专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

91. 发明授权

CN1251181C 磁隧道效应型磁头及其制造方法失效
公开(公告)号：CN1251181C
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN01121758.8
申请日：2001-07-06
申请人：索尼株式会社
发明人：中盐荣治 , 尾上精二 , 菅原淳一 , 片仓亨
IPC分类号： G11B5/39
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , Y10T29/49041 , Y10T29/49043
摘要：一种磁隧道效应型磁头，包含：作为下屏蔽层(24)的第一软磁性导电层、在第一软磁性导电层上形成的作为下间隙层(26)的金属氧化物层(25)和第一非磁性导电层、在第一非磁性导电层上形成的作为磁隧道结元件(27)的磁隧道结层(34)、在磁隧道结层(34)上形成的作为上间隙层(28)的第二非磁性导电层以及在第二非磁性导电层上形成的作为上屏蔽层(29)的第二软磁性导电层。下间隙层(26)中的金属氧化物层(25)至少在磁隧道结层(27)的下面形成。

92. 发明授权

CN1222054C 磁致电阻效应型磁头及其制造方法失效
公开(公告)号：CN1222054C
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN01804614.2
申请日：2001-11-07
申请人：索尼株式会社
发明人：古川昭夫 , 柿原芳彦
IPC分类号： H01L43/08 , G11B5/39 , G01R33/09 , H01F10/32
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3116 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3916 , G11B2005/3996 , H01F10/3268 , H01F10/3295 , H01L43/08 , H01L43/12 , Y10T29/49032 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044
摘要：提供一种磁致电阻效应型磁头及其制造方法，其中，具有叠层结构部，该叠层结构部至少由根据外部磁场磁化旋转的由软磁性材料构成的自由层(4)、由强磁性材料构成的钉扎层(6)、钉扎该钉扎层(6)的磁化的反强磁性层(7)、夹在上述自由层(4)和上述钉扎层(6)之间的间隔层(5)即非磁性导电层或隧道阻挡层层叠而成。该叠层结构部中，在其层叠方向上形成由至少分别覆盖了自由层、非磁性导电层或隧道阻挡层和钉扎层的一平面连续的一曲面构成的相对置的侧面。由此可以选定可使来自硬磁性层的磁场确实稳定自由层(4)的磁化的位置关系，且各层的宽度基本上是同一图案，可以实现高灵敏度和制造的简化。

93. 发明公开

CN1648996A 用于垂直记录的写入极制造失效
公开(公告)号：CN1648996A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200410082674.7
申请日：2004-09-27
申请人：日立环球储存科技荷兰有限公司
发明人：李邝 , 李显邦 , 李瑞隆 , 阿伦·彭特克 , 孙年祥
IPC分类号： G11B5/127 , G11B5/33
CPC分类号： G11B5/1278 , G11B5/112 , Y10T29/49021 , Y10T29/49032 , Y10T29/49041 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052 , Y10T29/49067
摘要：一种制造拖尾防护写入极的方法和材料，其解决了控制写入间隙和避免在后续结构的制造期间对写入间隙或极的损害的问题。此过程还介绍了移除再沉积和围层(增加产量)的CMP协助剥离过程，以及在写入极的顶端中创建凹坑的方法。此外，此公开中还包括可起到离子铣削转移层、CMP层、以及可RIE层的作用的适合材料。

94. 发明公开

CN1506940A 带有用于钉扎反平行耦合翼片的反铁磁薄层的磁电阻传感器失效
公开(公告)号：CN1506940A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN200310119776.7
申请日：2003-12-05
申请人：日立环球储存科技荷兰有限公司
发明人：哈达耶尔·辛格·吉尔
IPC分类号： G11B5/39 , G01R33/09
CPC分类号： B82Y10/00 , G11B5/3906 , Y10T29/49034 , Y10T29/49041 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49052 , Y10T428/1121 , Y10T428/115
摘要：提供一种自旋阀传感器，该自旋阀传感器具有在引线重叠区中交换耦合至自钉扎反平行耦合偏置层的反铁磁薄层。自旋阀传感器在第一和第二无源区中包括反平行耦合至自由层的铁磁性偏置层，其中第一和第二引线层与自旋阀传感器各层重叠，并且反铁磁性薄层交换耦合至偏置层，从而向偏置层提供钉扎场。

