, the width of the radiation pulse does not have to be increased to obtain distance information of the object in a wide distance range, and the distance resolution is not reduced.
摘要翻译：提供了能够在不减小距离分辨率的情况下扩大距离测量范围的距离图像传感器。辐射源13提供照射到物体的第一至第五脉冲串P T1至P T5，作为在时间轴上按顺序布置的第一至第五帧中的辐射脉冲。在每个帧中，在从每个帧的起始点开始的预定时间“T PD”的点处规定成像时间T PU1至T PU5，脉冲P T1至P T5也分别移动彼此不同的移位量第一到第五帧的起点。像素阵列23使用五帧中的每一帧中的成像窗口A和B，生成元素图像信号S E1至S E5，每个元素图像信号具有距离范围彼此不同的距离信息。处理单元17通过组合元素图像信号来生成图像信号S IMAGE。由于使用五次飞行测量，所以不必增加辐射脉冲的宽度，以获得物体在较宽距离范围内的距离信息，并且距离分辨率不降低。

122. 发明授权

EP1507131B1 Abtasteinheit für eine optische Positionsmesseinrichtung 有权
标题翻译：扫描单元的光学位置测量装置
公开(公告)号：EP1507131B1
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：EP04027488.8
申请日：2001-04-27
申请人： Dr. Johannes Heidenhain GmbH
发明人： Mayer, Elmar , Holzapfel, Wolfgang , Löschke, Klaus
IPC分类号： G01D5/26 , G01B11/00 , H01L31/02
CPC分类号： H01L31/02005 , G01D5/34715 , G01D5/34746 , H01L31/02024 , H01L31/103

123. 发明公开

EP1837919A3 Photodetektoranordnung, Messanordnung mit einer Photodetektoranordnung und Verfahren zum Betrieb einer Messanordnung 审中-公开
标题翻译：光电检测器阵列，该测量装置包括一个光电检测器组件和方法，用于操作一个测量装置
公开(公告)号：EP1837919A3
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：EP07003348.5
申请日：2007-02-16
申请人： Prüftechnik Dieter Busch AG
发明人： Lysen, Heinrich
IPC分类号： H01L31/02 , H01L31/105
CPC分类号： H01L31/02005 , H01L31/02024 , H01L31/105
摘要： Eine Photodetektoranordnung (1) umfasst einen Halbleiterkörper (2) mit einem Substrat (3), einer ersten, einer zweiten und einer dritten Schicht (11, 21, 22). Die erste Schicht (11) ist an einer ersten Hauptfläche (10) des Halbleiterkörpers (2), der geeignet zum Empfang einfallender, zu detektierender Photonenstrahlung (ΦL) ist, angeordnet. Die zweite Schicht (21) ist an einer zweiten Hauptfläche (20) des Halbleiterkörpers (2) angeordnet, die zu der ersten Hauptfläche (10) entfernt liegt. Die dritte Schicht (22) ist zwischen dem Substrat (3) und der zweiten Schicht (21) angeordnet.

124. 发明授权

EP1273047B1 ULTRASENSITIVE PHOTODETECTOR WITH INTEGRATED PINHOLE FOR CONFOCAL MICROSCOPES AND METHOD TO DETECT OPTICAL SIGNAL 有权
标题翻译：超灵敏光电探测器具有内置针孔共焦显微镜及检测方法的光信号
公开(公告)号：EP1273047B1
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：EP01927893.6
申请日：2001-04-09
申请人： Politecnico Di Milano , CARL ZEISS JENA GmbH
发明人： COVA, Sergio , ZAPPA, Franco , GHIONI, Massimo , GRUB, Robert , DERNDINGER, Eberhard , HARTMANN, Thomas
IPC分类号： H01L31/02 , H01L31/107 , H01L27/146
CPC分类号： H01L31/107 , H01L27/14643 , H01L31/02024
摘要： Photodetector device comprising a semiconductor substrate (1) of a first type of conductivity connected to a first electrode (2). Said substrate comprises an active area (4) made up of different semiconductor regions of a second type of conductivity (8, 9, 10) insulated from each other and connected to respective second electrodes (13, 14, 15) so that each of them can be connected separately from the others to an appropriate bias voltage. By regulating the bias voltages applied to these regions the function of optic diaphragm of the device can be controlled. The device works without needing any form of optical insulation between the different regions of the active area and always uses the same single output electrode for the signal in all the different situations of diaphragm adjustment.

