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91. 发明申请

WO2023030857A1 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD 审中-公开
公开(公告)号：WO2023030857A1
公开(公告)日：2023-03-09
申请号：PCT/EP2022/072576
申请日：2022-08-11
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： LEX, Andreas , AVRAMESCU, Adrian Stefan , MAHDAVI, Ali , VON MALM, Norwin , KÖNIG, Harald
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/00 , H01L33/32
摘要： In at least one embodiment, the optoelectronic semiconductor device (1) comprises at least one active semiconductor fin (2) which is configured to emit radiation by electroluminescence, wherein the at least one active semiconductor fin (2) starts from a base plane (20), and seen in top view of the base plane (20), the at least one active semiconductor fin (2) runs along at least two different directions (E).

92. 发明申请

WO2023016912A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL VON HALBLEITERLASERCHIPS UND HALBLEITERLASERCHIP 审中-公开
公开(公告)号：WO2023016912A1
公开(公告)日：2023-02-16
申请号：PCT/EP2022/071947
申请日：2022-08-04
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： VON MALM, Norwin , BEHRINGER, Martin Rudolf
IPC分类号： H01S5/02
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterlaserchips (20), das Verfahren umfassend Aufwachsen einer Halbleiterschicht (21) mit einem aktiven Bereich (22), Bilden von einer Vielzahl von Laserchipbereichen (29), wobei jeder Laserchipbereich (29) einen Teil des aktiven Bereichs (22), einen Teil der Halbleiterschicht (21), einen ersten Spiegel (25) und einen zweiten Spiegel (28) aufweist, Aufbringen einer Opferschicht (27) auf die Laserchipbereiche (29), Formen mindestens eines Stützbereichs (30) pro Laserchipbereich (29) innerhalb der Opferschicht (27), Aufbringen eines Hilfsträgers (31) auf die Opferschicht (27), Vereinzeln der Laserchipbereiche (29) in Halbleiterlaserchips (20) auf dem Hilfsträger (31), wobei jeder Halbleiterlaserchip (20) einen ersten Bereich (23) der Halbleiterschicht (21) und einen zweiten Bereich (24) der Halbleiterschicht (21) aufweist, wobei der erste Bereich (23) und der zweite Bereich (24) parallel zur Haupterstreckungsebene der Halbleiterschicht (21) voneinander verschiedene Erstreckungen aufweisen und der erste Spiegel (25) und der zweite Spiegel (28) an den zweiten Bereich (24) angrenzen, Entfernen der Opferschicht (27), und gleichzeitiges Transferieren zumindest einiger der Halbleiterlaserchips (20) auf einen Träger (32). Außerdem wird ein Halbleiterlaserchip (20) angegeben.

93. 发明申请

WO2022207792A1 LICHT EMITTIERENDE VORRICHTUNG UND LIDAR-SYSTEM 审中-公开
公开(公告)号：WO2022207792A1
公开(公告)日：2022-10-06
申请号：PCT/EP2022/058571
申请日：2022-03-31
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/58 , H01L33/483 , H01L33/486
摘要： Es wird eine Licht emittierende Vorrichtung (100) angegeben, die einen Gehäusekörper (2) mit einer Vertiefung (20), ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement (1) in der Vertiefung des Gehäusekörpers, das dazu vorgesehen und eingerichtet ist, im Betrieb Licht (9) abzustrahlen, und ein adaptives optisches Element (2) im und/oder am Gehäusekörper, das dem Licht emittierenden Halbleiterbauelement in einem Strahlengang des Lichts nachgeordnet ist, aufweist. Weiterhin wird ein LIDAR-System mit einer Licht emittierenden Vorrichtung (100) angegeben.

