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92. 发明专利

JP5937100B2 ナノメートル粒子の乾式造粒方法有权
标题翻译：干式造粒法纳米颗粒
公开(公告)号：JP5937100B2
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：JP2013542564
申请日：2011-12-09
申请人：コミッサリアアレネルジーアトミークエオゼネルジザルタナテイヴ
发明人：イシャム・マスクロット
IPC分类号： B01J2/12
CPC分类号： B22F9/04 , B01J2/12 , C01B13/14 , C01B31/30 , C01B31/36 , C01B33/113 , C01G23/047 , Y10T428/2982

93. 发明专利

JP2014214173A ガスバリア性薄膜、ガスバリア性フィルム、有機エレクトロルミネセンス装置及びガスバリア性薄膜の形成方法审中-公开
标题翻译：气体阻隔薄膜，气体阻隔膜，有机电致发光器件和形成气体阻隔薄膜的方法
公开(公告)号：JP2014214173A
公开(公告)日：2014-11-17
申请号：JP2013090161
申请日：2013-04-23
申请人：株式会社島津製作所 , Shimadzu Corp
发明人： AZUMA KAZUFUMI , UENO TOMOKO , KONISHI YOSHIYUKI
IPC分类号： C08J7/04 , B32B9/00 , C01B31/36
CPC分类号： B32B9/00 , C01B31/36 , C08J7/04
摘要：【課題】形成温度が低く、大面積に適用可能であり、シランガスを使用せずに形成可能で、且つ生産性の低下が抑制された高いガスバリア性と透明性を有するガスバリア性薄膜、ガスバリア性フィルム、有機エレクトロルミネセンス装置及びガスバリア性薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】ヘキサメチルジシロキサンと酸素を含む材料ガスをプラズマ重合して得られるSiOxCy:H構造をそれぞれ有する複数の薄膜が積層され、材料ガスのヘキサメチルジシロキサンに対する酸素の体積比が隣接する薄膜間で異なる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了提供具有低地层温度的阻气薄膜，可适用于大面积应用，允许不使用硅烷气体的形成，可以抑制生产率的劣化，并且显示出高的阻气性和透明性，阻气性膜，有机电致发光元件及形成阻气性薄膜的方法。在阻气性薄膜中，分别具有通过以下方式得到的SiOC:H的结构的多个薄膜含有六甲基二硅氧烷和氧的原料气体的等离子体聚合层叠，原料气体中六甲基二硅氧烷与氧的体积比在相邻的薄膜之间不同。

94. 发明专利

JP2014047105A Method for producing silicon carbide powder 审中-公开
标题翻译：生产碳化硅粉的方法
公开(公告)号：JP2014047105A
公开(公告)日：2014-03-17
申请号：JP2012191605
申请日：2012-08-31
申请人： Shinano Denki Seiren Kk , 信濃電気製錬株式会社
发明人： KUBOTA YOSHIHIRO , MOCHIZUKI MASAHIRO
IPC分类号： C01B31/36
CPC分类号： C01B31/36 , C01B32/956
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a silicon carbide powder, which achieves regeneration and utilization of a silicon carbide powder by producing a powder composed of only silicon carbide while upsizing fine powders or superfine powders of silicon carbide and silicon or a mixed fine powder of them, that have hitherto been hard to use and regarded unnecessary, to a size capable of being used.SOLUTION: The method for producing a silicon carbide powder comprises adding a B-C-based additive in addition to silicon oxide and carbon to a fine silicon carbide powder and silicon power to further upsize the silicon carbide powder, and comprises a step of continuously heating a mixture composed of a composition mainly containing the fine silicon carbide powder and/or silicon powder, silicon oxide and/or carbon powder, and the B-C-based additive at a temperature higher than 1850°C and less than 2400°C in a non-oxidizing atmosphere to react the mixture.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种生产碳化硅粉末的方法，其通过仅仅生产由碳化硅组成的粉末，同时增大碳化硅和硅的微细粉末或超细粉末或混合物来实现碳化硅粉末的再生和利用迄今为止难以使用和被认为是不必要的细粉末可以使用能够使用的尺寸。解决方案：制造碳化硅粉末的方法包括将除了氧化硅和碳之外的基于BC的添加剂加入到精细的碳化硅粉末和硅粉末，以进一步增大碳化硅粉末的尺寸，并且包括连续加热由主要含有微细碳化硅粉末和/或硅粉末，二氧化硅和/或碳粉末的组合物组成的混合物和 BC基添加剂在非氧化性气氛中在高于1850℃且小于2400℃的温度下反应混合物。

