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101. 发明公开

CN1675763A 使用碳纳米管和CVD增加热界面的导热率失效
公开(公告)号：CN1675763A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN03818825.2
申请日：2003-06-10
申请人：英特尔公司
发明人：戴维·德洛伦佐 , 斯蒂芬·蒙哥马利 , 罗伯特·法特
IPC分类号： H01L23/373
CPC分类号： H01L23/3732 , B82Y10/00 , H01L23/373 , H01L2924/0002 , Y10S977/833 , Y10T428/24975 , Y10T428/30 , H01L2924/00
摘要：本发明涉及形成集成电路封装的结构和方法，所述封装使用了热界面材料层，所述热界面材料层具有附着到所述层表面的定向排列碳纳米管阵列。所述热界面材料是通过化学气相沉积法沉积的金刚石。碳纳米管通过等离子放电方法形成在CVDD表面上，并且还可以形成在管芯的表面上。

102. 发明公开

CN1554120A 具有大容量热接触面的电子组件及其制造方法失效复审申请
公开(公告)号：CN1554120A
公开(公告)日：2004-12-08
申请号：CN01822648.5
申请日：2001-11-20
申请人：英特尔公司
发明人： G·M·克莱斯勒 , A·A·瓦特维
IPC分类号： H01L23/433 , H01L23/373
CPC分类号： H01L23/36 , H01L23/3732 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32245 , H01L2224/73253 , H01L2924/01046 , H01L2924/01055 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/16195 , H01L2924/00
摘要：为了与高性能集成电路相关的高功率密度相适应，集成电路封装包括一种散热结构，其中热从一个或多个管芯(40)的表面通过由金刚石、合成金刚石或石墨形成的大容量热接触面(110)散热到集成散热器(IHS)。在一个实施例中，在IHS(122)上生长一金刚石层。在另一个实施例中，金刚石层被单独形成并附着到IHS。本发明还说明了制造方法以及该封装在电子组件和电子系统中的应用。

103. 发明公开

CN1499620A 散热器和使用了该散热器的半导体元件和半导体封装体失效
公开(公告)号：CN1499620A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN200310114841.7
申请日：2003-11-07
申请人：株式会社神户制钢所
发明人：橘武史 , 林和志 , 井上宪一 , 横田嘉宏 , 小桥宏司 , 川上信之 , 古保里隆
IPC分类号： H01L23/373
CPC分类号： H01L23/3732 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
摘要：本发明提供一种散热器和使用了该散热器的半导体元件和半导体封装体。在本发明的带有散热器的半导体元件和半导体封装体中，在半导体元件的背面上直接接合了由金刚石层或碳化硅和氮化铝等的陶瓷层构成的具有高热传导特性的散热器。在半导体元件的制作工序前、工序中或工序后的任一过程中，将该散热器直接覆盖并形成在作为基体材料的硅晶片或芯片上。利用这样的结构使半导体元件的散热特性良好，同时可一同提高半导体元件的安装可靠性和散热片的接合可靠性。此外，在本发明的散热器中，经高分子粘接层将金属或陶瓷构件覆盖在金刚石层上。金刚石层的结晶在金刚石层的厚度方向上具有纤维状结构或微结晶。金刚石层的与该由金属或陶瓷构成的构件的接合面具有纤毛状结构。该结构作为半导体封装体的冷却散热器，其散热特性极为良好，其本身具有足够的强度、平面性和气密性，而且与半导体元件和陶瓷等的构成封装体本体的密封材料的粘接性是良好的。

104. 发明公开

CN1465096A 散热片及其制造方法失效
公开(公告)号：CN1465096A
公开(公告)日：2003-12-31
申请号：CN02802276.9
申请日：2002-05-15
申请人：德山株式会社
发明人：东正信
IPC分类号： H01L23/36
CPC分类号： H01L23/3731 , H01L21/4882 , H01L23/3732 , H01L23/3735 , H01L2924/0002 , Y10T29/4935 , H01L2924/00
摘要：本文中公开了一种散热片，它包含绝缘的陶瓷基片，以及叠加在该基片的顶面上、用于在其上放置元件的金刚石膜，该散热片具有极好的热辐射特性并能稳定地使用。该散热片通过以下步骤得到：提供含有高热导率的氮化铝作为主要成分的陶瓷基片；在基片上形成接合部件层，比如能与基片和金刚石膜接合的硅膜；以及在接合部件层上形成高质量的多晶金刚石膜，使得多晶金刚石膜根据例如汽相法，通过插在它们之间的接合部件层与基片牢固地接合。

