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112. 发明专利

JP6080023B2 逆導通型IGBT 有权
标题翻译：逆导IGBT
公开(公告)号：JP6080023B2
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：JP2015139323
申请日：2015-07-13
申请人：インフィネオンテクノロジーズアーゲー , INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人：フィルシュ, フランクディーター , ウェーバー, ドロテーア
IPC分类号： H01L29/78 , H01L27/04 , H01L29/12 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/7395 , H01L27/0664 , H01L27/0727 , H01L29/66333 , H01L27/0761

113. 发明专利

JP2017004588A 誤り訂正能力をテストするための回路および方法有权
标题翻译：电路和方法来测试纠错能力
公开(公告)号：JP2017004588A
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：JP2016111306
申请日：2016-06-02
申请人：インフィネオンテクノロジーズアクチエンゲゼルシャフト , Infineon Technologies AG
发明人：マーティンペアナー
IPC分类号： H03M13/19 , H04L1/24 , G06F11/22 , G11C29/14 , G06F11/10 , G11C29/12
CPC分类号： G06F11/079 , G06F11/0706 , G06F11/0751
摘要：【課題】データの誤り訂正を行うための回路であって、当該回路の誤り訂正部の誤り訂正能力の正確性のチェックを行う回路を提供する。【解決手段】回路100は、入力データワードを受け取るための入力インタフェース110を備えている。回路はさらに、変更されたデータワードを得るためにテストデータワードの1ビットまたは複数ビットを操作するためのデータマニピュレータ120も備えている。テストデータワードは、入力データワードであるか、または入力データワードから導出されたものである。さらに、回路の誤り訂正部130は、変更されたデータワードも処理する。また、誤り訂正部130による変更されたデータワードの処理に依存して当該誤り訂正部130の誤り訂正能力の正確性を評価するための評価部140も備えている。【選択図】図1
摘要翻译：公开了一种用于执行数据的误差校正，以用于执行电路的纠错部的纠错能力的精度的检查提供的电路的电路。的电路100包括用于接收输入数据字的输入接口110。电路进一步还包括数据操纵器120用于操纵测试数据字的一个或多个比特，以获得修改的数据字。测试数据字是那些从任一输入数据字，或将输入数据字得到。此外，电路的纠错部分130还处理改变的数据字。还设置有评估单元140，用于评估这取决于由纠错部130变更的数据字的处理中的纠错单元130的纠错能力的精度。 1点域

114. 发明专利

JP2016170786A セーフティクリティカルなエラーを処理するための方法と装置有权
标题翻译：用于处理安全关键错误的方法和装置
公开(公告)号：JP2016170786A
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：JP2016048158
申请日：2016-03-11
申请人：インフィネオンテクノロジーズアクチエンゲゼルシャフト , Infineon Technologies AG
发明人：アクセルフライヴァルト , ビジョイマシューズ , アントニオヴィレラ
IPC分类号： B60R16/02 , G06F11/20
CPC分类号： B60W50/029 , G05B9/03 , B60W2050/0292
摘要：【課題】セーフティクリティカルなエラーを処理するための方法と装置を提供する。【解決手段】第1の制御信号によって制御されるように構成されており、且つ、装置を動作させるように構成されている第1のコントローラと、第2の制御信号によって制御されるように構成されている、且つ、装置を動作させるように構成されている第2のコントローラと、第1のコントローラ及び第2のコントローラと接続されて動作するコントロールユニットと、を含んでいる装置を動作させるためのデバイスが提供される。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于处理安全关键错误的方法和装置。解决方案：提供了一种用于操作装置的装置，包括：第一控制器，被配置为由第一控制信号控制并被配置为操作装置; 第二控制器，被配置为由第二控制信号控制并且被配置为操作所述设备; 以及可操作地连接到第一控制器和第二控制器的控制单元。选择的图示：图1

115. 发明专利

JP5996611B2 横チャネル領域を有する接合型電界効果トランジスタセル有权
标题翻译：具有水平沟道区域结型场效应晶体管单元
公开(公告)号：JP5996611B2
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：JP2014228031
申请日：2014-11-10
申请人：インフィネオンテクノロジーズアーゲー , INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人：コンラート, イェンスペーター , シュルツェ, ハンス−ヨアヒム
IPC分类号： H01L21/338 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L21/337
CPC分类号： H01L29/808 , H01L29/1058 , H01L29/1066 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/66068 , H01L29/66909 , H01L29/66924 , H01L29/8083 , H01L29/41766