95. 发明授权

CN1146867C 制造逆磁电阻磁头的方法失效
公开(公告)号：CN1146867C
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN96111017.1
申请日：1996-06-07
申请人：西加特技术有限责任公司
发明人： A·E·舒尔茨 , F·E·施泰堡 , K·P·阿什 , B·S·扎克
IPC分类号： G11B5/39
CPC分类号： G11B5/3967 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , Y10T29/49034 , Y10T29/49039 , Y10T29/49043 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49067
摘要：披露了一种制造逆磁电阻磁头的方法。该方法包括制造一个写部分，它包括位于有槽的基片(54)内的底极(56)。底极被填充铜线圈(64)和聚合物(58)。在聚合物部分上制造写间隙(64A)，极尖(72)以及顶极(67)。顶极的顶面被弄成平面，并在顶极上制造底屏蔽(74)，从而形成基本平滑的平面，在其上可以放置读部分。在写部分的顶上制造读部分，它包括第一读间隙(78)，磁阻元件(80)，第二读间隙(84)以及屏蔽(86)。

96. 发明公开

CN1479874A 隧道结和垂直于平面电荷磁记录传感器及其制造方法失效转让
公开(公告)号：CN1479874A
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN02803298.5
申请日：2002-03-12
申请人：国际商业机器公司
发明人：罗伯特·比奇
IPC分类号： G01R33/09
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/06 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3967 , Y10T29/49034 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044
摘要：公开了磁隧道结(MTJ)和垂直于平面电荷(CPP)磁性传感器，所述传感器具有钉扎钉扎层中的磁化方向的一第一反铁磁层，和提供自由层的偏置稳定性的一第二反铁磁层。这两个反铁磁层可由相同材料形成，并且通过利用自旋翻转效应，可同时被初始化。公开了利用这些传感器的磁盘驱动器。

97. 发明公开

CN1398433A 磁致电阻效应元件、磁致电阻效应型磁头及其制造方法失效
公开(公告)号：CN1398433A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN01804614.2
申请日：2001-11-07
申请人：索尼株式会社
发明人：古川昭夫 , 柿原芳彦
IPC分类号： H01L43/08 , G11B5/39 , G01R33/09 , H01F10/32
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3116 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3916 , G11B2005/3996 , H01F10/3268 , H01F10/3295 , H01L43/08 , H01L43/12 , Y10T29/49032 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044
摘要：一种自旋阀型巨磁致电阻效应元件或隧道型磁致电阻效应元件，具有叠层结构部，该叠层结构部至少由根据外部磁场磁化旋转的由软磁性材料构成的自由层(4)、由强磁性材料构成的钉扎层(6)、钉扎该钉扎层(6)的磁化的反强磁性层(7)、夹在上述自由层(4)和上述钉扎层(6)之间的间隔层(5)即非磁性导电层或隧道阻挡层层叠而成。该叠层结构部中，至少在其层叠方向上形成由分别对着自由层、非磁性导电层或隧道阻挡层和钉扎层的一平面连续的一曲面构成的相对置的侧面。由此可以选定可使来自硬磁性层的磁场确实稳定自由层(4)的磁化的位置关系，且各层的宽度基本上是同一图案，可以实现高灵敏度和制造的简化。

