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91. 发明公开

CN103715291A 一种太赫兹光电探测器有权
公开(公告)号：CN103715291A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310746552.2
申请日：2013-12-30
申请人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
发明人：王丰 , 曹俊诚
IPC分类号： H01L31/08
CPC分类号： H01L31/08
摘要：本发明提供一种太赫兹光电探测器，所述太赫兹光电探测器至少包括：表面覆盖有介质层的衬底、形成于所述介质层表面的单层石墨烯、设置于所述单层石墨烯两端的第一金属电极以及形成于所述衬底背面的第二金属电极；所述第一金属电极之间设置有测量电压变化的电流源；所述第二金属电极与单层石墨烯其中一端的第一金属电极之间设置有提供偏置电压的电压源，通过调节所述偏置电压来调制所述单层石墨烯光电导的特征峰位置，从而实现太赫兹频率的探测。

92. 发明公开

CN103681837A 一种二硫化钼-硒化镉量子点混合场效应光晶体管及其制造方法无效
公开(公告)号：CN103681837A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310580317.2
申请日：2013-11-19
申请人：浙江大学
发明人：林时胜 , 李文渊 , 张金石
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
CPC分类号： H01L31/08 , H01L31/0296 , H01L31/1828
摘要：本发明公开的二硫化钼-硒化镉量子点混合场效应光晶体管自下而上依次有Si层和SiO2层的Si/SiO2复合晶片、n层二硫化钼层，n=1-4、两块在同一水平面上彼此相隔的金电极、在两块金电极之间有CdSe量子点层，CdSe量子点层中的CdSe量子点的直径为3-8nm。其制造步骤包括：将用胶带从二硫化钼晶体上剥离的二硫化钼层黏贴到清洗干净的Si/SiO2复合晶片上；在二硫化钼层上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，用电子束曝光法在涂层上刻蚀出金电极；用电子束蒸发方法在电极上依次沉积Ni和Au作为源极和漏极，制备CdSe量子点溶液；将CdSe量子点溶液涂覆到二块金电极之间的二硫化钼层上。本发明为场效应光晶体管提供了一种新品种。

93. 发明公开

CN103123939A 半导体纳米线的固态光学组件及其控制方法无效
公开(公告)号：CN103123939A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201210431384.3
申请日：2012-11-02
申请人：陈家进
发明人：石玉清 , 李俊宏 , 陈家进 , 林奇锋 , 方育斌 , 李铭孝 , 甘恒全
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L33/06
CPC分类号： B82Y20/00 , H01L31/035227 , H01L31/08 , H01L33/18
摘要：一种半导体纳米线的固态光学组件及其控制方法，包括一纳米线、一第一电极、一第二电极、一电子电路模块及一微致动组件；纳米线具有第一端与第二端；第一电极连接于纳米线的第一端；第二电极连接于纳米线的第二端；电子电路模块连接第一电极与第二电极；微致动组件与纳米线结合，用来对纳米线施予一外力，在纳米线中形成最高占用分子轨域及最低未占用分子轨域；最高占用分子轨域及最低未占用分子轨域是分别作为n型半导体及p型半导体，使得纳米线处于接受外力的状态时，成为一半导体。

94. 发明授权

CN102007615B 含有四氮杂卟啉的有机光敏光电子装置失效
公开(公告)号：CN102007615B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200880111199.8
申请日：2008-10-11
申请人：南加利福尼亚大学 , 密歇根大学董事会
发明人：马克·E·汤普森 , 史蒂芬·R·福里斯特 , 伊丽莎白·梅奥 , 克里斯蒂娜·L·穆托洛马丁尼兹 , 朗达·F·贝雷-萨尔兹曼
IPC分类号： H01L51/42
CPC分类号： H01L51/0077 , B82Y10/00 , C09B47/067 , C09B47/0673 , H01L31/08 , H01L51/0037 , H01L51/0046 , H01L51/0059 , H01L51/0078 , H01L51/0087 , H01L51/42 , H01L51/424 , Y02E10/549
摘要：本发明的实施方案提供了含有至少一种本文公开的式(I)的四氮杂卟啉化合物的有机光敏光电子装置。

