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91. 发明公开

KR20180056393A 열 반복성 및 인-시튜 샤워헤드 온도 모니터링 审中-公开
公开(公告)号：KR20180056393A
公开(公告)日：2018-05-28
申请号：KR20170153042
申请日：2017-11-16
申请人： APPLIED MATERIALS INC
发明人： FRANKLIN TIMOTHY JOSEPH , BABAYAN STEVEN E , KRAUS PHILIP ALLAN
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01J37/32449 , B05B1/005 , B05B1/18 , B05B12/10 , H01J37/32522 , H01J37/32981 , H01J2237/3341 , H01L21/67069 , H01L21/67248
摘要： 본원에설명되는실시예들은일반적으로기판프로세싱장치에관한것으로, 더구체적으로는, 기판프로세싱장치에대한개선된샤워헤드어셈블리에관한것이다. 샤워헤드어셈블리는, 가스분배플레이트및 하나또는그 초과의온도검출어셈블리들을포함한다. 가스분배플레이트는, 최상부표면및 최하부표면을갖는바디를포함한다. 하나또는그 초과의온도검출어셈블리들은, 가스분배플레이트와하나또는그 초과의온도검출어셈블리들각각의사이에열적본드가형성되도록, 가스분배플레이트의최상부표면과인터페이싱된다. 각각의온도검출어셈블리는돌출피쳐및 온도프로브를포함한다. 돌출피쳐는, 돌출피쳐의축을따라가스분배플레이트상에축방향로드가배치되도록, 가스분배플레이트의최상부표면과인터페이싱된다. 온도프로브는돌출피쳐의바디에포지셔닝된다.

92. 发明公开

KR20180053766A 초고 탄성률 및 에칭 선택비의 붕소-탄소 하드마스크 막들 审中-公开
公开(公告)号：KR20180053766A
公开(公告)日：2018-05-23
申请号：KR20187013101
申请日：2016-08-11
申请人： APPLIED MATERIALS INC
发明人： KULSHRESHTHA PRASHANT KUMAR , DUAN ZIQING , NARASIMHA KARTHIK THIMMAVAJJULA , LEE KWANGDUK DOUGLAS , KIM BOK HOEN
IPC分类号： H01L21/02 , C23C16/24 , C23C16/36
CPC分类号： H01L21/0338 , C23C16/32 , C23C16/505 , H01L21/02112 , H01L21/02274 , H01L21/0332 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/3065
摘要： 본개시내용의구현예들은일반적으로집적회로들의제조에관한것이다. 더상세하게는, 본명세서에기술된구현예들은기판상에붕소-탄소막들의증착을위한기법들을제공한다. 일구현예에서, 기판을프로세싱하는방법이제공된다. 이방법은, 기판이내부에배치되어있는프로세싱챔버의프로세싱용적내로탄화수소-함유가스혼합물을유동시키는단계― 기판은섭씨약 400도내지섭씨약 700도의기판온도로가열됨―, 붕소-함유가스혼합물을프로세싱용적내로유동시키는단계, 및가열된기판상에붕소-탄소막을증착하기위해프로세싱용적내에 RF 플라즈마를생성하는단계를포함하고, 붕소-탄소막은약 200 내지약 400 GPa의탄성률및 약 -100 MPa 내지약 100 MPa의응력을갖는다.

93. 发明公开

KR20180053761A 고 종횡비 피처들을 위한 건조 프로세스 审中-公开
公开(公告)号：KR20180053761A
公开(公告)日：2018-05-23
申请号：KR20187012655
申请日：2016-09-13
申请人： APPLIED MATERIALS INC
发明人： GOUK ROMAN , CHEN HAN WEN , VERHAVERBEKE STEVEN , DELMAS JEAN
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/02101 , B08B7/0021 , B08B7/0035 , F26B5/04 , F26B21/14 , H01L21/02057 , H01L21/02063 , H01L21/67034
摘要： 기판을처리하기위한방법이제공된다. 방법은용제를처리챔버에전달하는단계, 및기판을처리챔버에전달하는단계를포함한다. 처리챔버내에존재하는용제의양은기판을담그도록구성될수 있다. 액체 CO가처리챔버에전달될수 있고, 액체 CO는용제와혼합될수 있다. 용제를교체하기위해, 추가의액체 CO가처리챔버의용적보다큰 양으로처리챔버에전달될수 있다. 액체 CO는처리챔버내에서초임계 CO로위상전이될수 있고, 기판은처리챔버를등온감압하고, 가스 CO를처리챔버로부터배기함으로써건조될수 있다.

