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101. 发明专利

TW201706466A 生菌劑的被吞噬能力的評估方法及利用該評估方法之篩選方法审中-公开
简体标题：生菌剂的被吞噬能力的评估方法及利用该评估方法之筛选方法
公开(公告)号：TW201706466A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105108160
申请日：2016-03-16
申请人：國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY , 明治股份有限公司 , MEIJI CO., LTD.
发明人：北澤春樹 , KITAZAWA, HARUKI , 麻生久 , ASO, HISASHI , 牧野聖也 , MAKINO, SEIYA , 狩野宏 , KANO, HIROSHI
IPC分类号： C40B30/06 , A61K35/74 , A23K10/16
CPC分类号： A61K35/747 , C12N1/20 , C12Q1/06
摘要：本發明提供一種均等的生菌劑的被吞噬能力的評估方法，其是在細胞層級中較為正確的生菌劑的被吞噬能力評估方法，同時能以無須負擔龐大的外科手術等的方法來簡易地在較接近生物體內狀態下進行評估。本發明是一種生菌劑的被吞噬能力的評估方法，其包含使生菌劑接觸細胞之步驟，該細胞未曾接觸細菌並具有吞噬作用。
简体摘要：本发明提供一种均等的生菌剂的被吞噬能力的评估方法，其是在细胞层级中较为正确的生菌剂的被吞噬能力评估方法，同时能以无须负担庞大的外科手术等的方法来简易地在较接近生物体内状态下进行评估。本发明是一种生菌剂的被吞噬能力的评估方法，其包含使生菌剂接触细胞之步骤，该细胞未曾接触细菌并具有吞噬作用。

102. 发明专利

TW201705565A 磁阻效應元件及磁性記憶體审中-公开
简体标题：磁阻效应组件及磁性内存
公开(公告)号：TW201705565A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105122469
申请日：2016-07-15
申请人：國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：佐藤英夫 , SATO, HIDEO , 池田正二 , IKEDA, SHOJI , 伯斯威勒瑪休斯 , BERSWEILER, MATHIAS , 本庄弘明 , HONJOU, HIROAKI , 渡部杏太 , WATANABE, KYOTA , 深見俊輔 , FUKAMI, SHUNSUKE , 松倉文礼 , MATSUKURA, FUMIHIRO , 伊藤顕知 , ITO, KENCHI , 丹羽正昭 , NIWA, MASAAKI , 遠藤哲郎 , ENDOH, TETSUO , 大野英男 , OHNO, HIDEO
IPC分类号： H01L43/08 , H01L21/8239
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/161 , H01F10/16 , H01F10/32 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01L27/105 , H01L27/222 , H01L29/82 , H01L43/10
摘要：本發明的課題在於實現藉由微型化而被高積體化之大容量的磁性記憶體。本發明提供一種磁阻效應元件及使用了該磁阻效應元件之磁性記憶體，該磁阻效應元件具備：第1磁性層(25)，磁化方向為膜表面垂直方向；第1非磁性層(13)，相鄰設置於第1磁性層(25)；及第2磁性層(12)，相鄰設置於第1磁性層(25)的與第1非磁性層(13)相反的一側，且磁化方向為膜表面垂直方向，第1磁性層(25)包含至少一種Co、Fe、Ni、Mn等3d強磁性過渡金屬元素，在與第1非磁性層(13)的界面具有使界面磁各向導性能量密度(Ki)增大之功能，第2磁性層(12)包含至少一種Co、Fe、Ni、Mn等3d強磁性過渡金屬元素，與第1磁性層(25)的飽和磁化(Ms)相比為較低的飽和磁化。
简体摘要：本发明的课题在于实现借由微型化而被高积体化之大容量的磁性内存。本发明提供一种磁阻效应组件及使用了该磁阻效应组件之磁性内存，该磁阻效应组件具备：第1磁性层(25)，磁化方向为膜表面垂直方向；第1非磁性层(13)，相邻设置于第1磁性层(25)；及第2磁性层(12)，相邻设置于第1磁性层(25)的与第1非磁性层(13)相反的一侧，且磁化方向为膜表面垂直方向，第1磁性层(25)包含至少一种Co、Fe、Ni、Mn等3d强磁性过渡金属元素，在与第1非磁性层(13)的界面具有使界面磁各向导性能量密度(Ki)增大之功能，第2磁性层(12)包含至少一种Co、Fe、Ni、Mn等3d强磁性过渡金属元素，与第1磁性层(25)的饱和磁化(Ms)相比为较低的饱和磁化。

