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121. 发明专利

JP2016042688A 複数のスレーブ装置を用いるエッジベースの通信有权
标题翻译：基于边缘通信使用多个从设备
公开(公告)号：JP2016042688A
公开(公告)日：2016-03-31
申请号：JP2015140367
申请日：2015-07-14
申请人：インフィネオンテクノロジーズアーゲー , INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人：シュトラッサー, ミヒャエル , ライドル, クリスティアン , ピルケル, ゲーアハルト
IPC分类号： H04L12/28
CPC分类号： H04L25/4902 , H04L67/10
摘要：【課題】双方向エッジベースのパルス幅変調通信システムにおいて、複数のスレーブ装置を用いるエッジベースの通信を提供する。【解決手段】複数のスレーブ装置(センサ1、センサ2)と、マスタ装置(制御装置22)と複数のスレーブ装置を結合する通信経路(データライン25、アースライン27、VDD電源ライン28)とを備える。マスタ装置が、所定のトリガ・パルスを複数のスレーブ装置に伝送するように構成され、所定のトリガ・パルスを受信すると、複数のスレーブ装置が動作を実行する。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：在双向边缘脉宽调制通信系统中提供使用多个从设备的边缘通信。解决方案：一种双向边缘脉冲宽度调制通信系统，包括：多个从设备（传感器1和传感器2）; 以及用于连接主设备（控制设备22）和多个从设备的通信路径（数据线25，地线27和VDD电源线28）。主设备向多个从设备发送规定的触发脉冲。接收规定的触发脉冲，多个从设备执行操作。选择图：图2

122. 发明专利

JP2016032105A 逆導通型IGBT 有权
标题翻译：反向导通IGBT
公开(公告)号：JP2016032105A
公开(公告)日：2016-03-07
申请号：JP2015139323
申请日：2015-07-13
申请人：インフィネオンテクノロジーズアーゲー , INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人：フィルシュ, フランクディーター , ウェーバー, ドロテーア
IPC分类号： H01L29/78 , H01L27/04 , H01L29/12 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/7395 , H01L27/0664 , H01L27/0727 , H01L29/66333 , H01L27/0761
摘要：【課題】逆導通型IGBTの素子特性を改善する。【解決手段】第1コレクタ領域6・バックサイドエミッタ領域5・第1IGBTセル110・第1ダイオードセル120がrc−IGBTエリア151を画定し、第2コレクタ領域9・第2IGBTセル210・第1ダイオードセル220が、パイロットIGBTエリア152を画定している。rc−IGBTエリア151は、第1電極とオーミック接触して、ドリフト領域1と第1電極との間に配置された第2導電型の第1半導体領域を含む。パイロットIGBTエリア152は、第1電極とオーミック接触して、ドリフト領域1と第1電極との間に配置された第2導電型の第2半導体領域を含む。第1半導体領域の水平方向の面積当たりの第2導電型のドーパントの数は、第2半導体領域の水平方向の面積当たりの第2導電型のドーパントの数を上回る。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提高反向导通IGBT的元件特性。解决方案：第一集电极区域6，后侧发射极区域5，第一IGBT单元110和第一二极管单元120限定rc-IGBT区域151，以及第二集电极区域9，第二IGBT单元210和第一二极管单元220限定引导IGBT区域152.Rc-IGBT区域151与第一电极欧姆接触，并且包括第二导电类型的第一半导体区域布置在漂移区域1和第一电极之间。引导IGBT区域152与第一电极欧姆接触，并且包括布置在漂移区域1和第一电极之间的第二导电类型的第二半导体区域。在第一半导体区域的水平方向上每区域的第二导电类型的掺杂剂的数量超过第二半导体区域的水平方向上每区域的第二导电类型的掺杂剂的数量。图1