116. 发明专利

JP2016163049A ダイオード領域用のゲート電極とコンタクト構造とを含んでいるトレンチ構造を備えた半導体デバイス审中-公开
标题翻译：包括用于二极体区域和接触结构的栅极电极的结构结构的半导体器件
公开(公告)号：JP2016163049A
公开(公告)日：2016-09-05
申请号：JP2016041283
申请日：2016-03-03
申请人：インフィネオンテクノロジーズアクチエンゲゼルシャフト , Infineon Technologies AG
发明人：トーマスアイヒンガー , ロマンエステーヴ , デトハートペータース , ローラントルップ , ラルフシエミエニエツ
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/336 , H01L29/872 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7804 , H01L27/0629 , H01L29/0619 , H01L29/0878 , H01L29/401 , H01L29/417 , H01L29/66348 , H01L29/66719 , H01L29/66734 , H01L29/7397 , H01L29/7805 , H01L29/7806 , H01L29/7813 , H01L29/045 , H01L29/0626 , H01L29/0696 , H01L29/36 , H01L29/41766 , H01L29/66068 , H01L29/6634 , H01L29/861 , H01L29/872
摘要：【課題】半導体デバイス(500)は、第1の表面(101)から半導体デバイス(100)内へ延在する複数のトレンチ構造(350)を含んでいる。【解決手段】トレンチ構造(350)はそれぞれ、ゲート構造(150)と、ゲート構造(150)を通って延在するコンタクト構造(315)とを含んでいる。トランジスタメサ部(170)は、これらのトレンチ構造(350)の間に設けられている。各トランジスタメサ部(170)はボディゾーン(115)を含んでおり、このボディゾーン(115)は、ドリフト構造(120)と第1のpn接合部(pn1)を形成し、ソースゾーン(110)と第2のpn接合部(pn2)を形成する。ダイオード領域(116)はそれぞれ、直接的に、複数のコンタクト構造(315)のうちの1つと隣接し、かつ、ドリフト構造(120)と第3のpn接合部(pn3)を形成する。【選択図】図2B
摘要翻译：要解决的问题：提供一种包括从第一表面（101）延伸到半导体器件（100）的多个沟槽结构（350）的半导体器件（500）。解决方案：沟槽结构（350）包括栅极结构（150），以及延伸穿过所述栅极结构（150）的接触结构（315）。晶体管台面（170）设置在这些沟槽结构（350）之间。每个晶体管台面（170）包括体区（115），其与漂移结构（120）形成第一pn结（pn1），并形成具有源区（110）的第二pn结（pn2）。每个二极管区域（116）直接邻接多个接触结构（315）中的一个，并且形成漂移结构（120）和第三pn结（pn3）。选择的图示：图2B

117. 发明专利

JP2016154218A トランジスタセルおよびエンハンスメントセルを有する半導体装置有权
标题翻译：具有增强细胞的晶体管细胞和半导体器件
公开(公告)号：JP2016154218A
公开(公告)日：2016-08-25
申请号：JP2015249516
申请日：2015-12-22
申请人：インフィネオンテクノロジーズアーゲー , INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人：ラヴェン, ヨハネスゲオルク , バブルスキ, ローマン , ダイネーゼ, マッテオ , イエーガー, クリスティアン
IPC分类号： H01L29/78 , H01L27/04 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/12 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/407 , H01L29/0834 , H01L29/1095 , H01L29/42368 , H01L29/42376 , H01L29/7397 , H01L29/8613 , H01L27/0825 , H01L27/0883 , H01L29/0619 , H01L29/36
摘要：【課題】トランジスタセルおよびエンハンスメントセルを有する半導体装置を提供する。【解決手段】トランジスタセルTCとエンハンスメントセルECとを含む。各トランジスタセルTCは、ドリフト構造120と第1のpn接合pn1を形成するボディ区域115を含む。トランジスタセルTCは、第1の制御信号C1が第1の閾値Vthxを越えるとボディ区域115内に反転チャネルを形成する。反転チャネルはドリフト構造120と第1の負荷電極310との接続の一部を形成する。遅延ユニット400は、その後縁が第1の制御信号C1の後縁に対して遅延された第2の制御信号C2を生成する。エンハンスメントセルECは、第2の制御信号C2が第1の閾値より低い第2の閾値を下回るとドリフト構造120内に反転層を形成する。反転層は少数電荷キャリアエミッタとして効果的である。【選択図】図5A
摘要翻译：要解决的问题：提供具有增强电池的晶体管单元和半导体器件。解决方案：本发明包括晶体管单元TC和增强单元EC。每个晶体管单元TC包括形成漂移结构120的主体区115和第一pn连接pn1。当第一控制信号C1超过第一阈值Vthx时，晶体管单元TC在体区115中形成反转通道。反向通道形成漂移结构120和第一负载电极310的连接的一部分。延迟单元400产生第二控制信号C2，其后沿延迟到第一控制信号C1的后沿。当第二控制信号C2低于小于第一阈值的第二阈值时，增强单元EC形成到漂移结构120中的反转层。反转层作为少量的电荷载流子发射器是有效的。选择图：图5A

