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121. 实用新型

KR200352347Y1 흑연전극설을 함유하는 ＰＴＣ 조성물질 失效
标题翻译：含有石墨电极的PTC复合材料
公开(公告)号：KR200352347Y1
公开(公告)日：2004-06-04
申请号：KR2020040007163
申请日：2004-03-16
申请人： 정문우
发明人： 정문우
IPC分类号： H01C7/02
CPC分类号： H01C7/022 , H01C17/0652 , H01C17/0656 , H01C17/06586
摘要： 본 고안은 흑연전극설을 이용한 PTC 조성물질에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 흑연전극설과 실리카샌드를 제어온도에 합당한 비율로 함유하고, 이 혼합물의 적당한 질량 비율로 접합물질인 페놀 수지를 함유하는 PTC 조성물질을 제공한다. 이와 같이 제조된 본 고안의 PTC 가열소자는 고유저항, 접촉저항 및 열팽창계수가 큰 흑연을 함유한 복합무기물질을 이용하여 자기온도조절 작용에 의해 일정한 온도를 공급할 수 있고, 과열이나 과전압에 대한 자동보호작용이 가능하며, 저항값이 주변온도와 풍량에 따라 자동조절되는 가변저항방식의 가열 소자로서, 안전하며 효율적인 난방용 소재로 다양한 분야에 이용가능하다.

122. 发明专利

TW200742769A 半導體電熱膜及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体电热膜及其制造方法
公开(公告)号：TW200742769A
公开(公告)日：2007-11-16
申请号：TW095115801
申请日：2006-05-03
申请人：林正平 LIN, CHENG PING
发明人：林正平 LIN, CHENG PING
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01C17/065 , H01C17/0656 , H01L21/67115 , H01L21/6715 , H01L28/20 , Y10T29/49083
摘要：一種半導體電熱膜及其製造方法,其步驟至少包含:以錫、釩之氯化物及矽化物為主體,而在調製的過程中加入鐵、銻、銦、鋅、鋯等之化合物為抗氧化摻雜劑,而以上述之材料作為具有抗氧化功能之半導體電熱膜之基礎;將上述之材料均勻混合,並依一定比例和溶劑介質混合;將上述原料混合均勻後,加入少許之氫氟無機酸當調整劑,以提高電熱膜之穩定性並使溶劑介質和主體產生氧化還原反應;以及,將一基板以超音波清洗後,再以純水清潔,將基板放入高溫爐中,依流水線之加熱方式,將基板緩慢加熱,當基板表面達雙態點溫度時,再將上述原則流經過以非鐵質且耐酸鹼材料所製作之噴頭,然後高溫霧化為霧狀之帶電粒子沉積於基板上。
简体摘要：一种半导体电热膜及其制造方法,其步骤至少包含:以锡、钒之氯化物及硅化物为主体,而在调制的过程中加入铁、锑、铟、锌、锆等之化合物为抗氧化掺杂剂,而以上述之材料作为具有抗氧化功能之半导体电热膜之基础;将上述之材料均匀混合,并依一定比例和溶剂介质混合;将上述原料混合均匀后,加入少许之氢氟无机酸当调整剂,以提高电热膜之稳定性并使溶剂介质和主体产生氧化还原反应;以及,将一基板以超音波清洗后,再以纯水清洁,将基板放入高温炉中,依流水线之加热方式,将基板缓慢加热,当基板表面达双态点温度时,再将上述原则流经过以非铁质且耐酸碱材料所制作之喷头,然后高温雾化为雾状之带电粒子沉积于基板上。

123. 发明专利

TWI281167B 陶瓷電子元件、及陶瓷電子元件之製造方法有权
简体标题：陶瓷电子组件、及陶瓷电子组件之制造方法
公开(公告)号：TWI281167B
公开(公告)日：2007-05-11
申请号：TW094111188
申请日：2005-04-08
申请人：村田製作所股份有限公司 MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：川端良兵 KAWABATA, RYOHEI , 前田英一 MAEDA, EIICHI , 今田勝久 IMADA, KATSUHISA , 熊谷昭伸 KUMAGAI, AKINOBU , 川田祐三 KAWADA, YUZO , 酒井延行 SAKAI, NOBUYUKI , 福田寬 FUKUDA, YUTAKA , 築澤孝之 TSUKIZAWA, TAKAYUKI
IPC分类号： H01F , H01G
CPC分类号： H01C7/18 , H01C17/0656 , H01F17/0013 , H01G4/105 , H01G4/30
摘要：本發明係關於陶瓷電子元件及其製造方法，其為使硼矽酸玻璃之含量為60至74重量％且磁器組成物之含量為24至60重量％，混合硼矽酸玻璃及含Al2O3為10至14重量％之磁器組成物，由此混合物形成埋設有內部電極5之陶瓷胚體1。較佳使上述磁器組成物含有換算成SiO2為4.0至70.0重量％之Si成分、及換算成BaO為4.0至40.0重量％之Ba成分，且將含量相對於上述硼矽酸玻璃為0.5至3重量％之著色劑(例如鉻氧化物)添加於上述陶瓷胚體1。藉此，可在無損於低溫燒結性及電性特性的情況下，增加陶瓷胚體1之機械強度，並正確且迅速地判斷產品良否。
简体摘要：本发明系关于陶瓷电子组件及其制造方法，其为使硼硅酸玻璃之含量为60至74重量％且磁器组成物之含量为24至60重量％，混合硼硅酸玻璃及含Al2O3为10至14重量％之磁器组成物，由此混合物形成埋设有内部电极5之陶瓷胚体1。较佳使上述磁器组成物含有换算成SiO2为4.0至70.0重量％之Si成分、及换算成BaO为4.0至40.0重量％之Ba成分，且将含量相对于上述硼硅酸玻璃为0.5至3重量％之着色剂(例如铬氧化物)添加于上述陶瓷胚体1。借此，可在无损于低温烧结性及电性特性的情况下，增加陶瓷胚体1之机械强度，并正确且迅速地判断产品良否。

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