专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

91. 发明申请

WO01018856A1 WAFER HOLDER 审中-公开
公开(公告)号：WO01018856A1
公开(公告)日：2001-03-15
申请号：PCT/JP2000/005818
申请日：2000-08-29
IPC分类号： C23C16/458 , C30B25/12 , C30B31/14 , H01L21/673 , H01L21/687 , H01L21/22 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/68735 , C23C16/4583 , C30B25/12 , C30B31/14 , H01L21/67309 , H01L21/6875
摘要： A wafer (22) is placed on the surface of a holder (23), which is held horizontally in a plurality of grooves (14) formed in a heat treatment furnace. The holder has the shape of a disc with no cuts and includes ringlike projections (24) extending from its center and projecting upward. The wafer is held in contact with the upper ends of the projections of the holder. The maximum distance between the diametrically opposed projections ranges from 0.5D to 0.98D so that the projections may not come in contact with the periphery of the wafer, where D is wafer diameter. The holder is manufactured without warpage to prevent slip defects from appearing in a wafer. The holder supports any of wafers of different sizes exactly in place. The holder facilitates loading and unloading a wafer.
摘要翻译：将晶片（22）放置在保持器（23）的表面上，该保持器水平地保持在形成在热处理炉中的多个凹槽（14）中。保持器具有不具有切口的盘的形状，并且包括从其中心延伸并向上突出的环形突起（24）。晶片与保持器的突起的上端保持接触。直径相对的突起之间的最大距离为0.5D至0.98D，使得突起可能不与晶片的周边接触，其中D是晶片直径。保持器没有翘曲地制造，以防止滑动缺陷出现在晶片中。保持器支撑任何不同尺寸的晶片完全就位。支架有助于装载和卸载晶圆。

92. 发明申请

WO1988005836A1 METHOD OF IMPROVING THE SAG RESISTANCE OF A COMPONENT CONSTRUCTED FROM FUSED QUARTZ 审中-公开
标题翻译：改善由熔融石墨构成的组分的抗锯齿能力的方法
公开(公告)号：WO1988005836A1
公开(公告)日：1988-08-11
申请号：PCT/GB1988000072
申请日：1988-02-08
申请人： TSL GROUP PLC , DOCHERTY, Rene, Frederick, Ivan, Joseph , WINTERBURN, John, Alexander , ALLEN, Joseph, Ignatius, Henry
发明人： TSL GROUP PLC
IPC分类号： C30B31/14
CPC分类号： C30B31/10 , C30B31/14
摘要： A high temperature jig is made from fused quartz tubing (1, 2: 6) reinforced internally by a sag-resistant tubular skeleton (5). To prevent reaction between the tube (6) and skeleton (5) at high temperature (i.e. above 900 DEG C) a refractory barrier layer (7) is interposed between the tube and skeleton. A woven sock of high silica glass or aluminosilicate fibres makes a suitable barrier layer.
摘要翻译：高温夹具由熔融石英管（1：2：6）制成，内部由防塌管状骨架（5）加强。为了防止管（6）和骨架（5）在高温（即高于900℃）下的反应，在管和骨架之间插入耐火阻隔层（7）。高硅石玻璃或铝硅酸盐纤维的编织袜子形成合适的阻挡层。

93. 实用新型

CN219752499U 一种半导体硅片扩散舟有权
公开(公告)号：CN219752499U
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202321150786.6
申请日：2023-05-12
申请人：东海县奥博石英制品有限公司
发明人：孔凡昌
IPC分类号： C30B31/14 , H01L21/673
摘要：本实用新型公开了一种半导体硅片扩散舟，涉及扩散舟领域，包括四个安装板、两个第一卡杆和两个第二卡杆，每个所述安装板的内部均开设有第一通孔，两个所述第一卡杆均活动穿设于对应第一通孔的内部，两个所述第二卡杆的两端均固定连接于对应安装板的侧壁，其中两个所述安装板的内部共同螺纹套接有双向丝杆，每个所述第一卡杆与第二卡杆的杆壁均开设有卡槽，每个所述安装板的侧壁均开设有第二通孔，每个所述第一卡杆的杆壁均对称开设有两个螺纹孔。本实用新型通过双向丝杆转动进而扩大安装板之间的横向间距，将两个第一卡杆在对应第一通孔的内部上下移动，最后将硅片卡接于对应卡槽的内部，实现了对不同尺寸硅片进行加工处理。

94. 实用新型

CN217869194U 一种光伏电池片生产用扩散炉超长单层桨有权
公开(公告)号：CN217869194U
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202222315421.6
申请日：2022-08-31
申请人：西安希朗半导体科技有限公司
发明人：刘定冕
IPC分类号： C30B31/14 , H01L21/677 , H01L31/18
摘要：本实用新型提出了一种光伏电池片生产用扩散炉超长单层桨，涉及光伏电池片生产技术领域。该光伏电池片生产用扩散炉超长单层桨，包括桨柄和桨体。上述桨柄与桨体连接，桨体上开设有通槽，通槽侧用于置放石英舟。该光伏电池片生产用扩散炉超长单层桨能够方便快捷将石英舟进行定位，同时能够对石英舟进行限位。

95. 实用新型

CN217399048U 一种可调式制绒花篮有权
公开(公告)号：CN217399048U
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202220893745.5
申请日：2022-04-18
申请人：湖北华昶能源科技有限公司
发明人：张招辉 , 张晓波
IPC分类号： C30B31/14 , C30B29/06 , H01L21/673 , H01L31/18
摘要：一种可调式制绒花篮，包括两个相对设置的侧板，连接于两个所述侧板之间的底杆和至少两根间隔设置的侧杆，所述底杆设置于所述侧杆的下方且位于所述侧杆之间，其特征在于：所述侧板底部设置有至少两组并排排列的调节孔，所述底杆插接在调节孔内。在侧板底部设置调节孔，这样就可以根据硅片的尺寸及时调节底杆的位置，可适应全尺寸的硅片；由于只需要在侧板上打孔，不需要对现有花篮进行过多的改造，改造成本也很低。

