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111. 发明申请

WO2011151116A1 A METHOD FOR DETERMINING THE PERFORMANCE OF A PHOTOLITHOGRAPHIC MASK 审中-公开
标题翻译：一种确定光刻掩模性能的方法
公开(公告)号：WO2011151116A1
公开(公告)日：2011-12-08
申请号：PCT/EP2011/056869
申请日：2011-04-29
申请人： CARL ZEISS SMS GMBH , WAIBLINGER, Markus , BUDACH, Michael , SCHERÜBL, Thomas , BEYER, Dirk
发明人： WAIBLINGER, Markus , BUDACH, Michael , SCHERÜBL, Thomas , BEYER, Dirk
IPC分类号： G01N23/225 , G03F1/00 , G03F1/14 , G01N23/22
CPC分类号： H01J37/28 , G01N23/2208 , G01N23/2251 , G01N2223/072 , G01N2223/079 , G03F1/24 , G03F1/86
摘要： The invention relates to a method for determining a performance of a photolithographic mask at an exposure wavelength with the steps of scanning at least one electron beam across at least one portion of the photolithographic mask, measuring signals generated by the at least one electron beam interacting with the at least one portion of the photolithographic mask, and determining the performance of the at least one portion of the photolithographic mask at the exposure wavelength based on the measured signals.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在曝光波长处确定光刻掩模的性能的方法，其步骤是扫描至少一个电子束穿过光刻掩模的至少一部分，测量由至少一个电子束产生的信号与光刻掩模的至少一部分，并且基于所测量的信号确定曝光波长处的光刻掩模的至少一部分的性能。

112. 发明申请

WO2010034433A1 MICROSCOPE FOR RETICLE INSPECTION WITH VARIABLE ILLUMINATION SETTINGS 审中-公开
标题翻译：用可变照明设置进行检测的显微镜
公开(公告)号：WO2010034433A1
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：PCT/EP2009/006753
申请日：2009-09-18
申请人： CARL ZEISS SMS GMBH , STROESSNER, Ulrich
发明人： STROESSNER, Ulrich
IPC分类号： G03F1/00 , G02B21/00
CPC分类号： G03F1/84 , G02B21/0016 , G02B21/16
摘要： During mask inspection predominantly defects of interest which also occur during wafer exposure. Therefore, the aerial images generated in the resist and on the detector have to be as far as possible identical. In order to achieve an equivalent image generation, during mask inspection the illumination and, on the object side, the numerical aperture are adapted to the scanner used. A further form of mask inspection microscopes serves for measuring the reticles and is also referred to as a registration tool. The illumination is used by the stated conventional and abaxial illumination settings for optimizing the contrast. The accuracy of the registration measurement is thus increased. The invention relates to a mask inspection microscope for variably setting the illumination. It serves for generating an image of the structure (150) of a reticle (145) arranged in an object plane in a field plane of the mask inspection microscope. It comprises a light source (5) that emits projection light, at least one illumination beam path (3, 87, 88), and a first diaphragm for generating a resultant intensity distribution of the projection light in a pupil plane (135) of the illumination beam path (3, 87, 88), that is optically conjugate with respect to the object plane. According to the invention, the mask inspection microscope has at least one further diaphragm for generating the resultant intensity distribution. The first diaphragm and the at least one further diaphragm influence the resultant intensity distribution of the projection light at least partly at different locations of the pupil plane (135).
摘要翻译：在掩模检查期间，主要是在晶片曝光期间也会发生的感兴趣的缺陷。因此，在抗蚀剂和检测器上产生的空中图像必须尽可能相同。为了实现等效图像生成，在掩模检查期间，照明和物体侧的数值孔径适用于所使用的扫描仪。掩模检查显微镜的另一种形式用于测量掩模版，并且也称为配准工具。通过所述常规和背面照明设置使用照明来优化对比度。因此，登记测量的精度增加。本发明涉及一种用于可变地设定照明的掩模检查显微镜。其用于生成布置在掩模检查显微镜的场平面中的物平面中的掩模版（145）的结构（150）的图像。它包括发射投影光的光源（5），至少一个照明光束路径（3,87,88）和第一光阑，用于产生投影光在瞳孔平面（135）中的合成强度分布照明光束路径（3,87,88），其相对于物平面光学共轭。根据本发明，掩模检查显微镜具有至少一个用于产生所得强度分布的另外的膜片。第一光阑和至少一个其它光阑至少部分地影响瞳孔平面（135）的不同位置处的投射光的合成强度分布。