98. 发明公开

CN1396584A 磁头及其制造方法、磁头万向架组件和硬盘装置失效
公开(公告)号：CN1396584A
公开(公告)日：2003-02-12
申请号：CN02122831.0
申请日：2002-06-06
申请人： TDK株式会社
发明人：片濑骏一
IPC分类号： G11B5/39 , G11B5/48
CPC分类号： G11B5/4853 , G11B5/3163 , G11B5/3169 , G11B5/6082 , Y10T29/49041 , Y10T29/49043 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052
摘要：本发明旨在提供一种磁头，它具有由平坦而光滑的加工表面构成的空气轴承面(ABS)，而且减少了ABS上的导轨部分和元件部分之间产生的台阶。为达到该目的，在磁头制造方法中，本发明使第一预定深度比第二预定深度深，该方法执行以下步骤。在该方法中，在板上形成电磁换能元件，然后只把该板与磁记录媒体相对的特定面去除到第一预定深度。在去除后的板表面和元件部分的表面上形成由与形成元件时用的绝缘层材料相同的材料构成的绝缘薄膜，然后用化学机械抛光方法抛光绝缘薄膜，直至露出该元件。此后，在绝缘薄膜上形成具有第二预定深度的凹进部分。

99. 发明公开

CN1308313A 磁头和其制造方法以及垂直磁记录装置失效
公开(公告)号：CN1308313A
公开(公告)日：2001-08-15
申请号：CN00135320.9
申请日：2000-09-22
申请人：株式会社东芝
发明人：与田博明 , 馆山公一 , 大日向祐介
IPC分类号： G11B5/127 , G11B5/31
CPC分类号： G11B5/1278 , G11B5/00 , G11B5/012 , G11B5/3106 , G11B2005/0029 , Y10T29/49032 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49815
摘要：本发明的目的是通过以微小量正确且再现性良好地控制主磁极、辅助磁极、线圈、回程偏转线圈距媒体对向面的凹槽量,提供一种使产生的磁场稳定而且倍增的磁头以及其制造方法和磁记录装置。在与媒体对向面平行设置的薄膜上,使薄膜状磁单元叠层,构成磁头。在薄膜上设置开口,主磁极的一部分具有在该开口延出的尖端部。这样,可以高精度地控制薄膜状磁单元距媒体对向面的凹槽量,同时,主磁极尖端部的突出量也可由薄膜的膜厚极微小且精密地控制。其结果将使在主磁极尖端部的记录磁场强度增大到最终值,从而提供一种可在高密度对应的高保持力的媒体上进行记录的磁头。

100. 发明申请

WO2008084591A1 磁気記録媒体用基板、磁気記録媒体、及び磁気記録媒体用基板の製造方法审中-公开
标题翻译：磁记录介质基板，磁记录介质和制造磁记录介质基板的方法
公开(公告)号：WO2008084591A1
公开(公告)日：2008-07-17
申请号：PCT/JP2007/071206
申请日：2007-10-31
申请人：コニカミノルタオプト株式会社 , 河合秀樹
发明人：河合秀樹
IPC分类号： G11B5/73 , G11B5/65 , G11B5/84
CPC分类号： G11B5/855 , Y10T29/49043
摘要：　記録領域に磁性層を規則的に形成することが可能な磁気記録媒体用基板、磁気記録媒体、及び磁気記録媒体用基板の製造方法を提供する。このため、磁性層が形成される複数の記録領域が表面に形成された円板状の磁気記録媒体用基板であって、記録領域の大きさは、磁性層を構成する単結晶構造の単位格子の格子定数の整数倍の大きさである。例えば、記録領域として用いられる凸部３の幅は、磁性層を構成する単結晶構造の単位格子の格子定数の整数倍の大きさとなっている。つまり、凸部３の幅を幅ｄ１とし、磁性層を構成する単結晶構造の単位格子の格子定数（幅ｄ２）とすると、幅ｄ１＝幅ｄ２×ｎ（ｎ：正の整数）の関係が成立している。
摘要翻译：提供了一种磁记录介质基板，因此可以在记录区域中规则地形成磁性层，磁记录介质和用于制造磁记录介质基板的方法。在盘状磁记录介质基板的表面上形成有要形成磁性层的多个记录区域。记录区域的大小是构成磁性层的单晶结构的单位晶格的晶格常数的整数倍。例如，用作记录区域的突出部分（3）的宽度是构成磁性层的单晶结构的单位晶格的晶格常数的整数倍。即，宽度（d1）=宽度（d2）OE（n：正整数）的关系被满足，其中宽度（d1）是突出部分（3）的宽度，宽度（d2）是构成磁性层的单晶结构的单位晶格的晶格常数。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式