105. 发明公开

CN1313023A 热控制器件以及制造这种器件的方法失效转让
公开(公告)号：CN1313023A
公开(公告)日：2001-09-12
申请号：CN99809437.4
申请日：1999-07-08
申请人：欧洲原子能研究组织 , 玛丽皇后和威斯特-弗尔德学院
发明人： A·甘迪 , R·德欧利维拉 , A·A·卡特尔
IPC分类号： H05K1/05
CPC分类号： H01L23/373 , H01L23/3732 , H01L23/3733 , H01L2924/0002 , H05K1/056 , H05K3/445 , H05K3/4644 , H05K2201/0323 , H05K2201/09609 , Y10S428/901 , Y10T428/12347 , Y10T428/30 , H01L2924/00
摘要：一种热控制器件(13),包含包封在包封材料(12)中的改善所述碳强度的各向异性的碳(10)。所述包封材料可以是聚酰亚胺或环氧树脂或丙烯酸或聚氨酯或聚酯(12)或任何其它合适的聚合物。

106. 发明公开

CN1202983A 半导体器件及其制造方法以及装配基板无效
公开(公告)号：CN1202983A
公开(公告)日：1998-12-23
申请号：CN96198629.8
申请日：1996-09-27
申请人：株式会社日立制作所
发明人：柴本正训 , 一谷昌弘 , 春田亮 , 松本雄行 , 有田顺一 , 安生一郎
IPC分类号： H01L23/40 , H01L23/36 , H05K7/20
CPC分类号： H01L24/50 , H01L23/13 , H01L23/16 , H01L23/24 , H01L23/293 , H01L23/3128 , H01L23/34 , H01L23/36 , H01L23/3672 , H01L23/3675 , H01L23/3732 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L23/3737 , H01L23/49572 , H01L23/49816 , H01L23/4985 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/29144 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/73269 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01058 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/15312 , H01L2924/1532 , H01L2924/16195 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H01L2924/0105 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2224/45099
摘要：一种半导体器件,其特征是:半导体芯片(1)是用接合金属(2)粘接到由热膨胀系数与半导体芯片(1)相近的材料构成的热沉(4)的一个面上的;热沉(4)是用弹性模数小于10MPa的硅有机树脂(硅酮)粘接剂(5)粘接到框体(3)上的;在框体(3)上中介环氧树脂粘接剂(6)粘接有TAB载带(9);半导体芯片(1)由弹性模数大于10GPa的密封环氧树脂(8)密封,以保护其不受环境的影响。

107. 发明公开

KR1020170106645A 다결정성 CVD 다이아몬드를 포함하는 화합물 반도체 구조물 审中-实审
标题翻译：包括多晶CVD金刚石的化合物半导体结构
公开(公告)号：KR1020170106645A
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：KR1020177016849
申请日：2015-12-09
申请人： 알에프에이치아이씨 주식회사
发明人： 로우,프랭크얀티스 , 프랜시스,다니엘 , 나세르-파이리,피루즈 , 트위첸,다니엘제임스
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L23/3732 , H01L21/02115 , H01L21/02271 , H01L21/02304 , H01L21/0237 , H01L21/02376 , H01L21/02444 , H01L21/02527 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L29/2003 , H01L29/7787
摘要： 단결정화합물반도체물질의층; 및다결정성 CVD 다이아몬드물질의층을포함하고, 여기서다결정성 CVD 다이아몬드물질의층이, 두께가 25nm 미만이고두께변화가 15nm 이하인결합층을통해단결정화합물반도체물질의층에결합하며, 여기서단결정화합물반도체물질의층과다결정성 CVD 다이아몬드물질의층 사이의경계면에서일시적인열반사율에의해측정된유효열 경계저항(TBR)이반도체장치구조물을따라측정된 12mK/GW 이하의변화를갖는 25mK/GW 미만이며, 여기서단결정화합물반도체물질의층은적어도 1200cmVs의전하이동도; 및 700 Ω/스퀘어(square) 이하의시트저항(sheet resistance)의특성들중의하나또는둘 다를갖는반도체장치구조물이개시된다.
摘要翻译：一层单晶化合物半导体材料; Mitda包括结晶CVD金刚石材料，其中，多晶CVD金刚石材料的层，其厚度被结合到单晶化合物半导体材料的超过25nm的比厚度变化为15nm结合层，其中，所述单晶化合物半导体小于和大于该层的层小于25mK / GW具有在结晶的层通过瞬时热反射率在CVD金刚石材料抗性（TBR）根据材料的伊凡导体器件结构测量在12mK / GW或更小的变化的层之间的界面处测量一个yuhyoyeol边界，其中单晶化合物半导体材料层具有至少1200cmVs的电荷迁移率; 并且700Ω/平方或更小的表面电阻特性中的一个或两个。