95. 发明专利

JP2014031527A Sic compact and method for manufacturing sic compact 有权
标题翻译： SIC紧凑型和制造SIC紧凑型的方法
公开(公告)号：JP2014031527A
公开(公告)日：2014-02-20
申请号：JP2012171002
申请日：2012-08-01
申请人： Tokai Carbon Co Ltd , 東海カーボン株式会社
发明人： SUGIHARA TAKAOMI , ASAKURA MASAAKI , TOKUNAGA TAKESHI , SADAKI TETSUYA
IPC分类号： C23C16/42 , H01L21/3065
CPC分类号： C01B31/36 , C01B32/956 , C04B35/565 , C04B2235/421 , C04B2235/441 , C04B2235/444 , C04B2235/46 , C04B2235/483 , C04B2235/72 , C04B2235/722 , C23C16/01 , C23C16/325
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a CVD-SiC compact which has low light permeability and high electrical resistivity and can be favorably used for an etcher member and so on used in a semiconductor manufacturing process.SOLUTION: An SiC compact, formed by the CVD method, includes boron atoms by 1-30 mass ppm, and nitrogen atoms by more than 100 mass ppm and equal to or less than 1000 mass ppm. Preferably, electrical resistivity is more than 10 Ω cm and equal to or less than 100000 Ω cm, and light permeability is 0-1% at a wavelength of 950 nm.
摘要翻译：要解决的问题：提供具有低透光性和高电阻率的CVD-SiC压块，并且可以有利地用于半导体制造工艺中使用的蚀刻器等。解决方案：通过CVD形成的SiC压块方法包括1-30质量ppm的硼原子和大于100质量ppm且等于或小于1000质量ppm的氮原子。优选地，电阻率大于10Ω; cm，等于或小于100000＆OHgr; cm，波长950nm处的透光率为0-1％。

96. 发明专利

JP2013535395A Silicon carbide and a method of manufacturing the same 审中-公开
公开(公告)号：JP2013535395A
公开(公告)日：2013-09-12
申请号：JP2013521703
申请日：2011-07-25
申请人：エルジーイノテックカンパニーリミテッド
发明人：ジョンウンハン , ビョンソクキム
IPC分类号： C04B35/573
CPC分类号： C01B31/36 , C01B32/956 , C04B35/573 , C04B2235/3418 , C04B2235/422 , C04B2235/424 , C04B2235/48
摘要：本発明に従う炭化珪素の製造方法は、乾式珪素源、固体炭素源、及びバインダーを混合する原料混合ステップ、及び混合された原料を加熱して炭化珪素を形成する加熱ステップを含む。
【選択図】図１

97. 发明专利

JP5177793B2 The method of producing a silicon carbide 有权
公开(公告)号：JP5177793B2
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：JP2007338066
申请日：2007-12-27
申请人：独立行政法人物質・材料研究機構 , 信越化学工業株式会社
发明人：英彦田中 , 良隆青木
IPC分类号： C04B35/571 , C01B31/36
CPC分类号： C01B31/36 , C01B32/956 , C04B35/565 , C04B35/571 , C04B35/6269 , C04B35/6325 , C04B2235/3289 , C04B2235/3826 , C04B2235/483 , C04B2235/5436 , C04B2235/602 , C04B2235/723 , C04B2235/79 , C04B2235/9661

98. 发明公开

KR1020150100788A 가압 실린더 내에 들어 있는 적어도 아세틸렌으로부터 소정의 직경을 갖는 나노분말의 제조를 제어하는 방법 有权
标题翻译：用于控制加压气瓶中含有最少乙酰乙酸的生成直径的纳米球的方法
公开(公告)号：KR1020150100788A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：KR1020157019534
申请日：2013-12-20
申请人： 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 에뜨 옥스 에너지스 앨터네이티브즈
发明人： 마스코트,히셤 , 기자흐,베노와 , 아트만,유세프
IPC分类号： C01B31/36 , G01N15/02
CPC分类号： C01B31/36 , B82Y40/00 , C01B32/956 , G01N15/0205 , G01N21/55 , G01N2015/0038
摘要： 본 발명은 나노분말의 색을 측정하고, 나노분말의 색에 기반하여 아세틸렌 가압(pressurized) 실린더의 방출 속도를 조정하는 것을 포함하는 것인, 가압 실린더 내에 들어 있는 적어도 아세틸렌으로부터 소정의 직경을 갖는 나노분말의 제조를 제어하는 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상술한 방법으로 제어함으로써, 가압 실린더 내에 들어 있는 적어도 아세틸렌으로부터 소정의 직경 및 소정의 색을 갖는 나노분말을 제조하는 방법에 관한 것이다.

