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111. 发明公开

KR1020140120961A 고압력 셀렌화 공정을 이용한 CI(G)S 박막 제조 방법과 이를 이용한 태양전지. 有权
标题翻译：使用高压SELENIDE CI（G）S薄膜太阳能电池的工艺使用制造方法和
公开(公告)号：KR1020140120961A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：KR1020130036156
申请日：2013-04-03
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 어영주 , 조준식 , 박주형 , 윤경훈 , 안세진 , 곽지혜 , 윤재호 , 조아라 , 신기식 , 안승규 , 유진수 , 박상현
IPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0749 , H01L21/02568 , H01L21/02614 , H01L31/03923 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： 태양전지에 사용되는 CI(G)S의 제조 과정 중 셀렌화 공정의 효율을 높이기 위한 방법으로 더욱 구체적으로는 CI(G)S계 전구체 박막을 일정 콘테이너 혹은 챔버에 삽입하여, 상기 콘테이너 혹은 챔버 내에 셀레늄(Se)을 주입하고 온도를 올려 셀렌화하는 공정을 통해 고압력 셀렌화가 가능한 것에 관한 것으로 일정 콘테이너 혹은 챔버 내에 셀레늄(Se) 분압을 높여 고압력 셀렌화를 통해 손실되는 셀레늄(Se)을 줄일 수 있고, 셀렌화의 효율을 높이고 열처리의 시간을 단축시킬 수 있는 효과를 나타낸다.
이를 위해 상기 CI(G)S계 전구체 박막과 상기 챔버(Chamber)의 간격이 6 mm 내지 20 mm이고, 상기 챔버(Chamber)에 셀레늄(Se)을 주입하며, 셀렌화를 위한 열처리는 상기 챔버(Chamber)의 내측 일면 또는, 내측 전면에 위치하는 발열체에 의해 온도를 증가시킨다.
摘要翻译：本发明涉及一种在太阳能电池中使用的CI（G）S系薄膜的制造工序中提高硒化工序的效率的方法，更具体地说，涉及一种可以通过以下方法实现高压硒化：将CI（G）S基前体薄膜插入到某个容器或室中，将硒（Se）注入容器或室中，并提高温度进行硒化。该方法可以通过增加某些容器或室内硒（Se）的分压来降低高压硒化硒（Se）的量，提高硒化效率，减少热处理时间。为了达到此目的，使CI（G）S系前体薄膜与室之间的间隙为6〜20mm，硒（Se）注入室内; 并且通过使用放置在室的一个内侧或内部前部的加热单元来进行温度来进行硒化的热处理。

112. 发明公开

KR1020140120414A 황동광계 광흡수층의 형성방법 有权
标题翻译：氯仿型吸收层的形成方法
公开(公告)号：KR1020140120414A
公开(公告)日：2014-10-14
申请号：KR1020130035753
申请日：2013-04-02
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 어영주 , 윤경훈 , 안세진 , 곽지혜 , 윤재호 , 조아라 , 신기식 , 안승규 , 조준식 , 유진수 , 박상현 , 박주형
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0322 , H01L31/0445 , H01L31/18 , Y02E10/541
摘要： 본 발명은 황동광계 태양전지의 광흡수층을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 황동광계 화합물의 전구체를 포함하는 박막을 형성하는 단계; 및 상기 박막에 빛을 조사하는 단계를 포함하며, 상기 황동광계 화합물 전구체가 빛 에너지를 흡수하여 결정화가 진행되는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 황동광계 광흡수층을 형성하는 과정에서 열을 가하지 않고 빛을 이용함으로써, 열에 의해서 기판이 손상되는 문제없이 황동광계 광흡수층을 형성할 수 있는 효과가 있다.
또한, 황동광계 광흡수층을 형성하는 과정에서 열을 가하지 않고 빛을 이용함으로써, 몰리브덴 후면전극이 가열되어 MoSe
2 가 형성되는 문제가 없다.
나아가, 박막에 깊이 침투하는 장파장 범위의 빛을 먼저 조사하고 얕게 침투하는 단파장 범위의 빛을 나중에 조사함으로써, 아래쪽에서부터 순차적으로 황동광계 광흡수층을 형성할 수 있는 효과가 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种形成基于黄铜矿的太阳能电池的光吸收层的方法，包括以下步骤：形成包含黄铜矿基化合物的前体的薄膜; 并用光照射薄膜，其中基于黄铜矿的化合物的前体吸收光能以使其结晶。在本发明中，由于在不施加热量的情况下，在形成基于黄铜矿的光吸收层的过程中使用光，所以可以形成基于黄铜矿的光吸收层，而不会由于热而损坏基板。此外，由于在不施加热量的情况下使用形成基于黄铜矿的光吸收层的光，因此不会产生后钼电极被加热以形成MoSe_2的问题。此外，由于首先辐射具有深度渗透到薄膜的长波长范围的光，并且稍后辐射具有薄薄的薄膜的短波长范围的光，因此能够依次形成黄铜矿型光吸收层从底部。