94. 发明公开

KR20180051480A 반도체 장비에 대한 챔버 성능 매칭을 위한 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20180051480A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：KR20187000309
申请日：2016-08-31
申请人： APPLIED MATERIALS INC
发明人： LU XUESONG , ZHANG LIN , LE ANDREW V
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67253 , C23C16/50 , C23C16/52 , G05B19/41875 , G05B19/4189 , G05B2219/37008 , G05B2219/45032 , G05B2219/50388 , H01J37/32091 , H01J37/3211 , H01J37/32449 , H01J37/32522 , H01J37/32935 , H01J2237/327 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323
摘要： 본개시내용의실시예들은, 프로세싱챔버에서프로세싱챔버성능을매칭및 교정하기위한방법을제공한다. 일실시예에서, 반도체제조프로세스를위한프로세싱챔버를교정하기위한방법은, 프로세싱챔버에서제1 미리결정된프로세스를수행하는단계, 미리결정된프로세스를수행하는동안, 프로세싱챔버에배치된제1 그룹의센서들로부터제어기로송신되는제1 세트의신호들을수집하는단계, 수집된제1 세트의신호들을분석하는단계, 제1 그룹의센서들로부터의센서응답들을확인하기위해, 수집된제1 세트의신호들을제어기에저장된데이터베이스와비교하는단계, 미스매치센서응답이발견될때, 수집된제1 세트의신호들에기반하여센서들을교정하는단계, 프로세싱챔버에서제1 일련의프로세스들을후속하여수행하는단계, 및일련의프로세스들을수행하는동안, 센서들로부터제어기로송신되는제2 세트의신호들을수집하는단계를포함한다.

95. 发明公开

KR20180042466A 전이 금속들을 포함하는 막들을 에칭시키는 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20180042466A
公开(公告)日：2018-04-25
申请号：KR20187010974
申请日：2014-03-13
申请人： APPLIED MATERIALS INC
发明人： ANTHIS JEFFREY W , SCHMIEGE BENJAMIN , THOMPSON DAVID
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/32136 , C23F1/00 , C23F1/12 , C23F4/00 , H01J37/32715 , H01J37/32862 , H01L21/32135
摘要： 전이금속들을포함하는막들을에칭시키는방법들이제공된다. 특정방법들은적어도하나의전이금속을포함하는기판표면을활성화시키되, 여기서기판표면의활성화가기판표면을열, 플라즈마, 산화환경, 또는할라이드전달제에노출시켜활성화된기판표면을제공하는것을포함하고; 활성화된기판표면을루이스염기또는 pi 산을포함하는시약에노출시켜시약으로부터의하나이상의리간드들에배위된전이금속중 하나이상의원자들을포함하는증기상배위착물을제공하는것을포함한다. 특정의다른방법들은 Co 층, Cu 층, 및 Ni 층중 둘이상을포함하는다층기판으로부터선택적인에칭을제공한다.

96. 发明公开

KR20180042380A 기판의 운송을 위한 장치, 기판의 진공 프로세싱을 위한 장치, 및 자기 부상 시스템의 유지보수를 위한 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20180042380A
公开(公告)日：2018-04-25
申请号：KR20187008098
申请日：2015-08-21
申请人： APPLIED MATERIALS INC
发明人： KLEIN WOLFGANG , HEIMEL OLIVER , LAU SIMON
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/687
CPC分类号： H01L21/68764 , H01L21/67709 , H01L21/67712 , H01L21/6776
摘要： 기판(10)의운송을위한장치(100)가제공된다. 장치(100)는대기측(102)으로부터진공측(101)을분리시키도록구성된챔버벽을갖는진공챔버(110), 및진공챔버(110) 내의기판캐리어(140)의비접촉부상을위해구성된자기부상시스템(120)을포함한다. 자기부상시스템(120)은운송경로를따르는진공챔버(110) 내의기판캐리어(140)의운송동안에, 기판캐리어(140) 상에작용하는자기력(F)을제공하도록구성된적어도하나의자기디바이스(122), 및대기측(102)으로부터접근가능한적어도하나의자기디바이스(122)를홀딩하도록구성된적어도하나의홀딩유닛(130)을포함한다.

97. 发明公开

KR20180041073A 플라즈마 컴포넌트들을 위한 프리-시즈닝된 부식 저항성 코팅을 개발하기 위한 이트륨 플루오라이드 및 이트륨 옥시플루오라이드로의 이트리아의 화학 변환 审中-公开
公开(公告)号：KR20180041073A
公开(公告)日：2018-04-23
申请号：KR20170132525
申请日：2017-10-12
申请人： APPLIED MATERIALS INC
发明人： LARSSON MATS I , PAREEK YOGITA , WANG JIANQI , PAPKE KEVIN A
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/44
CPC分类号： C09D5/08 , B05D1/18 , C09D1/00 , H01J37/32495 , H01J2237/334 , H01L21/67069
摘要： 본개시내용의실시예들은플라즈마프로세싱챔버장치에서사용하기위한챔버컴포넌트를제공한다. 챔버컴포넌트는불소-풍부표면을제공하는코팅층을포함할수 있다. 일실시예에서, 플라즈마프로세싱장치에서사용하기위한챔버컴포넌트는코팅층이상단에형성된이트리아를포함하는외측층을갖는바디를포함하고, 여기에서, 코팅층은이트륨플루오라이드함유재료를포함한다.

