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91. 发明专利

JP2009108402A In situ deposition of different metal-containing film using cyclopentadienyl metal precursor 审中-公开
标题翻译：在使用环戊二烯金属前驱体的不同金属膜的原位沉积
公开(公告)号：JP2009108402A
公开(公告)日：2009-05-21
申请号：JP2008191700
申请日：2008-07-25
申请人： Asm Internatl Nv , エーエスエムインターナショナルエヌ.ヴェー.Asm International N.V.
发明人： PIERREUX DIETER , JONGBLOED BERT , ZAGWIJN PETER
IPC分类号： C23C16/40 , H01L21/283 , H01L21/285 , H01L21/31 , H01L21/316
CPC分类号： H01L21/31645 , C23C16/45529 , C23C16/45546 , C23C16/45553 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02189 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/3142 , H01L21/31616 , H01L21/31641
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for depositing a plurality of layers of different materials in a sequential process within a deposition chamber.
SOLUTION: A substrate is provided in a deposition chamber. A plurality of cycles of a first atomic layer deposition (ALD) process is sequentially conducted to deposit a layer of a first material on the substrate in the deposition chamber. These first cycles include pulsing a cyclopentadienyl metal precursor. A plurality of cycles of a second ALD process is sequentially conducted to deposit a layer of a second material on the layer of the first material in the deposition chamber. The second material comprises a metal different from the metal in the cyclopentadienyl metal precursor.
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在沉积室内以顺序工艺沉积多层不同材料的方法。解决方案：在沉积室中设置衬底。依次进行第一原子层沉积（ALD）工艺的多个循环以在沉积室中的衬底上沉积第一材料层。这些第一循环包括脉冲环戊二烯基金属前体。依次进行第二ALD工艺的多个循环以在沉积室中的第一材料层上沉积第二材料层。第二种材料包括与环戊二烯基金属前体中的金属不同的金属。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

92. 发明专利

JP2009059889A Capacitor and its manufacturing method 审中-公开
标题翻译：电容器及其制造方法
公开(公告)号：JP2009059889A
公开(公告)日：2009-03-19
申请号：JP2007225765
申请日：2007-08-31
申请人： Elpida Memory Inc , エルピーダメモリ株式会社
发明人： HIROTA TOSHIYUKI , TANIOKU MASAMI
IPC分类号： H01L27/10 , C23C16/40 , H01L21/316
CPC分类号： H01G4/10 , C23C16/405 , C23C16/45529 , C23C16/45546 , H01G4/1218 , H01G4/20 , H01G4/33 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/3142 , H01L21/31604 , H01L21/31616 , H01L21/31645 , H01L27/1085 , H01L28/65 , Y10T29/417
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a dielectric film which can correspond with mass production of a DRAM capacitor of 60 nm or later, especially 45 nm, and which is high in dielectric constant and has less leak current, and to provide its formation method. SOLUTION: The capacitor for a semiconductor device is made by interposing the dielectric film between an upper electrode 501 and a lower electrode 504. The dielectric film includes laminated films wherein hafnium oxide 502 and titanium oxide 503 are alternatively stacked at atomic layer level. The films are stacked at a composition ratio of Hf/(Hf+Ti)=10-45 atom%, and are heated at 400-600°C at high speed. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供可以对应于60nm或更高，特别是45nm的DRAM电容器的批量生产并且介电常数高并且具有较小漏电流的电介质膜，并且提供其形成方法。解决方案：用于半导体器件的电容器通过将电介质膜插入在上电极501和下电极504之间来制成。电介质膜包括层叠膜，其中氧化铪502和氧化钛503交替地以原子层级堆叠。以Hf /（Hf + Ti）= 10-45原子％的组成比堆叠薄膜，并以400-600℃高速加热。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