113. 发明授权

KR101406704B1 동시진공증발공정 기반의 CZTSe 광흡수층 제조방법 有权
标题翻译：通过CO蒸发方法制备CZTSE吸收层的制备方法
公开(公告)号：KR101406704B1
公开(公告)日：2014-06-12
申请号：KR1020130042782
申请日：2013-04-18
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 곽지혜 , 윤재호 , 안승규 , 신기식 , 안세진 , 조아라 , 윤경훈 , 어영주 , 조준식 , 박상현 , 박주형 , 유진수 , 최혜림
IPC分类号： H01L31/06 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0322 , Y02E10/541
摘要： The present invention relates to a method of manufacturing a quality CZTSe light absorption thin film based on a simultaneous vacuum evaporation process. The method includes: (a) a step of depositing Cu, Zn, Sn, and Se onto a substrate by evaporating the same simultaneously; and (b) a step of lowering the temperature of the substrate and depositing Zn, Sn, and Se by evaporating the same simultaneously. By performing a simultaneous vacuum evaporation process and then performing an additional evaporation process while lowering the temperature of the substrate, the present invention is able to resolve the problems due to the loss of Sn accompanied in a high-temperature simultaneous vacuum evaporation process. A CZTSe light absorption thin film manufactured by the manufacturing method given in the present invention has excellent membranous property so that a CZTSe solar cell manufactured using the same is able to have improved photoelectric conversion efficiency.
摘要翻译：本发明涉及一种基于同时真空蒸镀工艺制造质量好的CZTSe光吸收薄膜的方法。该方法包括：（a）通过同时蒸发将Cu，Zn，Sn和Se沉积到衬底上的步骤; 和（b）降低衬底温度并同时蒸发Zn，Sn和Se的步骤。通过同时进行真空蒸发处理，然后在降低基板的温度的同时进行额外的蒸发处理，本发明能够解决由于伴随着高温同时真空蒸发处理而引起的Sn的损失的问题。通过本发明的制造方法制造的CZTSe光吸收薄膜具有优异的膜性质，因此使用其制造的CZTSe太阳能电池能够提高光电转换效率。