113. 发明申请

WO2009118130A1 MIKROSKOP UND MIKROSKOPIERVERFAHREN ZUR UNTERSUCHUNG EINES REFLEKTIERENDEN OBJEKTES 审中-公开
标题翻译：显微镜和微复制到一个反射对象的研究
公开(公告)号：WO2009118130A1
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：PCT/EP2009/002060
申请日：2009-03-20
申请人： CARL ZEISS SMS GMBH , MANN, Hans-Jürgen
发明人： MANN, Hans-Jürgen
IPC分类号： G21K4/00 , G21K7/00 , G02B21/00
CPC分类号： G02B21/0076 , G02B21/0016 , G03F1/84 , G03F7/70666 , G21K7/00
摘要： Es wird bereitgestellt ein Mikroskop zur Untersuchung eine reflektierenden Objektes (3) in einer Objektebene (OE), wobei das Objekt mit elektromagnetischer Strahlung einer Wellenlange von kleiner als 100 nm beleuchtet wird, das Mikroskop eine Abbildungsoptik (4), die einen beleuchteten Abschnitt des Objektes (3) vergrößert in eine Bildebene (BE) abbildet, aufweist und wobei die Abbildungsoptik (4) eine Spiegeloptik (8), die den Abschnitt in eine Zwischenbildebene (ZE) abbildet, eine in der Zwischenbildebene (ZE) angeordnete Szintillatorschicht (9) und eine der Szintillatorschicht (9) nachgeordnete Vergroßerungsoptik (10), die ein mittels der Szintillatorschicht erzeugtes Zwischenbild vergrößert in die Bildebene (BE) abbildet, umfaßt, wobei die Spiegeloptik (8) genau zwei Spiegel (11, 12) aufweist, die so ausgebildet sind, daß die Zwischenabbildung bildseitig telezentrisch ist.
摘要翻译：提供了一种用于在物平面（OE），其中，与一个波长的电磁辐射，该目的通过小于100nm照射检查反射物体（3）的显微镜，显微镜成像光学器件（4），其具有所述对象的照明部分（3）增加在图像平面（BE）的映射，并且其中，所述成像光学器件（4）包括一个反射透镜（8），该部分映射在一个中间像平面（ZE），一个在中间像平面（ZE）布置闪烁体层（9）和闪烁体层中的一个（9）下游Vergroßerungsoptik（10），其放大由在图像平面中的闪烁体层中间图像产生的图像（BE）的地图,,所述反射镜的光学元件（8）正好两个反射镜（11,12），它们形成该中间图像是图像侧远心的。