94. 发明申请

WO2021175607A1 OPTOELEKTRONISCHE VORRICHTUNG UND VERFAHREN 审中-公开
公开(公告)号：WO2021175607A1
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：PCT/EP2021/054007
申请日：2021-02-18
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： PLECHINGER, Gerd , VON MALM, Norwin , KREINER, Laura
IPC分类号： G01N21/47 , G01N21/31 , G01N33/02
摘要： Eine optoelektronische Vorrichtung (10) umfasst eine Anordnung (11) mit mehreren Emitterelementen (12), die dazu ausgebildet sind, nacheinander Licht unterschiedlicher Wellenlängenbereiche auszusenden, eine Anordnung (13) mit mehreren Time-of- Flight-Detektorelementen (14), die dazu ausgebildet sind, das von den Emitterelementen (12) ausgesandte und an einer Probe (17) reflektierte Licht zu detektieren und eine Messung zur Bestimmung des Abstands des Reflexionspunkts des Lichts an der Probe (17) von dem jeweiligen Time-of-Flight-Detektorelement (14) durchzuführen, und eine AusWerteeinheit (15), die dazu ausgebildet ist, für jeden von den Emitterelementen (12) ausgesandten Wellenlängenbereich anhand des vor den Time-of- Flight-Detektorelementen (14) detektierten Lichts und des Abstands des Reflexionspunkts des Lichts von dem jeweiligen Time-of-Flight-Detektorelement (14) ein dreidimensionales Bild der Probe (17) zu erzeugen und aus den Bildern die Verteilung eines Stoffs in der Probe (17) zu ermitteln.

95. 发明申请

WO2021110478A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINZELN ANSTEUERBAREN KONTAKTELEMENTEN UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
公开(公告)号：WO2021110478A1
公开(公告)日：2021-06-10
申请号：PCT/EP2020/083202
申请日：2020-11-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01S5/42 , H01S5/042 , H01S5/0239 , H01S5/183 , H01S5/02 , H01S5/062
摘要： Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) weist eine Vielzahl von lichtemittierenden Vorrichtungen (15) auf, die jeweils einen ersten Resonatorspiegel (115), einen zweiten Re- sonatorspiegel (120), eine aktive Zone (110) sowie ein zweites Kontaktelement (130) umfassen. Die aktive Zone (110) ist zwi- schen dem ersten und dem zweiten Resonatorspiegel (115, 120) angeordnet und geeignet, elektromagnetische Strahlung (30) zu emittieren. Die zweiten Kontaktelemente (130) und ein erstes Kontaktelement (125), das mit einer ersten Halbleiterschicht (111) von einem erstem Leitfähigkeitstyp der lichtemittieren- den Vorrichtungen (15) elektrisch verbunden ist, sind von ei- ner ersten Hauptoberfläche (101) der lichtemittierenden Vor- richtungen kontaktierbar. Mindestens zwei der zweiten Kontak- telemente (130) sind jeweils einzeln ansteuerbar.

96. 发明申请

WO2018091657A1 MULTIPIXEL-LED-BAUTEIL UND VERFAHREN ZUM BETREIBEN EINES MULTIPIXEL-LED-BAUTEILS 审中-公开
公开(公告)号：WO2018091657A1
公开(公告)日：2018-05-24
申请号：PCT/EP2017/079600
申请日：2017-11-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L25/075 , H01L27/15 , H05B33/08 , H05B37/02
摘要： Multipixel LED-Bauteil (1) mit einer Vielzahl von Emissionsbereichen (100), einer Vielzahl von Konversionselementen (40), die dazu ausgebildet sind von den Emissionsbereichen (100) emittierte Strahlung in Strahlung eines anderen Wellenlängenbereichs zu konvertieren, einer Regelvorrichtung (20) umfassend eine Vielzahl von Stromquellen (200) und eine Übertragungseinheit (201) ausgebildet zur drahtlosen Datenübertragung, und zwei elektrischen Kontaktstrukturen (30), über die das LED-Bauteil (1) bestromt wird, wobei die Regelvorrichtung (20) mechanisch fest mit den Emissionsbereichen (100) verbunden ist, jedem Emissionsbereich (100) eineindeutig eine der Stromquellen (200) zugeordnet ist, die Übertragungseinheit (201) dazu vorgesehen ist Signale (S) zur Steuerung der Stromquellen (200) zu empfangen, die Stromquellen (200) entsprechend der Signale (S) ansteuerbar sind, jede Stromquelle (200) dazu ausgebildet ist den ihr zugeordneten Emissionsbereich (100) zu betreiben, und die Anzahl der Emissionsbereiche (100) größer ist als die Anzahl der Kontaktstrukturen (30).