125. 发明授权

EP1279004B1 ABTASTEINHEIT FÜR EINE OPTISCHE POSITIONSMESSEINRICHTUNG 有权
标题翻译： ABTASTEINHEITFÜREINE OPTISCHE POSITIONESESSEINRICHTUNG
公开(公告)号：EP1279004B1
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：EP01936033.8
申请日：2001-04-27
申请人： Dr. Johannes Heidenhain GmbH
发明人： MAYER, Elmar, J. , HOLZAPFEL, Wolfgang , LOESCHCKE, Klaus
IPC分类号： G01D5/26 , G01B11/00 , H01L31/02
CPC分类号： H01L31/02005 , G01D5/34715 , G01D5/34746 , H01L31/02024 , H01L31/103
摘要： The invention relates to a scanning unit for an optical position measuring device, comprising a structured opto-electronic photodetector consisting of several radiation-sensitive detector areas (D or I1 - I6) which are arranged in an adjacent manner on a common semiconductor substrate. The detector areas are connected to an evaluation device by means of strip conductors (L1 - L8). The strip conductors (L1 - L8) are placed above the surface of the detector areas ( D or I1 - I6) and are connected to associated detector areas or partial detector areas ( I1 - I6) producing equiphase scanning signals. As a result, the detector areas (D or I1 - I6) can encompass a maximum area of the photodetector.
摘要翻译：本发明涉及一种用于光学位置测量装置的扫描单元，其包括由在相同的半导体衬底上以相邻方式布置的多个辐射敏感检测器区域（D或I1-I6）组成的结构化光电检测器。探测器区域通过带状导体（L1-L8）连接到评估设备。带状导体（L1-L8）被放置在探测器区域（D或I1-I6）的表面上方并且连接到产生等相位扫描信号的相关探测器区域或部分探测器区域（I1-I6）。结果，检测器区域（D或I1-I6）可以包含光电检测器的最大面积。

126. 发明公开

EP1003225A3 Semiconductor dark image position sensitive device 审中-公开
标题翻译：用于确定暗图像的位置半导体位置探测器
公开(公告)号：EP1003225A3
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：EP99123031.9
申请日：1999-11-19
申请人： Riken
发明人： Idesawa, Masanori , Fujita, Toyomi , Yano, Yasushige, c/o Riken
IPC分类号： H01L31/02
CPC分类号： H01L31/02024
摘要： A semiconductor dark image position sensing device comprises a photoelectric layer generating a photoelectric current in a portion where light is input in response to intensity of the light input, a resistive element layer into which the photoelectric current generated in the photoelectric layer flows from a portion corresponding to the position of light input, a second resistive element disposed in association with the photoelectric layer for replenishing an insufficient amount of electric current with respect to the photoelectric current so as to flow the same into the resistive element layer in such that a distribution of electric current flowing into the resistive element layer corresponding to the position of light input becomes substantially uniform over a whole sensing region, and signal electric current output terminals disposed at the opposite ends of the second resistive element.

127. 发明授权

EP0925493B1 DETECTION OF HAZARDOUS AIRBORNE FIBRES 失效
标题翻译：检测危险浮动纤维的
公开(公告)号：EP0925493B1
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：EP97939015.0
申请日：1997-09-03
申请人： The Secretary of State of Defence
发明人： KAYE, Paul, Henry , HIRST, Edwin
IPC分类号： G01N15/02
CPC分类号： G01N15/1459 , G01N2015/0049 , G01N2015/1488 , G01N2021/4716 , H01L31/02024 , H01L31/03529 , Y02E10/50

128. 发明公开

EP1113504A1 SEMICONDUCTOR POSITION SENSOR 审中-公开
标题翻译：半导体位置传感器
公开(公告)号：EP1113504A1
公开(公告)日：2001-07-04
申请号：EP99957665.5
申请日：1999-06-28
申请人： Hamamatsu Photonics K.K.
发明人： TAKESHITA, Tatsuo , SAKAKIBARA, Masayuki , NODA, Kouji
IPC分类号： H01L31/16
CPC分类号： H01L31/02024
摘要： A semiconductor position sensor functions as a PSD or as a two-part split PD or the like, based on control of disconnection/connection of basic, electroconductive strips 2-1, 2-2 by controlling a voltage of gate electrode 11. This semiconductor position sensor does not require a PD separate from the PSD, whereby the device itself can be constructed in compact size. Further, since all signal light can impinge on a photosensitive area, detection sensitivity can be improved.
摘要翻译：基于通过控制栅电极11的电压控制基本导电条2-1,2-2的断开/连接，半导体位置传感器用作PSD或者作为两部分分离PD等。该半导体位置传感器不需要与PSD分离的PD，由此该装置本身可以构造成紧凑的尺寸。此外，由于所有的信号光都可以照射到感光区域，所以可以提高检测灵敏度。