123. 发明专利

JP5872623B2 同期電動機の最適制御有权
标题翻译：同步电动机的最佳控制
公开(公告)号：JP5872623B2
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：JP2014098499
申请日：2014-05-12
申请人：インフィネオンテクノロジーズアーゲー , INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人：カン, テンキョン , コック, チューンキート , ラーベンシュタイン, アルノ , ウォン, シーメイン , チャオ, タオ
IPC分类号： H02P27/04 , H02P21/00
CPC分类号： H02P21/06 , H02P1/46 , H02P21/18 , H02P21/32 , H02P27/08 , H02P6/21 , H02P2207/05

124. 发明专利

JP2016009868A 半導体ウエハを処理するための方法有权
标题翻译：加工半导体波形的方法
公开(公告)号：JP2016009868A
公开(公告)日：2016-01-18
申请号：JP2015125467
申请日：2015-06-23
申请人：インフィネオンテクノロジーズアーゲー , INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人：ラヴェン, ヨハネスゲオルク , シュルツェ, ハンス−ヨアヒム , ヴォス, シュテファン , ブレイメッサー, アレクサンダー , スシティー, アレクサンダー , リウ, シューハイ , エーフナー, ヘルムート
IPC分类号： H01L21/477 , H01L21/265 , H01L21/322
CPC分类号： H01L21/263 , H01L21/26506 , H01L21/3242 , H01L29/36 , H01L29/66136 , H01L29/66143 , H01L29/8611 , H01L29/872 , H01L29/1608 , H01L29/2203 , H01L29/7395
摘要：【課題】半導体ウエハを処理するための方法を提供する。【解決手段】第1の垂直方向において互いに離れて配置された対向する第1及び第2面を有する磁気チョクラルスキー半導体ウエハが処理される。すなわち、第2の面を介して半導体ウエハに第1の粒子を注入することによって半導体ウエハに結晶欠陥を形成する。結晶欠陥は、第1の深さで欠陥濃度が最大になる。半導体ウエハは第1の熱プロセスにおいて加熱されて、放射線誘起ドナーが形成される。第1の熱プロセスの後で、半導体ウエハのnドープ半導体領域が、第2の面と第1の深さとの間に配置されるように、且つnドープ半導体領域が、第1の垂直方向において、第1の深さと第2の面との間に正味ドーピング濃度の極大値を有し、第1の深さと第1の極大値との間に正味ドーピング濃度の極小値を有するように、注入エネルギ及び注入ドーズが選択される。【選択図】図13
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于处理半导体晶片的方法。解决方案：一种用于处理具有相对的在第一垂直方向上彼此分开的相对的第一和第二面的磁性切克萨斯基生长的半导体晶片的方法包括以下步骤：第一颗粒通过第二面进入半导体晶片，从而在第一深度处晶体缺陷的浓度变得最大的半导体晶片中形成晶体缺陷; 以及通过在第一加热过程中加热所述半导体晶片，在所述半导体晶片中形成辐射诱导的供体。选择用于注入的能量和待注入的剂量，使得在第一热处理之后，将半导体晶片的n掺杂半导体区域设置在第二面和第一深度之间，并且n掺杂半导体区域具有最大值在第一深度和第二面之间的净掺杂浓度在第一垂直方向上具有最小的第一深度与第一最大值所在的深度之间的净掺杂浓度。