114. 发明申请

WO2008025433A2 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR ORTSAUFGELÖSTEN BESTIMMUNG DER PHASE UND AMPLITUDE DES ELEKTROMAGNETISCHEN FELDES IN DER BILDEBENE EINER ABBILDUNG EINES OBJEKTES 审中-公开
标题翻译：方法和装置相位幅值电磁场的局部分辨地确定在图象电平的对象的图片
公开(公告)号：WO2008025433A2
公开(公告)日：2008-03-06
申请号：PCT/EP2007/006873
申请日：2007-08-03
申请人： CARL ZEISS SMS GMBH , PERLITZ, Sascha , WEISSENBERG, Steffen , FÖRSTER, Sandro , SCHERÜBL, Thomas , STRÖSSNER, Ulrich , GROSS, Herbert
发明人： PERLITZ, Sascha , WEISSENBERG, Steffen , FÖRSTER, Sandro , SCHERÜBL, Thomas , STRÖSSNER, Ulrich , GROSS, Herbert
IPC分类号： G01J9/00 , G02B27/46 , G03F1/00
CPC分类号： G01J9/00 , G02B27/46 , G03F1/84
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur ortsaufgelösten Bestimmung der Phase und Amplitude des elektromagnetischen Feldes in der Bildebene einer Abbildung eines Objekts. Dabei werden Bilder erzeugt, indem das Objekt mit kohärentem Licht beleuchtet und in eine Bildebene abgebildet wird, Licht in der Bildebene ortsaufgelöst in Pixeln detektiert wird, wobei für jedes Pixel die Intensität des Lichtes bestimmt, in Bildpunkten gespeichert und die Bildpunkte einem Bild zugeordnet werden. Es wird zunächst ein erstes und dann mindestens ein weiteres Bild erzeugt, wobei die Phase und/oder die Amplitude des Lichts in vorgegebener Weise modifiziert wird und sich die Modifikation für ein jedes Bild von denen für die übrigen Bilder unterscheidet. Aus den erzeugten Bildern wird ortsaufgelöst die Phase in der Abbildung des Objekts in der Bildebene bestimmt. Die Erfindung betrifft auch eine Vorrichtung zur Umsetzung des Verfahrens. Bei einem solchen Verfahren wird die Phase und/oder die Amplitude des Lichts durch eine Ortsfrequenzfilterung in einer Pupillenebene zwischen Objekt und Bildebene modifiziert.
摘要翻译：本发明涉及一种用于相和电磁场的振幅在图像平面上的物体的图像的空间分辨的判定的方法。在这种情况下，图像由物体形成被照射相干光，并在图像平面空间分辨以像素为单位被检测到的光的像面上成像，确定光的每个像素的强度，存储在的像素，并且与图像的像素相关联。它最初是第一，然后产生至少另一张照片，其中，所述光的相位和/或幅度被以预定的方式修改，并且为每个图像的变形是从那些对其他影像不同。从所生成的图像在空间分辨的方式被确定在图像平面上的物体的图像的相位。本发明还涉及用于实现该方法的装置。在这样的方法中，光的相位和/或幅度是由空间频率滤波的对象和像面之间的光瞳面改性。

115. 发明申请

WO2007045501A1 CHARGED PARTICLE SYSTEM 审中-公开
标题翻译：充电颗粒系统
公开(公告)号：WO2007045501A1
公开(公告)日：2007-04-26
申请号：PCT/EP2006/010158
申请日：2006-10-20
申请人： CARL ZEISS SMS GMBH , BUSCHBECK, Herbert , PLATZGUMMER, Elmar , STENGL, Gerhard , VONACH, Herbert
发明人： BUSCHBECK, Herbert , PLATZGUMMER, Elmar , STENGL, Gerhard , VONACH, Herbert
IPC分类号： H01J37/147 , H01J37/317 , H01J37/21
CPC分类号： H01J37/3174 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/147 , H01J37/21 , H01J2237/0492 , H01J2237/24578
摘要： A charged particle system comprises a particle source for generating a beam of charged particles and a particle-optical projection system. The particle-optical projection system comprises a focusing first magnetic lens (403) comprising an outer pole piece (411) having a radial inner end (411’), and an inner pole piece (412) having a lowermost end (412’) disposed closest to the radial inner end of the outer pole piece, a gap being formed by those; a focusing electrostatic lens (450) having at least a first electrode (451) and a second electrode (450) disposed in a region of the gap; and a controller (C ) configured to control a focusing power of the first electrostatic lens based on a signal indicative of a distance of a surface of a substrate from a portion of the first magnetic lens disposed closest to the substrate.
摘要翻译：带电粒子系统包括用于产生带电粒子束的粒子源和粒子光学投影系统。粒子光学投影系统包括聚焦第一磁性透镜（403），其包括具有径向内端（411'）的外极片（411）和设置有最下端（412'）的内极片（412）最靠近外极片的径向内端的间隙由它们形成; 具有至少设置在所述间隙的区域中的第一电极（451）和第二电极（450）的聚焦静电透镜（450）以及控制器（C），被配置为基于表示基板的表面距离最靠近基板设置的第一磁性透镜的部分的距离的信号来控制第一静电透镜的聚焦能力。