103. 发明专利

TW201633518A 光感測器及其之訊號讀出方法以及固體攝像裝置及其之訊號讀出方法审中-公开
简体标题：光传感器及其之信号读出方法以及固体摄像设备及其之信号读出方法
公开(公告)号：TW201633518A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104137743
申请日：2015-11-16
申请人：國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：須川成利 , SUGAWA, SHIGETOSHI , 黒田理人 , KURODA, RIHITO , 若嶋駿一 , WAKASHIMA, SHUNICHI
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/369 , H04N5/374
CPC分类号： H04N5/3559 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/14612 , H01L27/14656 , H01L27/14689 , H01L28/40 , H01L29/78 , H04N5/357 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/37452 , H04N5/378
摘要：本發明之其中一個課題，係在於提供一種對於產業之更進一步的發展以及實現更為安心、安全之社會一事能夠發揮極大之貢獻的光感測器及固體攝像裝置以及該些之訊號讀出方法驅動。本發明之解決手段的其中一者，係為一種光感測器，其係具備有受光元件、和積蓄電荷之積蓄電容、以及用以將藉由被輸入至前述受光元件中之光所產生的電荷傳輸至前述積蓄電容中之傳輸開關，前述積蓄電容，係為浮動擴散電容和橫型溢流積蓄電容(Lateral Overflow Integration Capacitor)，前述傳輸開關，係為非LDD、MOS電晶體，並且係為其之汲極區域中的雜質濃度之減少50%的濃度。
简体摘要：本发明之其中一个课题，系在于提供一种对于产业之更进一步的发展以及实现更为安心、安全之社会一事能够发挥极大之贡献的光传感器及固体摄像设备以及该些之信号读出方法驱动。本发明之解决手段的其中一者，系为一种光传感器，其系具备有受光组件、和积蓄电荷之积蓄电容、以及用以将借由被输入至前述受光组件中之光所产生的电荷传输至前述积蓄电容中之传输开关，前述积蓄电容，系为浮动扩散电容和横型溢流积蓄电容(Lateral Overflow Integration Capacitor)，前述传输开关，系为非LDD、MOS晶体管，并且系为其之汲极区域中的杂质浓度之减少50%的浓度。

104. 发明专利

TW201631307A 濃度測定方法审中-公开
简体标题：浓度测定方法
公开(公告)号：TW201631307A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW104131476
申请日：2015-09-23
申请人：國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：須川成利 , SUGAWA, SHIGETOSHI , 黒田理人 , KURODA, RIHITO
IPC分类号： G01N21/17 , G01N21/25
CPC分类号： G01N21/31 , A61B5/1112 , A61B5/1122 , A61B5/14532 , A61B5/14535 , A61B5/14546 , A61B5/1455 , A61B5/1477 , A61B5/4227 , A61B5/6898 , A61B2505/07 , G01N21/3151 , G01N21/35 , G01N2021/3159 , G01N2021/3181
摘要：提供一種能夠藉由簡易之手段而直到極微量區域之濃度為止地來以非破壞性並正確且迅速地測定出特定之化學成分的濃度之濃度測定方法、以及能夠正確且迅速地一直到奈尺度之極微量濃度區域均以即時性而測定出來並能夠以各種態樣和型態而具體化的萬能性之濃度測定方法。將相對於被測定對象而光吸收率為相異之第1波長之光和第2波長之光，對於被測定對象而分別以分時(time sharing)法進行照射，將起因於各波長之光之該照射所致的光學性中介於被測定對象而來之各波長之光，藉由共通的受光感測器而受光，形成因應於該受光而從前述受光感測器所輸出的關連於第1波長之光之訊號和關連於第2波長之光之訊號之兩者間的差動訊號，基於該差動訊號，來導出在被測定對象中的化學成分之濃度。
简体摘要：提供一种能够借由简易之手段而直到极微量区域之浓度为止地来以非破坏性并正确且迅速地测定出特定之化学成分的浓度之浓度测定方法、以及能够正确且迅速地一直到奈尺度之极微量浓度区域均以实时性而测定出来并能够以各种态样和型态而具体化的万能性之浓度测定方法。将相对于被测定对象而光吸收率为相异之第1波长之光和第2波长之光，对于被测定对象而分别以分时(time sharing)法进行照射，将起因于各波长之光之该照射所致的光学性中介于被测定对象而来之各波长之光，借由共通的受光传感器而受光，形成因应于该受光而从前述受光传感器所输出的关连于第1波长之光之信号和关连于第2波长之光之信号之两者间的差动信号，基于该差动信号，来导出在被测定对象中的化学成分之浓度。