114. 发明授权

KR101388451B1 탄소층이 감소한 ＣＩ(Ｇ)Ｓ계 박막의 제조방법, 이에 의해 제조된 박막 및 이를 포함하는 태양전지 有权
标题翻译：具有降低碳层的CI（G）S基薄膜的制备方法，由其制备的基于CI（G）S的薄膜和包括其的太阳能电池
公开(公告)号：KR101388451B1
公开(公告)日：2014-04-24
申请号：KR1020120087925
申请日：2012-08-10
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 조아라 , 윤경훈 , 안세진 , 윤재호 , 곽지혜 , 신기식 , 박상현 , 박주형
IPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/18 , H01L21/02491 , H01L21/02568 , H01L21/02601 , H01L21/02614 , H01L21/02628 , H01L31/0322 , H01L31/03923 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： 본 발명은 CI(G)S계 원소를 포함하는 두 종류 이상의 이성분계 나노입자, CI(G)S계 원소를 포함하는 용액 전구체, 알코올계 용매 및 킬레이트제를 혼합하여 제조한 슬러리를 사용함으로써 CI(G)S계 박막과 몰리브데늄 사이에 형성되는 탄소층을 감소시킬 수 있는 CI(G)S계 박막의 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로는, 본 발명에 따른 CI(G)S계 박막의 제조방법은 CI(G)S계 원소를 포함하는 두 종류 이상의 이성분계 나노입자, CI(G)S계 원소를 포함하는 용액 전구체, 알코올계 용매 및 킬레이트제를 혼합하여 슬러리를 제조하는 단계(단계 a); 상기 슬러리를 비진공 코팅하여 CI(G)S계 박막을 형성하는 단계(단계 b); 및 상기 형성된 CI(G)S계 박막에 셀렌화 열처리하는 단계(단계 c)를 포함한다.

115. 发明公开

KR1020140038200A 소스 잔류물 배출형 셔터를 구비한 진공 증발원 및 이를 포함하는 증착 장비 有权
标题翻译：具有切换器排放源的消耗电池和包含其的蒸发设备
公开(公告)号：KR1020140038200A
公开(公告)日：2014-03-28
申请号：KR1020120104629
申请日：2012-09-20
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 박상현 , 곽지혜 , 안세진 , 윤경훈 , 신기식 , 안승규 , 조아라 , 윤재호 , 조준식 , 유진수 , 박주형 , 어영주
IPC分类号： H01L51/56 , H01L21/20
CPC分类号： C23C14/243 , C23C14/564 , C30B23/066
摘要： Disclosed are a vacuum evaporation source with a source residue discharge type shutter and an evaporation device including the same. The vacuum evaporation source with the source residue discharge type shutter comprises a vacuum evaporation source body including an outer container which provides a cylindrical inner space, a crucible which is mounted inside the outer container, and a heater which is arranged between the outer container and the crucible and heats the crucible; and a shutter which is disposed at the output side of the vacuum evaporation source body to open and close the output of the crucible and has multiple flow guides extended from an area corresponding to the output of the crucible to the outer area of the outer container to discharge a source residue condensed at the inner surface facing the output of the crucible to the outside of the outer container. The evaporation device according to the present invention has the above-described configuration and comprises multiple vacuum evaporation sources disposed to be inclined to the center of a substrate in a vacuum chamber.
摘要翻译：公开了一种具有源极残渣放电型快门的真空蒸发源和包括其的蒸发装置。具有源残渣排放型活门的真空蒸发源包括：真空蒸发源体，其包括提供圆柱形内部空间的外部容器;安装在外部容器内部的坩埚;以及加热器，其设置在外部容器和坩埚加热坩埚; 以及快门，其设置在真空蒸发源体的输出侧，以打开和关闭坩埚的输出，并且具有从与坩埚的输出对应的区域延伸到外部容器的外部区域的多个流动引导件，将在面向坩埚输出的内表面处冷凝的源残渣排出到外容器的外部。根据本发明的蒸发装置具有上述结构，并且包括多个真空蒸发源，其设置成在真空室中倾斜于基板的中心。