95. 发明公开

CN101794835A 光学半导体器件失效
公开(公告)号：CN101794835A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010135255.0
申请日：2005-07-28
申请人：佳能株式会社
发明人：尾内敏彦 , 井辻健明 , 笠井信太郎
IPC分类号： H01L31/08
CPC分类号： H01L31/08 , G01N21/3581 , H01S1/02
摘要：本发明提供了一种光学半导体器件，其包括具有光电导性的半导体薄膜(4)和用于在大致垂直于所述半导体薄膜(4)的表面的方向向所述半导体薄膜(4)内部施加电场的电极对(5)和(10)，其中，当光作用于所述半导体薄膜(4)的被施加了电场的区域时，所述半导体薄膜(4)产生电磁波。所述电极被设置在所述半导体薄膜(4)的前表面和背面，其间夹着所述半导体薄膜。

96. 发明公开

EP3327794A1 PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND WAVELENGTH SENSOR 审中-公开
公开(公告)号：EP3327794A1
公开(公告)日：2018-05-30
申请号：EP16827765.5
申请日：2016-07-15
申请人： Imra Japan Kabushikikaisha
发明人： HOANG VU CHUNG , HAYASHI Koki , ITO Yasuo
IPC分类号： H01L31/10 , H01G9/20
CPC分类号： G01J3/51 , G01J3/021 , G01J3/2803 , G01J9/00 , G01N21/255 , G01N2021/258 , H01G9/20 , H01L27/146 , H01L31/02327 , H01L31/032 , H01L31/08 , H01L31/09
摘要： A photoelectric conversion element is realized in which the movement direction of electrons in the element changes according to the wavelength of light to be converted. A photoelectric conversion unit (20) includes an active layer (40) on which light to be converted is incident, an intermediate layer (50) that is arranged on the active layer (40) on a side opposite to the side on which the light to be converted is incident, and a reflection layer (60) that is arranged so as to oppose the active layer (40) with the intermediate layer (50) interposed therebetween. The active layer (40) includes a plasmonic material, which is a material in which plasmon resonance occurs due to a reciprocal action with the light to be converted. The intermediate layer (50) has both a semiconductor property and transparency with respect to the light to be converted. The reflection layer (60) has reflectivity with respect to the light to be converted.

97. 发明公开

EP3157061A1 PHOTODIODE WITH INTENSE PHOTOVOLTAGE OR PHOTOCURRENTS 审中-公开
标题翻译： FOTODIODE MIT INTENSIVER FOTOSPANNUNG ODER INTENSIVENFOTOSTRÖMEN
公开(公告)号：EP3157061A1
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：EP15190177.4
申请日：2015-10-16
申请人： Fundacio Privada Institut Catala de Nanociencia I Nanotecnologia (ICN2) , Consejo Superior de Investigaciones Cientificas (CSIC) , Institució Catalana De Recerca I Estudis Avançats (ICREA)
发明人： LIRA-CANTU, Mónica , PÉREZ TOMÁS, Amador , CATALÁN BERNABÉ, Gustau
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/08 , H01L31/108
CPC分类号： H01L31/032 , H01L31/022466 , H01L31/08 , H01L31/108 , H01L51/0026 , H01L51/422 , H01L2251/306 , Y02E10/549
摘要： Photodiode comprising a transparent fluorine-doped tin oxide (FTO) layer, an active layer of a wide-bandgap semiconductor and an ionizable metal electrode, in which the active layer has been oxidized for 1-10 minutes at a temperature between 600° and 625°. The photodiode thus manufactured has the highest photovoltaic field ever observed in a photovoltaic device. This enormous (MV/cm) photovoltaic field makes unprecedented above-bandgap voltages viable for very thin (less than 1 µm) thin-film devices.
摘要翻译：包含透明氟掺杂氧化锡（FTO）层，宽带隙半导体的有源层和可电离金属电极的光电二极管，其中活性层在600°至625°之间的温度下被氧化1-10分钟 °。由此制造的光电二极管具有在光伏器件中观察到的最高的光电场。这种巨大的（MV / cm）光伏领域为非常薄（小于1μm）的薄膜器件提供了前所未有的高带隙电压。