125. 发明专利

JP2015226060A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015226060A
公开(公告)日：2015-12-14
申请号：JP2015102532
申请日：2015-05-20
申请人：インフィネオンテクノロジーズアーゲー , INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人：シーミーニエック, ラルフ , ベルクナー, ヴォルフガング , エステベ, ロマン , ペーテルス, デトハルト
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7805 , H01L21/046 , H01L29/045 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/167 , H01L29/4236 , H01L29/66068 , H01L29/66734 , H01L29/78 , H01L29/7804 , H01L29/7813 , H01L29/0688 , H01L29/861
摘要：【課題】トランジスタのゲート電極が高電界から保護されると共にダイオードが高電流定格及び低損失を有するトランジスタ装置と、ダイオードと、を有する半導体装置を提供する。【解決手段】ドリフト領域11、ソース領域12及び本体領域13と、ダイオード領域30とドリフト領域11との間のpn接合と、第1側壁110 1 、第2側壁110 2 、及び底部110 3 を有するトレンチを有する本体領域は、トレンチの第1側壁と隣接しており、ダイオード領域は、トレンチの第2側壁と隣接しており、かつ、pn接合は、トレンチの底部と隣接している、トレンチと、トレンチ内ゲート誘電体22によって電気的に絶縁されたゲート電極21と、を有する。ダイオード領域は、トレンチの底部の下方において配置された第1ダイオード領域31を有し、かつ、第1ダイオード領域は、トレンチの底部から離れた状態においてドーピング濃度の最大値を有する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种包括晶体管器件的半导体器件，其保护晶体管栅电极免受高电场并且二极管具有高电流额定值和低损耗以及二极管。解决方案：至少一个器件单元包括漂移区域11，源极区域12，体区域13以及二极管区域30和漂移区域11之间的pn结。至少一个器件单元还包括具有第一侧壁110，第二侧壁110，和底部110.主体区域与沟槽的第一侧壁相邻，二极管区域与沟槽的第二侧壁相邻，并且pn结邻近沟槽的底部。此外，至少一个器件单元包括由沟槽中的栅极电介质22电绝缘的栅电极21。二极管区域包括布置在沟槽底部下方的第一二极管区域31。第一二极管区域在与沟槽的底部分离的状态下具有最大的掺杂浓度。

126. 发明专利

JP2015225661A 不揮発性メモリでのマーカプログラミング有权
标题翻译：非易失性存储器中的标记编程
公开(公告)号：JP2015225661A
公开(公告)日：2015-12-14
申请号：JP2015102539
申请日：2015-05-20
申请人：インフィネオンテクノロジーズアーゲー , INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人：ラーベナルト, トーマス , バックハウゼン, ウルリヒ , ケルン, トーマス , ゲッセル, ミヒャエル
IPC分类号： G06F12/00 , G06F12/16
CPC分类号： G06F11/1068 , G06F11/1012 , G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/0679 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C29/52 , H03M13/13 , G11C2029/0411
摘要：【課題】不揮発性メモリでのマーカプログラミングを提供する。【解決手段】不揮発性メモリにアクセスする方法が提示される。本方法は、不揮発性メモリの第1のメモリ領域を読み出すことと、第1のメモリ領域が所定のデータパターンを含むか否かを確認することとを含む。所定のデータパターンは、少なくとも第1のメモリ領域に対して決定される、結果として生成される誤り訂正データに影響しない。本方法は、第1のメモリ領域内での所定のデータパターンの有無に基づいて、不揮発性メモリの第2のメモリ領域のデータステータスを評価することも含む。対応するメモリコントローラも開示される。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题：提供非易失性存储器中的标记编程。解决方案：提供了一种访问非易失性存储器的方法。该方法包括读取非易失性存储器的第一存储器区域并确定第一存储器区域是否包含预定的数据模式。预定数据模式对至少第一存储器区域确定的所得到的纠错数据没有影响。该方法还包括基于第一存储器区域中预定数据模式的存在来评估非易失性存储器的第二存储器区域的数据状态。还公开了相应的存储器控制器。