108. 发明授权

KR101617601B1 흡열 및/또는 단열 조성물로 조립된 전자 장치 有权
标题翻译： /用热吸收和/或热绝缘组合物组装的电子器件
公开(公告)号：KR101617601B1
公开(公告)日：2016-05-02
申请号：KR1020157026697
申请日：2014-03-14
申请人： 헨켈 아이피 앤드 홀딩 게엠베하
发明人： 브랜디,제이슨 , 바리오,에밀리 , 우웬,미엔.
IPC分类号： G06F1/20 , H01L23/373 , H01L23/42 , H01L23/427
CPC分类号： G06F1/203 , H01L23/373 , H01L23/3732 , H01L23/3736 , H01L23/3737 , H01L23/42 , H01L23/427 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 흡열및/또는단열조성물이제공된다. 흡열및/또는단열조성물은기판상으로또는두 장의기판사이에분배될수 있다. 기판(들)은지지체로작용하거나히트스프레더로작용할수 있으며, 이경우에지지체는금속또는금속-코팅된중합체성기판인전도성재료또는흑연으로구성될수 있다.

109. 发明公开

KR1020130091468A 다이아몬드 열방산체 및 그 제조방법 有权
标题翻译：金刚石热膨胀器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130091468A
公开(公告)日：2013-08-19
申请号：KR1020120012767
申请日：2012-02-08
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 백영준 , 박종극 , 이욱성
IPC分类号： H01L23/373
CPC分类号： H01L23/3732 , H01L21/0337 , H01L21/205 , H01L21/449
摘要： PURPOSE: A diamond heat spreader and a manufacturing method thereof are provided to maximize heat conductivity by increasing a ratio of columnar particles which are horizontally arranged on a substrate. CONSTITUTION: The cross section of a diamond crystal structure has a radial columnar structure. Columnar particles are radially arranged on the radial columnar structure. Each radial columnar structure is grown around a seed point by a chemical vapor deposition process. The seed point is locally formed on the substrate. Diamond particles are separately arranged on the substrate. [Reference numerals] (AA) Radial columnar tissue; (BB) Diamond columnar particle; (CC) Grain boundary; (DD) Substrate; (EE) Seed point
摘要翻译：目的：提供一种金刚石散热器及其制造方法，以通过增加水平布置在基板上的柱状颗粒的比例来最大限度地提高导热性。构成：金刚石晶体结构的横截面具有径向柱状结构。柱状颗粒径向布置在径向柱状结构上。每个径向柱状结构通过化学气相沉积工艺在种子点附近生长。种子点局部形成在基底上。金刚石颗粒分别布置在基底上。（标号）（AA）径向柱状组织; （BB）金刚石柱状颗粒; （CC）谷物边界; （DD）基材; （EE）种子点

110. 发明授权

KR101237578B1 열전도율이 높은 금속기질 복합체 有权
标题翻译：高导热金属基复合材料
公开(公告)号：KR101237578B1
公开(公告)日：2013-02-26
申请号：KR1020067006434
申请日：2004-09-23
申请人： 머티리얼즈 앤드 일렉트로케미칼 리써치 코포레이션
发明人： 피카드사이언엠. , 위더스제임스시. , 라우트피라오프오.
IPC分类号： C22C26/00
CPC分类号： H01L23/3732 , C22C26/00 , C22C2001/1073 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , Y10T428/12181 , Y10T428/12903 , Y10T428/254 , Y10T428/259 , Y10T428/30 , Y10T428/31678 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 열전도율이 높은 금속기질 복합체에 관한 것으로, 구체적으로는 CVR(chemical vapor reaction) 과정으로 얇은 β-SiC 표면변환층이 형성된 다이아몬드 입자들을 함유한 복합체에 관한 것이다. 이들 입자들의 SiC 코팅은 확산변환 경계면 없이 축적되는 SiC/코팅과는 반대로 반응층이나 등급층으로 존재하고, 다이아몬드 표면에 대한 SiC의 화학증착과 같은 코팅공정으로 얻어진다. 본 발명은 다이아몬드 입자들이 금속기질내에 분산되어 있는 복합체를 제공하되, 이들 다이아몬드 입자 표면에는 베타-SiC가 화학적으로 결합되어 있으며, SiC의 카본은 이것이 결합된 다이아몬드 입자내의 다이아몬드에서 생긴다.

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