116. 发明申请

WO2007025746A1 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR INTERFEROMETRISCHEN MESSUNG VON PHASENMASKEN 审中-公开
标题翻译：设备和方法测量干涉相位面具
公开(公告)号：WO2007025746A1
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：PCT/EP2006/008502
申请日：2006-08-31
申请人： CARL ZEISS SMS GMBH , HAIDNER, Helmut , WEGMANN, Ulrich
发明人： HAIDNER, Helmut , WEGMANN, Ulrich
IPC分类号： G01J9/02 , G01B9/02
CPC分类号： G01J9/02 , G01J9/0215 , G03F1/26 , G03F1/84 , G03F7/70283 , G03F7/70591
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein entsprechendes Verfahren zur interferometrischen Messung von Phasenmasken, insbesondere aus der Lithographie. Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung zur interferometrischen Messung von Phasenmasken (4) wird die durch eine Kohärenzmaske (1 ) durchtretende Strahlung durch ein Beugungsgitter (3) zur Interferenz gebracht, wobei in oder nahe der Pupillenebene der ersten Abbildungsoptik (2) eine Phasenmaske (4) angeordnet wird, die in x-y-Richtung exakt positionierbar ist, von der durch translatorische Verschiebung der Kohärenzmaske (1 ) oder des Beugungsgitters (3) in x-y-Richtung phasengeschobene Interferogramme erzeugt und über eine zweite Abbildungsoptik (5) auf den ortsauflösenden Detektor (6) abgebildet und von einer Auswerteeinheit die Phasen- und Transmissionsfunktion der Phasenmaske bestimmt werden. Obwohl die vorgeschlagene Lösung insbesondere zur interferometrischen Messung von photolithografischen Phasenmasken vorgesehen ist, kann die Lösung natürlich allgemein auf planare Phasenobjekte, wie beispielsweise biologische Strukturen angewendet werden, wobei sich hierbei Anknüpfungspunkte zu einem Interferenzmikroskop ergeben.
摘要翻译：本发明涉及一种设备，并从用于光刻相位掩模的干涉测量的相应的方法，尤其如此。在由相干掩模（1）通过辐射通过衍射使光栅（3）带到干扰对相位掩膜（4）的干涉测量本发明的装置，由此在或第一成像光学系统的光瞳平面附近（4），其布置的相位掩模（2）的是，精确地定位在由相干掩模（1）的平移位移的XY方向或衍射光栅（3）在xy方向上的相位产生移动的并经由空间分辨检测器上的第二成像光学元件（5）干涉（6）准备和由相位掩模的评估阶段和传输函数来确定。虽然提出的解决方案是特别提供了一种用于相光刻掩模的干涉测量，溶液可以，当然，通常，与此导致平面相的物体，如生物结构被施加到干涉显微镜的点。

117. 发明申请

WO2005062084A1 ELEMENT ZUR SPEKTRALSELEKTIVEN STRAHLFÜHRUNG IN OPTISCHEN GERÄTEN 审中-公开
标题翻译：元用于光学设备光谱BEAM领导
公开(公告)号：WO2005062084A1
公开(公告)日：2005-07-07
申请号：PCT/EP2004/014316
申请日：2004-12-16
申请人： CARL ZEISS SMS GMBH , STEINER, Reinhard , DOBSCHAL, Hans-Jürgen , ENGEL, Thomas
发明人： STEINER, Reinhard , DOBSCHAL, Hans-Jürgen , ENGEL, Thomas
IPC分类号： G02B5/18
CPC分类号： G02B27/145 , G01J3/10 , G01J3/18 , G01J2003/1282 , G02B5/203 , G02B27/1086
摘要： Das Element zur spektralselektiven Strahlführung dient der Ausfilterung breitbandiger bis zu extrem schmalbandiger Verteilungen aus den Emissionsspektren von Beleuchtungssystemen. Das erfindungsgemäße Element besteht aus einem zumindest teilweise transparenten Trägersubstrat mit ein oder zwei spektralselektiven Schichten, bei dem eine erste spektralselektive Schicht als diffraktive Beugungsstruktur und die mögliche zweite spektralselektive Schicht als Spiegelschicht oder ebenfalls als diffraktive Beugungsstruktur ausgeführt sind, wobei die diffraktive Beugungsstruktur(en) jeweils für mindestens ein schmalbandiges Spektrum und die Spiegelschicht für mindestens ein weiteres Spektrum reflektiv wirken und die aus dem Emissionsspektrum selektierten Spektren in die gleiche Richtung reflektiert werden. Durch Kombination der Elemente sind die unterschiedlichsten spektralen Verteilungen selektierbar. Derartige Anordnungen sind außer in Mikroskopen, auch in Projektionssystemen, in Beleuchtungssystemen für Fluoreszenzlicht-Anwendungen und Photometrie, als dichroitische Strahlteilersysteme und bei Umkehrung der Strahlrichtung bei Systemen zur Überlagerung von Strahlen oder aber auch in Systemen zur Spektralanalyse anwendbar.
摘要翻译：用于光谱选择性束引导元件用于过滤宽带照明系统的发射光谱的极窄的频带分布。根据本发明的元件由与一个或两个光谱选择性层中每种情况下至少部分透明的载体衬底，其中，第一光谱选择性层作为衍射图案和可能的第二光谱选择层作为反射层，或者也可以作为衍射图案被执行，其中，所述衍射图案（多个）的用于至少一个窄带谱和用于至少另一范围行为反射性，并从发射光谱的光谱选择的镜层，反映在相同的方向。通过组合的各种各样的光谱分布的元件是可选择的。这种安排，除了在显微镜，同样在投影系统，在用于荧光灯的应用程序和测光，作为二向色分束器系统的照明系统和在逆转在光束的叠加系统的光束的方向，或者在用于光谱适用的系统。