127. 发明专利

JP2015165393A 消去カウンタを処理するための方法および装置有权
标题翻译：用于加工擦除计数器的方法和装置
公开(公告)号：JP2015165393A
公开(公告)日：2015-09-17
申请号：JP2015029004
申请日：2015-02-17
申请人：インフィネオンテクノロジーズアーゲー , INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人：コー, レックス , ニール, マシュー
IPC分类号： G06F21/62 , G06F12/16 , G06F12/14
CPC分类号： G11C16/107 , G06F21/554 , G11C14/009 , G11C7/24 , G11C16/14 , G11C16/3495
摘要：【課題】消去カウンタを処理するための方法及び装置を提供する。【解決手段】消去カウンタ・フィールドを含む消去カウンタを処理するための方法であって、未使用の消去カウンタ・フィールドを決定するステップ407と、この未使用の消去カウンタ・フィールドに選択コード及びアドレス情報を書き込むステップ408とを含む。この選択コードとアドレス情報を結合して、メモリの少なくとも1つの物理アドレスを決定する。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于处理擦除计数器的方法和装置。解决方案：一种用于处理包括擦除计数器字段的擦除计数器的方法包括用于确定未使用的擦除计数字段的步骤407，以及步骤408 用于写入关于未使用的擦除计数器字段的选择代码和地址信息。选择代码和地址信息被耦合在一起，从而确定存储器的至少一个物理地址。

128. 发明专利

JP2015163870A レーダ信号を処理するための方法、装置、およびシステム有权
标题翻译：用于处理雷达信号的方法，装置和系统
公开(公告)号：JP2015163870A
公开(公告)日：2015-09-10
申请号：JP2015014234
申请日：2015-01-28
申请人：インフィネオンテクノロジーズアーゲー , INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人：イニアース, ロマン , ロジェ, アンドレ
IPC分类号： H04L27/18 , G01S7/292
CPC分类号： G01S7/295 , G01S13/288 , G01S13/325 , G01S13/931 , G01S7/2928 , G01S7/354 , G01S7/4021 , G06F17/142 , G06F7/523 , G01S2007/2883 , G01S2007/356 , G01S2013/9321 , G01S2013/9325 , G01S2013/9332
摘要：【課題】効率的なレーダ信号を処理するための方法、装置、およびシステムを提供する。【解決手段】入力データを処理するために、係数の第1のセットまたは係数の第2のセットと入力データの一部分とを乗算するステップを含み、係数の第1のセットおよび係数の第2のセットがメモリに記憶され、係数の第1のセットが、位相変調された入力データに使用され、係数の第2のセットが、位相変調されない入力データに使用される。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种有效处理雷达信号的方法，装置和系统。解决方案：一种方法，包括将第一组系数或第二组系数与输入数据的一部分相乘的步骤，以便处理输入数据，将第一组系数和第二组系数存储在存储器中，第一组系数用于相位调制输入数据，第二组系数用于非相位调制输入数据。

129. 发明专利

JP5726126B2 高い強度をもつパワーIGBT 有权
标题翻译：大功率IGBT具有高强度
公开(公告)号：JP5726126B2
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：JP2012097022
申请日：2012-04-20
申请人：インフィネオンテクノロジーズアーゲー , INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人：ホルガー,ルエティング , ハンスヨアヒム,シュルツ , マンフレート,プファッフェンレーナー
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7396 , H01L29/0834 , H01L29/32 , H01L29/0847

130. 发明专利

JP2015092607A 保護リングを備えた半導体構造审中-公开
公开(公告)号：JP2015092607A
公开(公告)日：2015-05-14
申请号：JP2014257793
申请日：2014-12-19
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人： MARTIN KERBER , MATTHIAS STECHER
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L23/522 , H01L27/04
摘要：【課題】導電コイル、トランス又はコンデンサと保護リング間の絶縁耐力を向上する半導体構造を提供する。【解決手段】導電線MF2と、第1保護リングGR1と、導電線MF2と第1保護リングGR1との間に設けられた第2保護リングGR2とを有し、第2保護リングGR2は、汚染領域DFCを少なくとも部分的に取り囲む。第2保護リングGR2は、導電線MF2に電気的に接続する。第2保護リングGR2を導電線MF2に電気的に接続することによって、第2保護リングGR2の電圧を導電線MF2と同じにする。したがって、電界が実質的に存在しなくなる。【選択図】図3

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