118. 发明专利

JP2016134626A 半導体表面を処理するための方法审中-公开
标题翻译：加工半导体表面的方法
公开(公告)号：JP2016134626A
公开(公告)日：2016-07-25
申请号：JP2016005725
申请日：2016-01-15
申请人：インフィネオンテクノロジーズアーゲー , INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人：コンラート, イェンスペーター , ケルン, ロニー , クリヴェック, シュテファン , シュミット, ウルリヒ , シュトーバー, ラウラ
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/28 , H01L29/47 , C23C14/48 , H01L21/329
CPC分类号： H01L21/28537 , H01L21/2236 , H01L21/67115 , H01L29/47 , H01L29/66143 , H01L29/66848
摘要：【課題】半導体表面を処理する方法を提供する。【解決手段】半導体を処理する方法は、半導体表面を洗浄するために、半導体表面に第1のガス種のイオンを照射する工程と、半導体表面の下方の領域内に欠陥を作り出すために、半導体表面の下方の領域内に第2のガス種のイオンを注入する工程とを有し、半導体表面に第1のガス種のイオンを照射することと第2のガス種のイオンを注入することとが同じチャンバ内で実行される。【選択図】図8
摘要翻译：要解决的问题：提供半导体表面的处理方法。解决方案：半导体处理方法包括以下步骤：用半导体表面照射第一气体类型的离子以清洁半导体表面; 以及在所述半导体表面下方的区域中注入第二气体类型的离子，以在所述半导体表面下方的区域产生缺陷。用第一气体类型的离子照射半导体表面并注入第二气体类型的离子的步骤在相同的腔室内进行。图8

119. 发明专利

JP2016115936A シールドゲートを有する炭化珪素装置を形成する方法审中-公开
标题翻译：用于形成具有屏蔽栅的碳化硅器件的方法
公开(公告)号：JP2016115936A
公开(公告)日：2016-06-23
申请号：JP2015240816
申请日：2015-12-10
申请人：インフィネオンテクノロジーズアーゲー , INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人：エステベ, ロマン , アイヒンガー, トーマス , ベルクナー, ヴォルフガング , キュック, ダニエル , ペーテルス, デトハルト , シーミーニエック, ラルフ
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L21/265 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66734 , H01L21/02236 , H01L21/045 , H01L21/0465 , H01L21/0475 , H01L21/049 , H01L21/31111 , H01L21/324 , H01L21/3247 , H01L29/4236 , H01L29/66068 , H01L29/1608
摘要：【課題】シールドゲートを有する炭化珪素装置を形成する方法を提供する。【解決手段】主面の下に互いに横方向に離間された複数の第1のドープ領域と、主面から第1のドープ領域の上に存在する第3のドープ領域へ延びる第2のドープ領域とを有する炭化珪素半導体基板を形成する。主面から第1のドープ領域へ延びる第4のドープ領域が形成される。第1のドープ領域のうちの1つの領域の一部の上に配置された下部を有するゲートトレンチが形成される。トレンチの側壁に沿って炭化珪素原子を再整列させるとともにゲートトレンチ内に丸い角を形成するように高温工程が基板に適用される。基板から、高温工程中にゲートトレンチの側壁に沿って形成された表面層が除去される。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种形成具有屏蔽栅极的碳化硅器件的方法。解决方案：形成碳化硅半导体衬底，所述碳化硅半导体衬底具有多个第一掺杂区域，所述第一掺杂区域在在主表面下的横向方向和从主表面延伸到第一掺杂区域上的第三掺杂区域的第二掺杂区域。形成从主表面延伸到第一掺杂区的第四掺杂区。形成栅极沟槽，栅极沟槽具有设置在第一掺杂区域中的一个区域的一部分上的下部。对衬底进行高温处理，使得碳化硅原子沿着沟槽的侧壁重新排列，并且在沟槽中形成圆角。从衬底去除表面层，在高温过程期间沿着栅极沟槽的侧壁形成表面层。选择的图：图1

120. 发明专利

JP2016109678A レーダ信号を処理するための方法および装置有权
标题翻译：用于处理雷达信号的方法和装置
公开(公告)号：JP2016109678A
公开(公告)日：2016-06-20
申请号：JP2015219622
申请日：2015-11-09
申请人：インフィネオンテクノロジーズアーゲー , INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人：イニアース, ロマン , アディソン, デーヴィッド , ヌグラハ, ディアントゥリスナ , ロジェ, アンドレ
IPC分类号： G01S7/32
CPC分类号： G01S13/931 , G01S7/354 , G01S2007/356 , G01S2013/9321 , G01S2013/9332
摘要：【課題】レーダ信号を処理するための方法および装置を提供する。【解決手段】一例は、レーダ信号を処理するための方法に関し、レーダ信号が、少なくとも1つのレーダ・アンテナによって受信されるデジタル化データを含み、この方法は、(i)受信されたデジタル化データに基づいてFFT結果を求めるステップと、(ii)このFFT結果の第1のグループを記憶するステップとを含み、FFT結果のこの第1のグループが、少なくとも2つの部分を含み、FFT結果の第1の部分が第1の確度で記憶され、FFT結果の第2の部分が第2の確度で記憶される。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于处理雷达信号的方法和装置。解决方案：一个例子涉及一种用于处理雷达信号的方法。雷达信号包括由至少一个雷达天线接收的数字化数据。该方法包括：（i）基于所接收的数字化数据确定FFT结果; 和（ii）存储第一组FFT结果。第一组FFT结果包括至少两个部分。以第一精度存储FFT结果的第一部分，并且以第二精度存储FFT结果的第二部分。选择的图示：图4

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