93. 发明专利

JP4158975B2 Atomic layer deposition of nano-laminate film 有权
公开(公告)号：JP4158975B2
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：JP2004042166
申请日：2004-02-18
申请人：シャープ株式会社
发明人：エフ．コンリー，ジュニアジョン , オノヨシ , ソランキーラジェンドラ
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/316 , C23C16/40 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/56 , H01L21/28 , H01L21/314 , H01L21/336 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/49 , H01L29/51
CPC分类号： H01L29/513 , C23C16/40 , C23C16/45529 , C23C16/45531 , C23C16/56 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/3142 , H01L21/31616 , H01L21/31645 , H01L29/4908 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66583
摘要： An atomic layer deposition method to deposit an oxide nanolaminate thin film is provided. The method employs a nitrate ligand in a first precursor as an oxidizer for a second precursor to form the oxide nanolaminates. Using a hafnium nitrate precursor and an aluminum precursor, the method is well suited for the deposition of a high k hafnium oxide/aluminum oxide nanolaminate dielectric for gate dielectric or capacitor dielectric applications on a hydrogen-terminated silicon surface.

94. 发明专利

JP2008205136A Semiconductor device and manufacturing method thereof 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2008205136A
公开(公告)日：2008-09-04
申请号：JP2007038644
申请日：2007-02-19
申请人： Rohm Co Ltd , ローム株式会社
发明人： IWAMOTO KUNIHIKO
IPC分类号： H01L21/314 , H01L21/31 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/517 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/3142 , H01L29/513
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device comprising a gate insulating film having good interface characteristics with a semiconductor substrate, a large physical film thickness, and a high permittivity, and to provide a manufacturing method thereof.
SOLUTION: An insulating layer 12 is formed by carrying out first treatment for forming a metal oxide layer 25 containing a metal element (hafnium) and oxygen on a silicon oxide layer 24 after forming the silicon oxide layer 24 on a silicon substrate 11, and second treatment for heating the silicon oxide layer 24 and the metal oxide layer 25 under a nitriding atmosphere. The first treatment and the second treatment are alternately repeated by two or more times.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：解决的问题：提供一种半导体器件，其包括与半导体衬底具有良好的界面特性的栅极绝缘膜，大的物理膜厚度和高介电常数，并提供其制造方法。解决方案：在硅衬底11上形成氧化硅层24之后，在氧化硅层24上进行用于形成含有金属元素（铪）和氧的金属氧化物层25的第一处理来形成绝缘层12 ，以及在氮化气氛下加热氧化硅层24和金属氧化物层25的第二处理。第一次处理和第二次处理交替重复两次以上。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

95. 发明专利

JP4051063B2 A method of manufacturing a semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP4051063B2
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：JP2004569357
申请日：2003-03-13
申请人：富士通株式会社
发明人：正臣山口
IPC分类号： H01L21/316 , C23C16/40 , H01L21/28 , H01L21/314 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/51 , H01L29/78
CPC分类号： C23C16/40 , H01L21/28167 , H01L21/28194 , H01L21/3141 , H01L21/3142 , H01L21/31616 , H01L21/31645 , H01L21/823857 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518

96. 发明专利

JPWO2004066376A1 誘電体膜の形成方法有权
公开(公告)号：JPWO2004066376A1
公开(公告)日：2006-05-18
申请号：JP2004567105
申请日：2003-01-17
申请人：富士通株式会社
发明人：肖　石琴 , 石琴肖 , 大場　隆之 , 隆之大場
IPC分类号： H01L21/316 , C23C14/06 , C23C16/30 , C23C16/40 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/56 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/28 , H01L21/31 , H01L21/314 , H01L21/469 , H01L29/51 , H01L29/78
CPC分类号： C23C16/308 , C23C14/0641 , C23C16/405 , C23C16/45527 , C23C16/45529 , C23C16/56 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/3141 , H01L21/3142 , H01L21/3143 , H01L21/31616 , H01L21/31641 , H01L21/31645 , H01L28/56 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518
摘要：基板表面への誘電体膜の形成方法は、前記基板表面に前記high−K誘電体膜を複数回に分けて形成する工程を含み、前記複数回に分けて行うhigh−K誘電体膜形成工程の各々は、形成されたhigh−K誘電体膜を、窒素を主とする雰囲気中において改質する処理工程を含む。