99. 发明公开

KR1020140033179A 실리카와 카본을 포함하는 입자 및 실리카와 카본의 혼합물의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：生成二氧化硅和碳的混合物的二氧化硅和碳的混合物的制造方法
公开(公告)号：KR1020140033179A
公开(公告)日：2014-03-17
申请号：KR1020137034959
申请日：2012-07-03
申请人： 다이헤이요 세멘토 가부시키가이샤
发明人： 이찌츠보,고우키 , 마스다,켄타 , 스즈키,마사카즈 , 가와노,코헤이 , 구마사카,아츠시
IPC分类号： C01B33/12 , C01B31/36 , C01B33/18
CPC分类号： C01B31/36 , C01B32/956 , C01B33/193 , C01P2002/72 , C01P2004/01 , C01P2004/03 , C01P2004/61 , C01P2006/80 , C01B33/12 , C01B33/18
摘要： 본 발명은, 실리카와 카본을 포함하고, 불순물의 함유율이 작고, 또한, 반응성이 우수한 입자를 제공하는 것이다. 입자 내에 실리카와 카본 각각이 전체적으로 분포되어 있으며, 또한, B 및 P 각각의 함유율이 1ppm 이하인 실리카와 카본을 포함하는 입자를 얻을 수 있다. 이를 위하여, 실리카와 카본을 포함하는 입자의 집합체인 실리카와 카본의 혼합물의 제조 방법이며, (B) 액분 중의 Si 농도가 10질량％ 이상인 규산알칼리 수용액과 카본을 혼합하여, 카본 함유 규산알칼리 수용액을 얻는 카본 혼합 공정과, (C) 공정 (B)에 의해 얻어진 카본 함유 규산알칼리 수용액과 무기산을 혼합하여, 액분 중의 C 및 Si를 실리카와 카본을 포함하는 입자로서 석출시켜, 입자 함유 액상물을 얻은 후, 상기 액상물을 고액 분리하여, 실리카와 카본을 포함하는 입자의 집합체인 실리카와 카본의 혼합물을 포함하는 고형분과, 불순물을 포함하는 액분을 얻는 실리카 회수 공정을 포함하는 실리카와 카본의 혼합물의 제조 방법을 제공한다.

100. 发明公开

KR1020130076368A 탄화규소 분말 제조 방법 有权
标题翻译：碳化硅粉末制造方法
公开(公告)号：KR1020130076368A
公开(公告)日：2013-07-08
申请号：KR1020110144930
申请日：2011-12-28
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 김병숙
IPC分类号： C01B31/36 , C01B31/04 , C01B33/113
CPC分类号： C01B31/36 , C01B32/956 , C01P2004/62 , Y10T428/2982 , C01B32/00 , C01B33/113 , C09C1/48
摘要： PURPOSE: A manufacturing method of silicon carbide is provided to obtain silicon carbide of high quality by adjusting the quantity of residual carbon and silicon in a process using silicon dioxide sources. CONSTITUTION: A manufacturing method of silicon carbide includes the steps of: forming a mixture by mixing a silicon source, a solid carbon source or a carbon source containing organic carbon compounds, and a silicon dioxide source (ST10); and generating a reaction of the mixture (ST20). The molar ratio of the silicon dioxide source with the silicon source and the carbon source is 1: 0.05-1:0.4. The heating temperature of the mixture is 1400-1700°C. [Reference numerals] (ST10) Step of forming a mixture; (ST20) Step of generating a reaction of the mixture
摘要翻译：目的：提供碳化硅的制造方法，通过在使用二氧化硅源的工艺中调节残留碳和硅的量来获得高质量的碳化硅。构成：碳化硅的制造方法包括以下步骤：通过混合硅源，固体碳源或含有机碳化合物的碳源和二氧化硅源（ST10）来形成混合物; 并产生混合物的反应（ST20）。二氧化硅源与硅源和碳源的摩尔比为1:0.05-1:0.4。混合物的加热温度为1400-1700℃。（标号）（ST10）混合物的形成工序; （ST20）产生混合物的反应的步骤

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