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91. 发明专利

SE7612517A 未知
公开(公告)号：SE7612517A
公开(公告)日：1977-10-07
申请号：SE7612517
申请日：1976-11-10
申请人： POST OFFICE
发明人： FAKTOR M M , REDSTALL R M , STEVENSON J L
IPC分类号： G01R31/308 , G01R31/26
CPC分类号： G01R31/308

92. 发明专利

JP2015130404A 酸化物半導体薄膜の評価方法、及び酸化物半導体薄膜の品質管理方法、並びに上記評価方法に用いられる評価素子及び評価装置有权
标题翻译：用于评价氧化物半导体薄膜的方法，用于管理氧化物半导体薄膜质量的方法和用于评估方法的评估元件和评估装置
公开(公告)号：JP2015130404A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：JP2014001204
申请日：2014-01-07
申请人：株式会社神戸製鋼所
发明人：岸智弥 , 林和志 , 釘宮敏洋
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786 , G01N22/00 , H01L21/66
CPC分类号： H01L22/12 , H01L27/1225 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/78603 , H01L29/7869 , G01R31/2608 , G01R31/2621 , G01R31/2642 , G01R31/2656 , G01R31/2894 , G01R31/308
摘要：【課題】酸化物半導体薄膜のストレス耐性を、非接触型で、正確且つ簡便に測定し、評価(予測・推定)する方法、及び酸化物半導体の品質管理方法を提供する。【解決手段】本発明に係る酸化物半導体薄膜の評価方法は、酸化物半導体薄膜が形成された試料に励起光及びマイクロ波を照射し、前記励起光の照射により変化する前記マイクロ波の前記酸化物半導体薄膜からの反射波の最大値を測定した後、前記励起光の照射を停止し、前記励起光の照射停止後の前記マイクロ波の前記酸化物半導体薄膜からの反射波の反射率の変化を測定する第1の工程と、前記反射率の変化から、励起光の照射停止後1μs程度に見られる遅い減衰に対応するパラメータを算出し、前記酸化物半導体薄膜のストレス耐性を評価する第2の工程と、を含む。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于以非接触的方式准确且简单地测量和评估（预测/估计）氧化物半导体薄膜的应力阻力的方法，并且提供一种管理氧化物半导体的质量的方法。解决方案：一种用于评估氧化物半导体薄膜的方法包括：第一步骤，用于在其中形成有氧化物半导体薄膜的样品上照射激发光和微波，在测量反射波的最大值之后停止激发光的照射通过照射激发光和氧化物半导体薄膜而改变的微波，并且在激发光的照射停止之后测量来自氧化物半导体薄膜的微波的反射波的反射率的变化; 以及第二步骤，用于根据在激发光的照射停止之后1μs的程度看到的对应于延迟衰减的反射率的变化来计算参数，并评估氧化物半导体薄膜的应力电阻。

93. 发明专利

JP2014215213A 光学非破壊検査装置及び光学非破壊検査方法有权
标题翻译：光学非结构检测系统和光学非结构检测方法
公开(公告)号：JP2014215213A
公开(公告)日：2014-11-17
申请号：JP2013093852
申请日：2013-04-26
申请人：株式会社ジェイテクト , Jtekt Corp
发明人： MATSUMOTO NAOKI , YOSHIDA KOUYA , MATSUMOTO JUN
IPC分类号： G01N25/72
CPC分类号： G01N25/72 , B23K26/032 , B23K31/125 , G01J2005/0074 , G01K15/005 , G01N21/63 , G01N21/71 , G01R31/048 , G01R31/308
摘要：【課題】より短時間に、且つより高い信頼性にて、ワイヤボンディング個所等の測定対象物の検査が可能であり、測定可能温度範囲がより広い、光学非破壊検査装置及び光学非破壊検査方法を提供する。【解決手段】集光コリメート手段10と、加熱用レーザ光源21と、加熱用レーザ導光手段と、赤外線検出手段33と、放射赤外線導光手段と、第1、第2補正用レーザ光源22、23と、第1、第2補正用レーザ導光手段と、第1、第2補正用レーザ検出手段31、32と、第1、第2反射レーザ導光手段と、制御手段50とを備え、制御手段は、加熱用レーザ光源と第1、第2補正用レーザ光源を制御するとともに、赤外線検出手段からの検出信号と第1、第2補正用レーザ検出手段からの検出信号に基づいて、加熱時間に応じた測定スポットSPの温度上昇状態である温度上昇特性を測定し、測定した温度上昇特性に基づいて測定対象物(接合構造部位97)の状態を判定する。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种光学非破坏性检查系统和光学非破坏性检查方法，能够在较短时间内以较高的可靠性和更高的温度范围检查诸如引线接合位置的测量对象，并且在较宽的温度范围内进行测量光学非破坏性检查系统包括：聚光准直器装置10，加热激光源21，加热激光导向装置，红外检测装置33，辐射红外光导装置，第一和第二校正激光源22 第一和第二校正激光导向装置，第一和第二校正激光检测装置31和32，第一和第二反射激光导向装置和控制装置50.控制装置50控制加热激光源和第一和第二校正激光第二校正激光源，测量温度升高状态的温升特性根据来自红外线检测装置的检测信号和来自第一和第二校正激光检测装置的检测信号，根据加热时间确定检测点SP，并且基于测量值确定测量对象（结结构部分97）的状态升温特性。