97. 发明专利

JP2006505954A Nitride formation of a high-k dielectric 审中-公开
公开(公告)号：JP2006505954A
公开(公告)日：2006-02-16
申请号：JP2004551789
申请日：2003-11-05
申请人：アヴィザテクノロジーインコーポレイテッド
发明人：ザサードロバートフッドチャタム , クレイグバーコー , ランドールヒグチ , ユージーンエスロパタ , 佳秀千崎
IPC分类号： H01L21/318 , H01L21/314 , H01L21/316
CPC分类号： H01L21/3143 , H01L21/3141 , H01L21/3142 , H01L21/31612 , H01L21/31645
摘要：高ｋ誘電体を製造する方法が提供される。この方法は、高ｋ誘電体層が上に堆積された基板を処理チャンバ内に設け、窒素含有ガスを該処理チャンバ内に導入し、窒素を該高ｋ誘電体層内に取り込むステップを含む。１つの実施形態において、窒素含有ガスは、処理チャンバの外部に配置された源からの窒素プラズマガスである。窒素プラズマガスは、約２０秒から８０秒までの時間にわたって０ｓｃｃｍから５０００ｓｃｃｍまでの流速で処理チャンバ内に導入される。別の実施形態において、処理チャンバは、約１Ｔｏｒｒから１００Ｔｏｒｒまでの圧力、及び約２００℃から７００℃までの範囲のウェーハ温度で維持される。原子層蒸着、化学気相成長法（ＣＶＤ）、物理的気相成長法（ＰＶＤ）、噴射蒸着（ＪＶＤ）、エーロゾル熱分解、又はスピン・コーティングによって、基板上に予め堆積された高ｋ誘電体膜を形成することができる。

98. 发明专利

JP5517918B2 Capacitor and a semiconductor device and a method for their preparation have it 有权
公开(公告)号：JP5517918B2
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：JP2010505833
申请日：2009-03-27
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：隆史中川 , 馨森 , 信行五十嵐 , 真希子忍田
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/316 , H01L21/822 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC分类号： H01L21/3142 , H01L21/02178 , H01L21/02189 , H01L21/02194 , H01L21/022 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/316 , H01L27/10811 , H01L27/10852 , H01L28/40

100. 发明专利

JPWO2009119803A1 キャパシタとそれを有する半導体装置並びにそれらの製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2009119803A1
公开(公告)日：2011-07-28
申请号：JP2010505833
申请日：2009-03-27
申请人：日本電気株式会社
发明人：隆史中川 , 隆史中川 , 森　馨 , 馨森 , 信行五十嵐 , 信行五十嵐 , 真希子忍田 , 真希子忍田
IPC分类号： H01L21/822 , H01L21/316 , H01L21/8242 , H01L27/04 , H01L27/108
CPC分类号： H01L21/3142 , H01L21/02178 , H01L21/02189 , H01L21/02194 , H01L21/022 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/316 , H01L27/10811 , H01L27/10852 , H01L28/40
摘要：比誘電率の大きな容量絶縁膜を実現し、占有面積が小さくても十分な容量を確保することができ、かつリーク電流の抑制されたキャパシタを提供する。キャパシタは、容量絶縁膜と、容量絶縁膜の両側にそれぞれ形成された上部電極および下部電極とを有する。容量絶縁膜は、ZrとAlとOとを主成分とする複合酸化物であって、ZrとAlの組成比が(1−x):x(0.01≦x≦0.15)であり、かつ結晶構造を有する誘電体で構成される。下部電極は、少なくとも誘電体膜と接する面が非晶質構造を有する導電体からなる。

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