97. 发明申请

WO2017060160A1 HALBLEITERLASER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERLASERS 审中-公开
标题翻译：半导体激光器和一种用于生产半导体激光器
公开(公告)号：WO2017060160A1
公开(公告)日：2017-04-13
申请号：PCT/EP2016/073352
申请日：2016-09-29
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： SINGER, Frank , VON MALM, Norwin , RÜGHEIMER, Tilman , KIPPES, Thomas
IPC分类号： H01S5/022 , H01S5/042 , H01S5/02 , H01S5/024 , H01S5/22 , H01S5/323
CPC分类号： H01S5/0224 , H01L21/568 , H01L24/19 , H01L2224/04105 , H01L2924/18162 , H01S5/0201 , H01S5/02228 , H01S5/02461 , H01S5/02469 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S2301/176
摘要： In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2). Die Halbleiterschichtenfolge (2) beinhaltet einen n-leitenden Bereich (23), einen p- leitenden Bereich (21) und eine dazwischen liegende aktive Zone (22). In einer Resonatorstrecke (3) wird eine Laserstrahlung erzeugt. Die Resonatorstrecke (3) ist parallel zur aktiven Zone (22) ausgerichtet. Ferner beinhaltet der Halbleiterlaser (1) einen elektrischen p-Kontakt (41) und einen elektrischen n-Kontakt (43), die sich je an dem zugehörigen Bereich (21, 23) der Halbleiterschichtenfolge (2) befinden und die zur Einprägung von Strom direkt in dem zugehörigen Bereich (21, 23)eingerichtet sind. Der n-Kontakt (43) erstreckt sich von dem p-leitenden Bereich (21) her durch die aktive Zone (22) hindurch in den n-leitenden Bereich (23) und befindet sich, in Draufsicht gesehen, neben der Resonatorstrecke (3).
摘要翻译：在半导体激光器（1）的一个实施例包括半导体层序列（2）。半导体层序列（2）包括n型区域（23），p型区域（21）和中间有源区（22）。在一个Resonatorstrecke（3）的激光辐射产生的。所述Resonatorstrecke（3）平行于对准的有源区（22）。此外，半导体激光器（1）包括电动p接触（41），并且根据相关联的部分的半导体层序列（2）位于的电正触点（43）（21，23）和用于施加电流的权利在相应的区域（21，23）被布置。从p型区域（21）延伸的n接触（43）通过所述有源区（22）进入n型区域（23）和位于，在俯视图，（3）旁边Resonatorstrecke ，

98. 发明申请

WO2017046000A1 LICHTEMITTIERENDES BAUELEMENT SOWIE VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES LICHTEMITTIERENDEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：发光器件及其制备一种发光器件，所述的方法
公开(公告)号：WO2017046000A1
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：PCT/EP2016/071215
申请日：2016-09-08
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MARTIN, Alexander , VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L27/15 , H01L25/075 , H01L25/16 , H01L33/00
CPC分类号： H01L27/156 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L33/0079
摘要： Es wird ein Bauelement angegeben, umfassend zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchip (42) mit: einem Anschlusssubstrat (4) aufweisend eine Montagefläche (4a) und elektrische Kontaktstrukturen und - einer Vielzahl strukturierter Halbleitereinheiten (2), jeweils aufweisend eine Vielzahl von monolithisch zusammenhängenden Bildpunkten (21) mit jeweils einer aktiven Schicht, die im Betrieb Licht emittiert, wobei: - die Halbleitereinheiten (2) lateral beabstandet zueinander auf der Montagefläche (4a) angeordnet sind, ein Abstand (d) benachbarter Halbleitereinheiten (2) wenigstens 5 µm und höchstens 55 µm beträgt und die Bildpunkte (21) elektrisch getrennt ansteuerbar sind. Es wird auch ein Verfahren zur Herstellung dieses Bauelements angegeben.
摘要翻译：它是指定的部件，包括至少一个光电子半导体芯片（42），包括：包括安装面（4a）和电接触结构，以及一端子基板（4） - 有多个图案化的半导体单元（2）的每一个包括多个单片连续的像素的（21 ），每一个具有其在操作中发射光的有源层，其特征在于： - 所述半导体单元（2）彼此横向间隔开的安装表面（图4a）被布置成相邻的半导体器件（2）至少为5微米的距离（d），并且不超过55微米是与像素（21）被控制电分离。还提供了制造该装置的方法。