94. 发明专利

JP2014092514A Semiconductor device inspection device and semiconductor device inspection method 有权
标题翻译：半导体器件检测器件和半导体器件检测方法
公开(公告)号：JP2014092514A
公开(公告)日：2014-05-19
申请号：JP2012244636
申请日：2012-11-06
申请人： Hamamatsu Photonics Kk , 浜松ホトニクス株式会社
发明人： NAKAMURA TOMONORI
IPC分类号： G01R31/302 , G01N21/00
CPC分类号： G01R31/311 , G01N21/95607 , G01R1/071 , G01R31/26 , G01R31/2601 , G01R31/2851 , G01R31/308
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device inspection device and a semiconductor device inspection device that can attain shortening of a measurement time and high precision of a measurement result.SOLUTION: A semiconductor device inspection device 1 comprises: a laser light source 2 that emits light; an optical sensor 12 that detects reflection light of the light reflected by a semiconductor device 10, and outputs a detection signal; a frequency band setting part 16 that sets a measurement frequency band and a reference frequency band to the detection signal; a spectrum analyzer 15 that generates a measurement signal and a reference signal from the detection signals in the measurement frequency band and the reference frequency band; and a signal acquisition part 17 that calculates a difference between the measurement signal and the reference signal and thereby acquires an analysis signal. When calculating a level of the detection signal on the basis of power, the frequency band setting part 16 sets the reference frequency band in a frequency area in which the level thereof is equal to or less than a level adding 3 decibels to a white noise level serving as a reference.
摘要翻译：要解决的问题：提供可以缩短测量时间和测量结果的高精度的半导体器件检查装置和半导体器件检查装置。解决方案：半导体器件检查装置1包括：激光光源2，发光检测由半导体装置10反射的光的反射光的光学传感器12，并输出检测信号; 频带设定部16，将检测信号的测定频带和基准频带设定; 频谱分析器15，其根据测量频带和参考频带中的检测信号产生测量信号和参考信号; 以及信号获取部17，其计算测量信号和参考信号之间的差，从而获取分析信号。在基于功率计算检测信号的电平时，频带设定部16将基准频带设定在其等级以下的频率区域中，该频率区域为白噪声级别添加3分贝作为参考。

96. 发明专利

JP2013156269A Apparatus and method for inspecting defect of solar cell, and program 审中-公开
标题翻译：用于检查太阳能电池缺陷的装置和方法及程序
公开(公告)号：JP2013156269A
公开(公告)日：2013-08-15
申请号：JP2013085065
申请日：2013-04-15
申请人： Npc Inc , 株式会社エヌ・ピー・シー
发明人： WATANABE MAKOTO , MORITA TEIJI , OKITA KINJI , NAKANISHI YUJI
IPC分类号： G01N21/88 , G01B11/28 , G01N21/66 , H01L31/04
CPC分类号： H01L31/186 , G01N21/66 , G01N21/88 , G01R31/308 , H02S50/10 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a solar cell defect inspection apparatus that uses excitation emission of a solar cell without using a darkroom, and to provide a defect inspection method and a program.SOLUTION: A defect inspection apparatus 100 includes: power source means 102 that applies a forward voltage to a solar cell 110 to be tested to emit light by excitation; imaging means 104 for capturing an image of the solar cell 110; image processing means 108 for processing the image captured by the imaging means 104; and output means 148 that outputs the image processed by the image processing means 108. The imaging means 104 includes: an optical filter 12 that transmits light near a wavelength band of light emitted by excitation from the solar cell 110; a photoelectric image conversion element 13 for converting the light passing through the optical filter 12 to visible light; and an imaging element 132 that images the visible light converted by the photoelectric image conversion element 13 on an imaging surface to capture an image of the solar cell 110 emitting the light by excitation.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种使用太阳能电池的激发发射而不使用暗室的太阳能电池缺陷检查装置，并提供缺陷检查方法和程序。解决方案：缺陷检查装置100包括：电源装置102 其将正向电压施加到待测试的太阳能电池110以通过激发发光; 用于捕获太阳能电池110的图像的成像装置104; 用于处理由成像装置104捕获的图像的图像处理装置108; 以及输出由图像处理装置108处理的图像的输出装置148.成像装置104包括：滤光器12，其从太阳能电池110发射由激发发射的光的波长带附近的光; 用于将通过滤光器12的光转换成可见光的光电图像转换元件13; 以及成像元件132，其将由光电图像转换元件13转换的可见光成像在成像表面上，以捕获通过激发发射光的太阳能电池110的图像。