118. 发明申请

WO2005024881A2 PARTICLE-OPTICAL SYSTEMS AND ARRANGEMENTS AND PARTICLE-OPTICAL COMPONENTS FOR SUCH SYSTEMS AND ARRANGEMENTS 审中-公开
标题翻译：颗粒光学系统和安排以及这种系统和安排的颗粒光学部件
公开(公告)号：WO2005024881A2
公开(公告)日：2005-03-17
申请号：PCT/US2004/029079
申请日：2004-09-07
申请人： CARL ZEISS SMS GMBH , APPLIED MATERIALS ISRAEL , KNIPPELMEYER, Rainer , KIENZLE, Oliver , KEMEN, Thomas , MUELLER, Heiko , UHLEMANN, Stephan , HAIDER, Maximilian , CASARES, Antonio , ROGERS, Steven
发明人： KNIPPELMEYER, Rainer , KIENZLE, Oliver , KEMEN, Thomas , MUELLER, Heiko , UHLEMANN, Stephan , HAIDER, Maximilian , CASARES, Antonio , ROGERS, Steven
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J37/04 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/09 , H01J37/10 , H01J37/14 , H01J37/153 , H01J37/28 , H01J37/3007 , H01J37/3177 , H01J2237/0435 , H01J2237/0453 , H01J2237/047 , H01J2237/04735 , H01J2237/04756 , H01J2237/06 , H01J2237/14 , H01J2237/2817 , H01J2237/31774
摘要： A particle-optical arrangement comprises a charged-particle source for generating a beam of charged particles; a multi-aperture plate arranged in a beam path of the beam of charged particles, wherein the multi-aperture plate has a plurality of apertures formed therein in a predetermined first array pattern, wherein a plurality of charged-particle beamlets is formed from the beam of charged particles downstream of the multi-aperture plate, and wherein a plurality of beam spots is formed in an image plane of the apparatus by the plurality of beamlets, the plurality of beam spots being arranged in a second array pattern; and a particle-optical element for manipulating the beam of charged particles and/or the plurality of beamlets; wherein the first array pattern has a first pattern regularity in a first direction, and the second array pattern has a second pattern regularity in a second direction electron-optically corresponding to the first direction, and wherein the second regularity is higher than the first regularity.
摘要翻译：粒子光学装置包括用于产生带电粒子束的带电粒子源; 布置在带电粒子束的光束路径中的多孔板，其中多孔板具有以预定的第一阵列图案形成在其中的多个孔，其中多个带电粒子子束由束形成在多孔板下游的带电粒子，并且其中通过所述多个子束在所述装置的图像平面中形成多个束斑，所述多个束斑以第二阵列图案布置; 以及用于操纵带电粒子束和/或多个子束的粒子光学元件; 其中所述第一阵列图案在第一方向上具有第一图案规则性，并且所述第二阵列图案在与所述第一方向对应的电子 - 光学上的第二方向上具有第二图案规则性，并且其中所述第二规则性高于所述第一规则性。