98. 发明公开

EP2786644A4 TRANSIENT DEVICES DESIGNED TO UNDERGO PROGRAMMABLE TRANSFORMATIONS 审中-公开
标题翻译：瞬态器件可编程TRANSFORMATIONS
公开(公告)号：EP2786644A4
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：EP12858625
申请日：2012-09-21
申请人： UNIV ILLINOIS , TUFTS COLLEGE
发明人： ROGERS JOHN A , OMENETTO FIORENZO G , HWANG SUK-WON , TAO HU , KIM DAE-HYEONG , KAPLAN DAVID
IPC分类号： H05K1/03 , B82Y10/00 , H01L23/29 , H01L27/01 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L29/786 , H01L29/812 , H01L29/861 , H01L29/872 , H01L31/08 , H01L49/02 , H01Q1/22 , H01Q7/00 , H05K1/00 , H05K1/09
CPC分类号： H01L29/66 , B82Y10/00 , G11B23/282 , H01L23/293 , H01L27/016 , H01L28/10 , H01L28/20 , H01L28/40 , H01L29/0669 , H01L29/66007 , H01L29/7787 , H01L29/78603 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L29/812 , H01L29/861 , H01L29/872 , H01L31/08 , H01L2924/0002 , H01Q1/2283 , H01Q7/00 , Y10S257/922 , H01L2924/00
摘要： The invention provides transient devices, including active and passive devices that electrically and/or physically transform upon application of at least one internal and/or external stimulus. Materials, modeling tools, manufacturing approaches, device designs and system level examples of transient electronics are provided.

99. 发明公开

EP2789095A1 SYSTEM AND METHOD FOR CONVERTING ELECTROMAGNETIC RADIATION TO ELECTRICAL ENERGY 审中-公开
标题翻译：系统和方法，用于将电磁辐射转化为电能
公开(公告)号：EP2789095A1
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：EP12855658.6
申请日：2012-12-07
申请人： Redwave Energy, Inc.
发明人： BRADY, Patrick, K.
IPC分类号： H02N6/00
CPC分类号： H01L35/02 , H01L31/08 , H01L31/09 , H01Q1/248 , H02S10/30
摘要： An nanoantenna comprising a resonant structure element is tuned to capture energy, for example heat or light, radiated at a resonant frequency and to transfer structure to convert the captured energy to electrical energy. A co-planar strip can be used to provide impedance matching between the resonant structure element and the transfer structure. An array of nanoantennae form a nanoantenna array to provide electrical energy output from a plurality of nanoantennae. The nanoantenna array can be coupled to a device or apparatus as a power source.

100. 发明公开

EP2466643A2 Imaging apparatus, electronic apparatus, photovoltaic cell, and method of manufacturing imaging apparatus 有权
标题翻译：成像设备，电子设备，光伏电池和用于制造成像装置的方法
公开(公告)号：EP2466643A2
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：EP11192544.2
申请日：2011-12-08
申请人： Sony Corporation
发明人： Kuboi, Nobuyuki , Hongo, Kazuhiro
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14643 , G01J3/36 , G01J5/12 , G02B5/008 , H01L31/04 , H01L31/08 , Y02E10/50 , Y10T29/49002
摘要： An imaging apparatus includes: an imaging unit in which a plurality of pixels receiving incidence light on a light receiving face are disposed in an imaging region of a substrate, wherein the pixel includes a thermocouple device group in which a plurality of thermocouples are aligned along the light receiving face, wherein, in the thermocouple device group, the plurality of thermocouples are arranged so as to be separated from each other such that the light receiving face has a grating structure, and wherein the thermocouple device group is disposed such that the incidence light is incident to the grating structure so as to cause plasmon resonance to occur on the light receiving face, and an electromotive force is generated due to a change in the temperature of a portion of the thermocouple device group, at which the plasmon resonance occurs, in each of the plurality of thermocouples.
摘要翻译：一种成像装置包括：成像单元，其中在光接收面接收入射的光的像素的多元性被设置在一个基板的摄像区域，worin像素包括其中的热电偶的多元性沿着对齐的热电偶器件组光接收面，worin，热电偶设备组中，热电偶的多元性被布置成从海誓山盟检查做的光接收面具有格栅结构，并且worin热电偶器件组布置检查做了入射光被分离入射到光栅结构，以使等离子共振来发生在光接收面，并以电动势由于在热电偶器件组的一部分的温度的变化，在该等离子体共振中发生生成每个热电偶的多个。

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