116. 发明授权

KR101369167B1 이성분계 나노입자를 포함하는 슬러리의 숙성 단계가 도입된 ＣＩ(Ｇ)Ｓ계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 ＣＩ(Ｇ)Ｓ계 박막 有权
标题翻译：制备CI（G）S基薄膜的方法，介绍了包含二元纳米粒子和其制备的CI（G）S基薄膜的浆料的老化步骤
公开(公告)号：KR101369167B1
公开(公告)日：2014-03-14
申请号：KR1020120080991
申请日：2012-07-25
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 조아라 , 윤경훈 , 안세진 , 윤재호 , 어영주 , 안승규 , 조준식 , 유진수
IPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 이성분계 나노입자를 포함하는 슬러리의 숙성 단계가 도입된 ＣＩ(Ｇ)Ｓ계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 ＣＩ(Ｇ)Ｓ계 박막이 제공된다. 본 발명의 CI(G)S계 박막의 제조방법은, CI(G)S계의 이성분계 나노입자를 제조하는 단계; 상기 이성분계 나노입자, CI(G)S계 원소를 포함하는 용액 전구체, 용매 및 킬레이트제를 혼합하여 하이브리드형 슬러리를 제조하는 단계; 상기 하이브리드형 슬러리를 5일 내지 10일 동안 숙성하는 단계; 숙성된 하이브리드형 슬러리를 코팅하여 CI(G)S계 박막을 형성하는 단계; 및 상기 형성된 CI(G)S 박막에 열처리하는 단계를 포함한다. 이에 의하여, CI(G)S계 태양전지 박막 제조 시 우수한 재현성 확보가 가능하고, 따라서 생산된 박막의 신뢰도를 향상시킬 수 있다.

117. 发明授权

KR101282291B1 산화아연 요철구조의 형성방법 및 이를 이용한 태양전지의 제조방법 有权
标题翻译：使用该方法形成ZNO CONCAVO-CONVEX结构和太阳能电池的方法
公开(公告)号：KR101282291B1
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：KR1020120022668
申请日：2012-03-06
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 조준식 , 윤경훈 , 안세진 , 곽지혜 , 윤재호 , 조아라 , 신기식 , 안승규 , 어영주 , 유진수 , 박상현 , 박주형
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1828 , H01G9/204 , H01G9/2059 , H01G9/209 , H01L31/02366 , H01L31/1888 , H01L51/42 , H01L51/4233 , H01L51/447 , Y02E10/542 , Y02E10/549
摘要： PURPOSE: A method for forming a ZnO concavo-convex structure and a solar cell using the same are provided to form a uniform thin film on a concavo-convex structure by using a wet etching method. CONSTITUTION: A substrate (10) is prepared. A nanostructure (20) of which height and width is nanometer scale is formed. A zinc oxide thin film (30) is formed on the substrate having the nanostructure. The zinc oxide thin film is wet-etched. A concavo-convex structure (35) is formed by etching the periphery of the nanostructure.
摘要翻译：目的：提供一种用于形成ZnO凹凸结构的方法和使用其的太阳能电池，以通过使用湿式蚀刻方法在凹凸结构上形成均匀的薄膜。构成：制备基材（10）。形成高度和宽度为纳米级的纳米结构（20）。在具有纳米结构的基板上形成氧化锌薄膜（30）。氧化锌薄膜被湿式蚀刻。通过蚀刻纳米结构的周边形成凹凸结构（35）。

118. 发明授权

KR101279370B1 동시진공증발공정을 이용한 태양전지용 ＣＺＴＳｅ계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 ＣＺＴＳｅ계 박막 有权
标题翻译：使用CO蒸发法制备基于CZTSE的薄膜的制备方法及其制备的基于CZTSE的薄膜
公开(公告)号：KR101279370B1
公开(公告)日：2013-07-04
申请号：KR1020110140283
申请日：2011-12-22
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 곽지혜 , 윤재호 , 안세진 , 윤경훈 , 정성훈 , 신기식 , 안승규 , 조아라 , 박상현
IPC分类号： H01L31/06 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 태양전지용 CZTSe계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 CZTSe계 박막이 개시된다. 본 발명의 CZTSe계 박막의 제조방법은, (S1) Cu, Zn, Sn 및 Se을 동시진공증발법에 따라 기판에 증착하는 단계; 및 (S2) 감소된 기판 온도에서 Sn과 Se을 동시진공증발법에 따라 추가로 증착시키는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 고온의 기판 온도에서 Cu, In, Sn, Se를 동시진공증발법을 이용하여 증착한 후 그보다 낮은 기판 온도에서 Sn과 Se을 추가로 증착함으로써 높은 기판 온도에서의 열처리에 의한 Sn 손실을 최소화하고, 박막 내 원소 분포를 균일하게 하여 궁극적으로 에너지 변환효율이 높은 태양전지용 CZTSe계 박막을 제조할 수 있다.