105. 发明专利

TW201625772A 螢光體、發光裝置、照明裝置及影像顯示裝置审中-公开
简体标题：萤光体、发光设备、照明设备及影像显示设备
公开(公告)号：TW201625772A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104134989
申请日：2015-10-23
申请人：三菱化學股份有限公司 , MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION , 國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：吉村文孝 , YOSHIMURA, FUMITAKA , 山根久典 , YAMANE, HISANORI
IPC分类号： C09K11/64 , H01L33/50
CPC分类号： C09K11/7734 , C09K11/0883 , H01L33/502 , Y02B20/181
摘要：本發明提供一種對白色發光LED用途有用之新穎黃色至橙色螢光體。本發明之螢光體之特徵在於包含具有下述式[1]所表示之組成之結晶相，且其晶系為六方晶系。 MmAaAlbSicN40 [1] (上述式[1]中，M表示賦活元素，A表示選自由鹼土類金屬元素所組成之群組中之1種以上之元素，m、a、b、c分別獨立為滿足下述式之值；0
简体摘要：本发明提供一种对白色发光LED用途有用之新颖黄色至橘子色萤光体。本发明之萤光体之特征在于包含具有下述式[1]所表示之组成之结晶相，且其晶系为六方晶系。 MmAaAlbSicN40 [1] (上述式[1]中，M表示赋活元素，A表示选自由碱土类金属元素所组成之群组中之1种以上之元素，m、a、b、c分别独立为满足下述式之值；0

106. 发明专利

TWI540743B 半導體膜形成用塗佈液、半導體膜、半導體元件及其製造方法有权
简体标题：半导体膜形成用涂布液、半导体膜、半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI540743B
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW102125887
申请日：2013-07-19
申请人：旭化成股份有限公司 , ASAHI KASEI KABUSHIKI KAISHA , 國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：渡邊明 , WATANABE, AKIRA , 湯本徹 , YUMOTO, TORU
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0264 , H01L31/022425 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/03923 , H01L31/03925 , H01L31/03926 , H01L31/072 , H01L31/074 , H01L31/0749 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/541 , Y02E10/547 , Y02P70/521

107. 发明专利

TW201610186A 合金粉末及磁性零件审中-公开
公开(公告)号：TW201610186A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104123179
申请日：2015-07-17
申请人：國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：牧野彰宏 , MAKINO, AKIHIRO , 西山信行 , NISHIYAMA, NOBUYUKI , 沙瑪帕曼那德 , SHARMA, PARMANAND , 竹中佳生 , TAKENAKA, KANA
IPC分类号： C22C45/02 , C22C38/00 , H01F1/153 , H01F1/20 , H01F27/255
CPC分类号： H01F1/14766 , B22F1/0003 , B22F2301/35 , B22F2999/00 , C22C33/0207 , C22C33/0278 , C22C38/002 , C22C38/02 , C22C38/10 , C22C38/16 , C22C45/02 , H01F1/15308 , H01F1/20 , B22F2009/0828 , B22F9/08 , B22F2009/048
摘要：本發明提供具有非晶相作為為主相之組成式Fe100-a-b-c-d-e-f Coa Bb Sic Pd Cue Cf 的合金粉末。參數滿足以下條件：3.5≦a≦4.5at%；6≦b≦15at%；2≦c≦11at%；3≦d≦5at%；0.5≦e≦1.1at%；0≦f≦2at%。若具有該組成，即使90μm之粒徑大的粉末也可變得具有良好的磁性特性，故產率提升。
简体摘要：本发明提供具有非晶相作为为主相之组成式Fe100-a-b-c-d-e-f Coa Bb Sic Pd Cue Cf 的合金粉末。参数满足以下条件：3.5≦a≦4.5at%；6≦b≦15at%；2≦c≦11at%；3≦d≦5at%；0.5≦e≦1.1at%；0≦f≦2at%。若具有该组成，即使90μm之粒径大的粉末也可变得具有良好的磁性特性，故产率提升。

108. 发明专利

TW201608227A 光學性濃度測定方法审中-公开
简体标题：光学性浓度测定方法
公开(公告)号：TW201608227A
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW104108316
申请日：2015-03-16
申请人：國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：須川成利 , SUGAWA, SHIGETOSHI , 黒田理人 , KURODA, RIHITO
IPC分类号： G01N21/31
CPC分类号： G01N21/31 , A61B5/1112 , A61B5/1122 , A61B5/14532 , A61B5/14535 , A61B5/14546 , A61B5/1455 , A61B5/1477 , A61B5/4227 , A61B5/6898 , A61B2505/07 , G01N21/3151 , G01N21/35 , G01N2021/3159 , G01N2021/3181
摘要：提供一種能夠藉由簡易之手段而直到極微量區域之濃度為止地來以非破壞性並正確且迅速地測定出特定之化學成分的濃度之濃度測定方法、以及能夠正確且迅速地一直到奈尺度之極微量濃度區域均以即時性而測定出來並能夠以各種態樣和型態而具體化的萬能性之濃度測定方法。將相對於被測定對象而光吸收率為相異之第1波長之光和第2波長之光，對於被測定對象而分別以分時(time sharing)法進行照射，將起因於各波長之光之該照射所致的從被測定對象所光學性而來之各波長之光，藉由共通的受光感測器而受光，形成因應於該受光而從前述受光感測器所輸出的關連於第1波長之光之訊號和關連於第2波長之光之訊號之兩者間的差動訊號，基於該差動訊號，來導出在被測定對象中的化學成分之濃度。
简体摘要：提供一种能够借由简易之手段而直到极微量区域之浓度为止地来以非破坏性并正确且迅速地测定出特定之化学成分的浓度之浓度测定方法、以及能够正确且迅速地一直到奈尺度之极微量浓度区域均以实时性而测定出来并能够以各种态样和型态而具体化的万能性之浓度测定方法。将相对于被测定对象而光吸收率为相异之第1波长之光和第2波长之光，对于被测定对象而分别以分时(time sharing)法进行照射，将起因于各波长之光之该照射所致的从被测定对象所光学性而来之各波长之光，借由共通的受光传感器而受光，形成因应于该受光而从前述受光传感器所输出的关连于第1波长之光之信号和关连于第2波长之光之信号之两者间的差动信号，基于该差动信号，来导出在被测定对象中的化学成分之浓度。