119. 发明申请

WO2016005420A1 VERFAHREN ZUR LOKALISIERUNG VON DEFEKTEN AUF SUBSTRATEN 审中-公开
标题翻译：用于确定有缺陷的位置上的底物
公开(公告)号：WO2016005420A1
公开(公告)日：2016-01-14
申请号：PCT/EP2015/065542
申请日：2015-07-08
申请人： CARL ZEISS SMS GMBH , CARL ZEISS AG
发明人： PETERS, Jan Hendrik , BLUMRICH, Frederik , SEIDEL, Dirk , HUSEMANN, Christoph
IPC分类号： G03F1/84
CPC分类号： G03F1/84 , G01N21/33 , G01N21/88 , G03F1/22
摘要： Bei einem Verfahren zur Lokalisierung von Defekten (31) auf einem Substrat (2) für EUV-Masken wird zur Untersuchung des Substrats (2) eine Phasenkontrastoptik mit einer Phasenmaske (11) eingesetzt.
摘要翻译：在用于构成的基板（2），用于EUV掩模相差光学用相位掩模上的缺陷（31）位置的方法（11）被用来研究在基板（2）。

120. 发明申请

WO2014202517A2 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM AUTOMATISIERTEN BESTIMMEN EINES REFERENZPUNKTES EINER AUSRICHTUNGSMARKIERUNG AUF EINEM SUBSTRAT EINER PHOTOLITHOGRAPHISCHEN MASKE 审中-公开
标题翻译： METHOD AND APPARATUS FOR AUTOMATED确定登记号码的一个参考点ON A SUBSTRATE光刻掩模
公开(公告)号：WO2014202517A2
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：PCT/EP2014/062533
申请日：2014-06-16
申请人： CARL ZEISS SMS GMBH
发明人： BUDACH, Michael , SCHÖNBERGER, Ralf , JÖST, Michael
IPC分类号： G03F9/00
CPC分类号： G01B11/14 , G03F7/70141 , G03F9/7007 , G03F9/7088
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum automatisierten Bestimmen eines Referenzpunktes einer Ausrichtungsmarkierung auf einem Substrat einer photolithographischen Maske, das die folgenden Schritte aufweist: (a) Durchführen eines ersten Linienscans innerhalb eines Startbereichs des Substrats in einer ersten Richtung auf einer Oberfläche des Substrats, wobei die Ausrichtungsmarkierung innerhalb des Startbereichs angeordnet ist, zum Auffinden eines ersten Elements der Ausrichtungsmarkierung; (b) Durchführen eines zweiten Linienscans innerhalb des Startbereichs in zumindest einer zweiten Richtung auf der Oberfläche des Substrats, welche die ersten Richtung schneidet, zum Auffinden eines zweiten Elements der Ausrichtungsmarkierung; (c) Abschätzen des Referenzpunktes der Ausrichtungsmarkierung aus dem aufgefundenen ersten Element und dem aufgefundenen zweiten Element der Ausrichtungsmarkierung; und (d) Abbilden eines Zielbereichs um den abgeschätzten Referenzpunkt der Ausrichtungsmarkierung herum zum Bestimmen des Referenzpunktes der Ausrichtungsmarkierung, wobei das Abbilden mit einer höheren Auflösung erfolgt als das Durchführen der Linienscans in den Schritten (a) und (b).
摘要翻译：本发明涉及自动确定光刻掩模的衬底上的对准标记的参考点，其包含以下步骤的方法：（a）所述基材的起始范围内以第一方向在基板的一个表面上执行第一线扫描，其中，所述对准标记设置用于定位的第一构件的对准标记的开始区域内; （B）在至少一个第二方向上的衬底的表面上的启动区域内执行的第二扫描线，相交的第一方向上，以定位对准标记的第二元素; （C）估计从所述检索到的第一元件和对准标记的发现第二元件的对准标记的参考点; 和（d）成像围绕对准标记的估计出的基准点的目标区域周围，用于确定对准标记的参考点，其中以更高的分辨率比确实在步骤执行行扫描的映射的（a）和（b）。

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