96. 实用新型

CN215906091U 一种石英舟顶齿定位烧结模具有权
公开(公告)号：CN215906091U
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202122574399.2
申请日：2021-10-25
申请人：湖州东科电子石英股份有限公司
发明人：张彩根 , 周长亚 , 卫令中 , 江海花 , 胡月华
IPC分类号： C03B20/00 , C30B31/14
摘要：本实用新型公开了一种石英舟顶齿定位烧结模具，包括底板(1)，底板(1)的顶部设有第一定位板(2)，第一定位板(2)的内侧设有与底板(1)固定的第二定位板(3)，第二定位板(3)上设有分别与石英舟上四根立柱(4)对应的四个台阶槽(5)，台阶槽(5)的一侧设有与第二定位板(3)连接的插板(6)，插板(6)厚度与立柱(4)上的插槽(7)宽度对应，第一定位板(2)的外侧设有U形的第三定位板(8)，第三定位板(8)的两臂分别位于第一定位板(2)的两侧。本实用新型具有能提高石英舟制作效率、使用范围较广和维护方便的优点。

97. 实用新型

CN214881933U 应用于生产MPCVD单晶金刚石的样品托盘有权转让
公开(公告)号：CN214881933U
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202120659849.5
申请日：2021-03-31
申请人：苏州贝莱克晶钻科技有限公司
发明人：缪勇 , 马懿 , 缪嘉伟
IPC分类号： C30B31/14 , C30B25/00
摘要：本实用新型公开了一种应用于生产MPCVD单晶金刚石的样品托盘，包括底座和一个以上垫片，所述一个以上垫片可分离的叠放在底座表面，并与底座导热连接，其中位于顶层的垫片表面分布有金刚石生长区。所述样品托盘结构简单，易于使用，在用于生长金刚石的过程中，只需简单调整垫片的数量和/或厚度，即可实现样品托盘导热率的精确调控，可以有效保障生长形成的金刚石的质量，并可实现金刚石的长时间生长，且在完成金刚石的生长后，只需移除表面附着有DLC膜的垫片即可，无需将整个样品托盘替换掉。进一步的，前述表面附着有DLC膜的垫片还可以用激光清洗机简单清理后重复使用，大大节约了成本。

98. 实用新型

CN210194037U 一种新型4寸磷扩石英舟有权
公开(公告)号：CN210194037U
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201921030676.X
申请日：2019-07-04
申请人：安徽钜芯半导体科技有限公司
发明人：曹孙根 , 张俊超 , 陈松
IPC分类号： C30B31/14
摘要：本实用新型公开了一种新型4寸磷扩石英舟，涉及石英舟领域，针对现有的磷扩后结深的均匀度不够的问题，现提出如下方案，其包括底座，所述底座的顶部开设有等距设置的连通孔，所述底座顶部两侧的边缘处均固定有横梁，两个所述横梁的两端之间均固定有竖向设置的横板，且横板与底座固定连接，两个所述横板相互靠近的一侧均开设有矩形口，两个所述横板相互远离的一侧均连接有固定在底座上的罩壳，所述罩壳的内部设有开设在底座上的气孔，本实用新型，在各部件的共同作用下，使其在炉管中各部分接触气体的氛围一致，使晶片在磷扩时扩散速度一致，提高磷面各点浓度的均匀性，进而提高晶片结深的一致性。

99. 实用新型

CN208899040U 炉管设备失效
公开(公告)号：CN208899040U
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201821196039.5
申请日：2018-07-26
申请人：德淮半导体有限公司
发明人：陈城 , 周冬成 , 吴宗祐 , 林宗贤
IPC分类号： C30B31/10 , C30B31/14
摘要：本实用新型提供一种炉管设备，包括反应炉体、炉门盖和颗粒收集装置，所述反应炉体一端封闭，另一端具有开口；所述炉门盖位于所述反应炉体的所述开口处，且和所述反应炉体活动连接；所述颗粒收集装置位于所述炉门盖上，且连接至一真空泵，所述颗粒收集装置包括若干个开口朝上的颗粒收集口。本实用新型的炉管设备，通过在炉门盖上增加颗粒收集装置，能够避免在炉门盖开启和关闭的过程中，因炉门盖上的颗粒物在气流作用下掉落至晶圆上造成的颗粒污染。本实用新型结构简单，使用方便，能有效提高生产良率。

100. 实用新型

CN205917346U 硅舟有权转让
公开(公告)号：CN205917346U
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201620958227.1
申请日：2016-08-26
申请人：扬州杰盈汽车芯片有限公司
发明人：葛宜威 , 杨丽斌 , 王毅
IPC分类号： C30B31/14
摘要：硅舟。涉及半导体加工领域，尤其涉及半导体加工用的硅舟。提供了一种结构简单，提高硅片压紧可靠性，提高产品加工质量的硅舟。所述舟体的中间设有容置槽、两端分别设有推拉槽，所述推拉槽的深度大于容置槽的深度；还包括压紧组件，所述压紧组件包括若干平板压块、三角压块一和三角压块二，所述平板压块垂直设在容置槽内，所述三角压块一和三角压块二位于容置槽内、且呈斜面配合连接，所述三角压块一和三角压块二的外侧面相平行、且垂直于水平设置的容置槽。所述三角压块一和三角压块二均为直角压块。所述容置槽的底部设有若干通孔。本实用新型方便加工，操作简便。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式