109. 发明专利

TW201607069A 紫外光用固體受光裝置审中-公开
简体标题：紫外光用固体受光设备
公开(公告)号：TW201607069A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104114759
申请日：2015-05-08
申请人：國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：須川成利 , SUGAWA, SHIGETOSHI , 黒田理人 , KURODA, RIHITO
IPC分类号： H01L31/103 , H01L27/144 , G01J1/02
CPC分类号： H01L27/1443 , G01J1/02 , G01J1/429 , G01J1/44 , H01L27/144 , H01L31/035272 , H01L31/103 , H02S40/44
摘要：本發明係一種紫外光用固體受光裝置，其課題為提供：可以簡單的構造，精確度佳且適當地測定對於人體有害之紫外光的照射量，亦可容易地與周邊電路之感測器的一體加工，為小型．輕量，且低成本，適合於攜帶(mobile)或著用(wearable)之紫外光用固體受光裝置者。解決手段為係其解決手段之一係具備：第1光二極體(1)與第2光二極體(2)，加以輸入依據自此等光二極體之輸出的各訊號之差動電路，於上述光二極體(1)，(2)內，及設置於各光二極體上之半導體層範圍，各設置半導體不純物之最大濃度位置，再於各光二極體之受光面上，設置有波長選擇性不同之光透過層。
简体摘要：本发明系一种紫外光用固体受光设备，其课题为提供：可以简单的构造，精确度佳且适当地测定对于人体有害之紫外光的照射量，亦可容易地与周边电路之传感器的一体加工，为小型．轻量，且低成本，适合于携带(mobile)或着用(wearable)之紫外光用固体受光设备者。解决手段为系其解决手段之一系具备：第1光二极管(1)与第2光二极管(2)，加以输入依据自此等光二极管之输出的各信号之差动电路，于上述光二极管(1)，(2)内，及设置于各光二极管上之半导体层范围，各设置半导体不纯物之最大浓度位置，再于各光二极管之受光面上，设置有波长选择性不同之光透过层。

110. 发明专利

TW201606092A 濺鍍靶及其製造方法审中-公开
简体标题：溅镀靶及其制造方法
公开(公告)号：TW201606092A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104113527
申请日：2015-04-28
申请人：田中貴金屬工業股份有限公司 , TANAKA KIKINZOKU KOGYO K. K. , 國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：譚金光 , THAM, KIM KONG , 山本俊哉 , YAMAMOTO, TOSHIYA , 齊藤伸 , SAITO, SHIN , 日向慎太朗 , HINATA, SHINTARO , 高橋研 , TAKAHASHI, MIGAKU
IPC分类号： C22C19/07 , C22C5/04 , C22C29/12 , C23C14/34 , C22C1/10 , G11B5/64 , G11B5/851 , H01F10/10
CPC分类号： H01J37/3429 , B22F3/14 , B22F9/04 , B22F9/082 , B22F2301/15 , B22F2301/25 , B22F2302/25 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C04B35/00 , C22C1/0466 , C22C1/05 , C22C1/1084 , C22C5/04 , C22C19/07 , C22F1/10 , C22F1/14 , C23C14/0688 , C23C14/083 , C23C14/14 , C23C14/3414 , C23C14/5806 , C22C2202/02
摘要：提供可製作保磁力Hc為大的磁性薄膜之濺鍍靶及其製造方法。含有金屬Co、金屬Pt、及氧化物而成的濺鍍靶，其係不含有金屬Cr，且前述氧化物為具有WO3及TiO2之中之至少任一方而成。
简体摘要：提供可制作保磁力Hc为大的磁性薄膜之溅镀靶及其制造方法。含有金属Co、金属Pt、及氧化物而成的溅镀靶，其系不含有金属Cr，且前述氧化物为具有WO3及TiO2之中之至少任一方而成。

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