119. 发明公开

KR1020120110496A 박막 태양전지용 후면반사막, 이의 형성방법 및 이를 포함하는 박막 태양전지 有权
标题翻译：用于薄膜太阳能电池的反射层，其制造方法和包括其的薄膜太阳能电池
公开(公告)号：KR1020120110496A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：KR1020110028388
申请日：2011-03-29
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 조준식 , 박상현 , 이정철 , 박주형 , 신기식 , 윤경훈
IPC分类号： H01L31/054 , H01L31/0445 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/054 , H01L31/0445 , H01L31/18
摘要： PURPOSE: A rear reflective film for a thin film solar cell, a forming method thereof and the thin film solar cell including the same are provided to improve the scattering reflectance of a wavelength area by improving the surface illumination of the rear reflective film. CONSTITUTION: An aluminum layer(22) is formed on a substrate. One or more materials selected from Si, O, Cu and Pt dope the aluminum layer. The doped aluminum layer intensifies crystal growth. A transparent conductive film(24) is formed on the surface of the doped aluminum layer. A silver coating layer(23) is formed on the doped aluminum layer.
摘要翻译：目的：提供一种用于薄膜太阳能电池的后反射膜，其形成方法和包括该反射膜的薄膜太阳能电池，以通过改进后反射膜的表面照明来改善波长区域的散射反射率。构成：在基板上形成铝层（22）。选自Si，O，Cu和Pt中的一种或多种材料掺杂铝层。掺杂的铝层增强晶体生长。在掺杂的铝层的表面上形成透明导电膜（24）。在掺杂的铝层上形成银涂层（23）。

120. 发明公开

KR1020120009668A 급속열처리 공정을 사용한 ＣＩＳ계 화합물 박막의 제조방법 및 상기 ＣＩＳ계 화합물 박막을 이용한 박막 태양전지의 제조방법 有权
标题翻译：通过使用快速热处理制备基于CIS的复合薄膜的制备方法和使用基于CIS的化合物薄膜制造的薄膜SOLARCELL的制备方法
公开(公告)号：KR1020120009668A
公开(公告)日：2012-02-02
申请号：KR1020100069933
申请日：2010-07-20
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 안세진 , 윤재호 , 곽지혜 , 조아라 , 윤경훈 , 신기식 , 안승규
IPC分类号： H01L31/0445
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/0445
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a CIS based compound thin film using a rapid thermal process and a method for manufacturing a thin film solar cell using the CIS based compound thin film are provided to improve the efficiency of a light absorbing layer by increasing the crystallization of the CIS based compound thin film. CONSTITUTION: A CIS based compound thin film is formed on a substrate. A thermal selenization process of the CIS based compound thin film is performed by using a rapid thermal process. The CIS based compound thin film includes a CIS compound thin film, a CIGS compound thin film, or CZTS compound thin film. Se vapor is produced by heating Se metal. Se is vacuously deposited on the CIS based compound thin film.
摘要翻译：目的：提供一种使用快速热处理制造CIS基复合薄膜的方法和使用该CIS基复合薄膜制造薄膜太阳能电池的方法，以通过增加光吸收层的结晶度来提高光吸收层的效率 CIS基复合薄膜。构成：在基板上形成基于CIS的复合薄膜。通过使用快速热处理进行CIS基复合薄膜的热硒化过程。基于CIS的复合薄膜包括CIS复合薄膜，CIGS复合薄膜或CZTS复合薄膜。 Se蒸汽是通过加热Se金属来生产的。 Se被空泡沉积在基于CIS的复合薄膜上。

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