98. 发明公开

KR20180039180A 스텝 크기 변경을 통한 라인 에지 거칠기 감소 审中-公开
公开(公告)号：KR20180039180A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：KR20187009552
申请日：2016-08-08
申请人： APPLIED MATERIALS INC
发明人： LAIDIG THOMAS L , JOHNSON JOSEPH , BENCHER CHRISTOPHER DENNIS
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/2051
摘要： 제조프로세스에서기판에마스크리스리소그래피패턴들을적용하는능력에관한이미지정정애플리케이션이개시된다. 본명세서에설명된실시예들은기판상의불균일한이미지패턴들을정정하는소프트웨어애플리케이션플랫폼에관한것이다. 이애플리케이션플랫폼방법은 DMD 내의거울들의적어도하나의전체컬럼을디스에이블하는단계 - 상기 DMD는복수의컬럼을갖고각 컬럼은복수의거울을가짐 -, 상기기판의제1 부분을전자기복사의제1 숏에노출시키는단계, 상기기판의제2 부분을전자기복사의제2 숏에노출시키는단계, 및상기기판이완전히처리될때까지상기기판의제2 부분을제2 숏에노출시키는것을반복하는단계를포함한다.

99. 发明公开

KR20180038412A 순환적 선택적 재료 제거 및 에칭을 위한 프로세스 챔버 审中-公开
公开(公告)号：KR20180038412A
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：KR20177027489
申请日：2016-08-02
申请人： APPLIED MATERIALS INC
发明人： TRAN TOAN Q , PARK SOONAM , KIM JUNGHOON , LUBOMIRSKY DMITRY
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/683 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32357 , H01J37/32082 , H01J37/32449 , H01J37/32834 , H01L21/311 , H01L21/67069 , H01L21/6831
摘要： 본명세서에서는기판에칭을위한방법및 장치가설명된다. 본명세서에서설명되는처리챔버는소스모듈, 프로세스모듈, 유동모듈, 및배기모듈을포함한다. RF 소스는챔버에결합될수 있고, 원격플라즈마는소스모듈내에서발생될수 있고, 직접플라즈마는프로세스모듈내에서발생될수 있다. 설명되는순환적에칭프로세스들은기판을에칭하기위해라디칼플라즈마와직접플라즈마를교대로사용할수 있다.

100. 发明公开

KR20180030256A 광 여기 프로세스용 장치 및 방법 审中-公开
标题翻译：用于光激励过程的装置和方法
公开(公告)号：KR20180030256A
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：KR20187007125
申请日：2014-02-24
申请人： APPLIED MATERIALS INC
发明人： MOFFATT STEPHEN
IPC分类号： H01L21/02 , C23C16/28 , C23C16/455 , C23C16/48 , C30B25/02 , C30B25/16 , C30B30/00
CPC分类号： C23C16/483 , C23C16/28 , C23C16/45504 , C30B25/02 , C30B25/165 , C30B30/00 , H01L21/02521 , H01L21/0262
摘要： 본발명의실시예들은기판상에층을증착하는방법및 장치를제공한다. 일실시예에서, 이방법은프로세싱챔버내에배치된기판의표면을유체전구체에노출하는단계, 재료층이형성되는기판의표면에걸쳐전자기방사가편향및 스캔되도록방사원으로부터생성된전자기방사를광 스캐닝유닛으로지향시키는단계, 기판의표면상에재료층을증착하도록유체전구체의광분해해리를위해선택된파장을갖는전자기방사를사용하여증착프로세스를개시하는단계를포함한다. 방사원은레이저소스, 휘도(bright) 발광다이오드(light emitting diode; LED) 소스, 또는열 소스를포함할수 있다. 일예에서, 방사원은자외선(UV) 파장범위에서출력을발생시키는광섬유레이저이다.
摘要翻译：本发明的实施例提供了用于在衬底上沉积层的方法和设备。在一个实施例中，该方法包括将布置在处理室内的衬底的表面暴露于流体前体，将从辐射源产生的电磁辐射引导至光扫描单元，使得电磁辐射偏转并扫描穿过在其上将形成材料层的基板，并且利用具有选定的波长的电磁辐射来引发沉积过程，以便使流体前体光解离解以将材料层沉积到基板的表面上。辐射源可以包括激光源，明亮的发光二极管（LED）源或热源。在一个示例中，辐射源是在紫外（UV）波长范围内产生输出的光纤激光器。

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