99. 发明申请

WO2016202794A1 BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译： COMPONENT和方法的用于制造部件
公开(公告)号：WO2016202794A1
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：PCT/EP2016/063622
申请日：2016-06-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： VON MALM, Norwin , SINGER, Frank
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/48
CPC分类号： H01L33/62 , G02B6/0073 , G02B6/0083 , H01L33/0095 , H01L33/382 , H01L33/486 , H01L33/60 , H01L2933/0066 , H01L2933/0091
摘要： Es wird ein Bauelement (100)mit einem Träger (1) und einem auf dem Träger angeordneten Halbleiterkörper (2) angegeben, wobei der Träger aus einem Formkörper (5) sowie einer Metallschicht (4) gebildet ist. Die Metallschicht weist zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers einen ersten Teilbereich (41) und einen zweiten Teilbereich (42) auf, wobei der erste Teilbereich von dem zweiten Teilbereich durch einen Zwischenraum (40) lateral beabstandet und dadurch elektrisch getrennt ist. Der Formkörper füllt den Zwischenraum auf und weist eine sich in lateralen Richtungen erstreckende Oberfläche auf, welche frei von den Teilbereichen der Metallschicht ist und die Rückseite des Trägers bildet. Der Träger weist eine Seitenfläche (10) auf, die bereichsweise durch eine sich in vertikalen Richtungen erstreckende Oberfläche des Formkörpers gebildet ist, wobei zumindest einerder Teilbereiche (41, 42) über die Seitenfläche elektrisch kontaktierbar ausgebildet ist. Des Weiteren wird ein Verfahren angegeben, das zur Herstellung eines solchen Bauelements besonders geeignet ist.
摘要翻译：据上述（1）和，布置在所述半导体主体（2），与载体，其中所述载体是成型体（5）和金属层（4）的部件（100）形成在所述载体上。所述金属层具有对所述半导体主体的上的第一部分（41）和第二部分（42）电接触，其中，从所述第二部分通过一间隙（40），所述第一部分横向地且由此电隔离开。的成型体填充间隙和在横向方向上表面，该表面从所述金属层的部分自由并形成穿着者的背部已延伸。该载体具有一个侧表面（10）在其上部分地由所述成型体的垂直方向上的表面，延伸其特征在于所述的至少一个部分（41，42）形成在侧表面电接触地形成。此外，提供了其特别适合于制造这种组件的方法。

100. 发明申请

WO2016162430A1 BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译： COMPONENT和方法的用于制造部件
公开(公告)号：WO2016162430A1
公开(公告)日：2016-10-13
申请号：PCT/EP2016/057637
申请日：2016-04-07
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/38 , H01L31/02005 , H01L31/0203 , H01L31/022408 , H01L33/54 , H01L33/62
摘要： Es wird ein Bauelement (100) mit einem Träger (1) und einem in vertikaler Richtung auf dem Träger angeordneten Halbleiterkörper (2) angegeben, wobei der Träger mindestens eine Metallschicht (3, 4, 5) zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers, eine nicht-metallische Formkörperschicht (90) und mindestens eine elektrisch isolierende Isolierungsschicht (92, 93) aufweist. In dem Träger sind innere Verankerungsstrukturen (6) gebildet, wobei mindestens zwei Schichten aus der Gruppe aus der Metallschicht, der Formkörperschicht und der Isolierungsschicht mittels der inneren Verankerungsstrukturen miteinander verankert sind. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements angegeben.
摘要翻译：据上述（1），并且在载体上布置在竖直方向上的半导体主体（2），带有载体的部件（100），其中所述载体是至少一种金属层（3，4，5），用于在半导体本体的电接触，非金属模体层（90）和至少一个电绝缘绝缘层（92，93）。在载波内锚定结构（6）形成，其中，从所述组中的金属层，所述成型体层和所述绝缘层的至少两层由内锚定结构的装置固定到彼此。此外，提供了一种用于制造器件的方法。

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