129. 发明公开

EP0877231A1 Dispositif de mesure de position et de déplacement sans contact 失效
标题翻译： Vorrichtungfürkontaktlose Positions- und Verschiebungsmessung
公开(公告)号：EP0877231A1
公开(公告)日：1998-11-11
申请号：EP98400519.9
申请日：1998-03-04
申请人： Vishay S.A.
发明人： Flassayer, Claude
IPC分类号： G01D5/26 , H01L31/02
CPC分类号： G01D5/26 , H01L31/02024
摘要： La présente invention concerne un dispositif de mesure de position et de déplacement sans contact (2) comportant une source lumineuse (4) et un capteur photosensible (6) susceptibles de se déplacer l'un par rapport à l'autre, ledit capteur photosensible (6) étant destiné à générer, lorsqu'il est éclairé par un faisceau lumineux (8) émis par la source lumineuse (4), au moins un signal électrique représentatif de la position relative de la source lumineuse (4) par rapport au capteur photosensible (6).
Selon l'invention, ledit capteur photosensible (6) comporte une pluralité de couches déposées sur un support (10), soit au moins une première couche résistive (12) destinée à former une piste potentiométrique, au moins une deuxième couche photosensible (14) destinée à délivrer des charges électriques lorsqu'elle est éclairée par le faisceau lumineux émis par la source (4) et au moins une troisième couche métallique (16) destinée à collecter lesdites charges électriques générées par la deuxième couche photosensible (12)
摘要翻译：系统（2）具有设计成相对于彼此移位的光源（4）和感光传感器（6）。该传感器被设计成当来自源的光束（8）照射时产生表示源相对于传感器的位置的电信号。传感器具有沉积在具有透明高电阻层（12）的支撑件（10）上的多个层，所述透明高电阻层（12）被设计成形成电位计轨道和感光层（14），所述感光层被设计成当电子束被光束照射时传递电荷从源头。金属层（16）被设计成收集由感光层产生的电荷。光敏层（14）具有沉积在高电阻层（12）和金属层（16）之间的PIN结，以形成光电二极管。

130. 发明公开

EP0721219A1 Sensor element 失效
标题翻译：传感器元件
公开(公告)号：EP0721219A1
公开(公告)日：1996-07-10
申请号：EP96300065.8
申请日：1996-01-03
申请人： XEROX CORPORATION
发明人： Jackson, Warren B. , Biegelsen, David K. , Weisfield, Richard L.
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/02
CPC分类号： H01L27/14665 , H01L31/02024
摘要： Sensor elements (40) which are capable of sensing illumination edges with subpixel accuracy are described. The sensor elements include a plurality of conductive storage nodes (48) and a plurality of collection electrodes (54,58) which are in a low resistance, touching relationship with a first semiconductive material layer (62). A second semiconductive material layer (63) is placed over the first such that the first and second semiconductive material layers (62,63) and the storage nodes (48) form light sensors. Near the first semiconductive layer (62) is a gate electrode (44). When a first voltage is applied to the gate electrode (44) the resistance of the first semiconductive material layer (62) between the storage nodes (48) and the conductive collection electrodes is high. Illumination which strikes the sensor element creates electron hole pairs which induce charges on the storage nodes (48). When a second voltage is applied to the gate electrode (44) the resistance of the first semiconductive material layer (62) between the storage nodes (48) and the conductive collection electrodes becomes low. Charges which have accumulated onto the storage nodes (48) can then easily flow to the conductive collection electrodes.
摘要翻译：描述了能够以亚像素精度感测照明边缘的传感器元件（40）。传感器元件包括与第一半导体材料层（62）处于低电阻触摸关系的多个导电存储节点（48）和多个收集电极（54,58）。将第二半导体材料层（63）放置在第一半导体材料层上，使得第一和第二半导体材料层（62,63）和存储节点（48）形成光传感器。在第一半导体层（62）附近是栅电极（44）。当第一电压施加到栅电极（44）时，存储节点（48）和导电收集电极之间的第一半导体材料层（62）的电阻很高。撞击传感器元件的照明产生在存储节点（48）上诱发电荷的电子空穴对。当第二电压施加到栅电极（44）时，存储节点（48）和导电集电极之间的第一半导体材料层（62）的电阻变低。累积到存储节点（48）上的电荷然后可以容易地流到导电收集电极。

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