98. 发明专利

JP2010526314A Method and apparatus align test systems and electrical members to be tested 审中-公开
公开(公告)号：JP2010526314A
公开(公告)日：2010-07-29
申请号：JP2010507012
申请日：2008-04-18
申请人：コミッサリアアレネルジーアトミークエオゼネルジザルタナテイヴ , ベアマン
发明人：クリストフ・ヴォーシェール , パトリック・ドゥマール
IPC分类号： G01N21/64
CPC分类号： G01N21/956 , G01N21/6489 , G01R31/2813 , G01R31/308
摘要：本発明は、回路（５）の表面にある導電部材（５ｃ）を位置測定する方法に関し、当該方法は、導電部材を試験または測定する装置内に配置する工程であって、装置は、ビーム（２）の少なくとも１つの光源（１ａ）と、ビームを回路の表面にある複数の衝突点に印加する制御ユニット（ＣＮＴＬ）と、を備える工程と、ビーム（２）を回路の表面にある複数の衝突点に印加し、ビームの衝突点における材料特性に応じた強度を有する粒子流を回路の表面に発生させる工程と、衝突点それぞれにおいて発生した粒子流の強度の変化量を非あっ櫛、回路の表面における導電部材の位置を導き出す工程と、を備える。本発明は、光電効果を用いて試験装置内にある回路を正確に位置測定することに適用される。

99. 发明专利

JP2010506196A Electro-optical detector 审中-公开
公开(公告)号：JP2010506196A
公开(公告)日：2010-02-25
申请号：JP2009530293
申请日：2008-03-07
申请人：オーキンスエレクトロニクスカンパニー,リミテッド
发明人：フンキム，ヨン , クジュン，ジン , イルジョン，ヒュン , ギセオ，ミュン , シクパク，ヨン , リョンユン，ヨン , ジョンヨン，ダエ
IPC分类号： G02F1/13
CPC分类号： G02F1/1309 , G01R31/308 , G02F2001/136254 , G09G3/006
摘要：電気光学的検査装置が開示される。この電気光学的検査装置は、上部基板及び下部基板と、上部基板及び下部基板との間に介在されたネマチックス液晶層と、ネマチックス液晶層と上部基板との間に介在された透明電極と、ネマチックス液晶層上方に設けられた偏光板と、ネマチックス液晶層下方に設けられた反射板を含む。透明電極と検査対象に電圧を印加して液晶層に電界を形成する。そして、ディテクタに光を照射して当該ディテクタから反射される光によって形成されるディテクタのイメージを獲得して、透明電極と検査対象との間に形成される非正常な電界に起因するディテクタのイメージにより、検査対象の不良を判断する。

100. 实用新型

JP3146055U Electronic element sensing device 失效
公开(公告)号：JP3146055U
公开(公告)日：2008-10-30
申请号：JP2008005863
申请日：2008-08-22
申请人：久元電子股▼ふん▲有限公司
发明人：明▲こう▼ 周 , 秉龍汪 , 信呈陳 , 桂標陳
IPC分类号： G01B11/02
CPC分类号： G01R31/2806 , G01R31/2813 , G01R31/2893 , G01R31/308
摘要：【課題】品質検査を高精度且つ効率よく行うことができる電子素子検知装置を提供する。
【解決手段】電子素子検知装置において、複数の電子素子２００が連続送りで供給され、電子素子２００が上面に搭載される第一透過ターンテーブル１０と、第一透過ターンテーブル１０の下方に設置されて、それら複数の電子素子２００の底面を検知する第一画像捕獲ユニット１１と、第一透過ターンテーブル１０に隣接する第二ターンテーブル１２と、第一透過ターンテーブル１０と第二ターンテーブル１２との隣接した位置に設置され、第一透過ターンテーブル１０の上面に搭載された複数の電子素子２００を第二ターンテーブル１２に案内する案内ユニット１３と、第二ターンテーブル１２の上方に設置されて、複数の電子素子２００の他の外表面を検知する複数の第二画像捕獲ユニット１４とを備える。
【選択図】図１

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