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91. 发明授权

KR101352861B1 코어(Se)-쉘(Ag2Se) 나노입자를 이용한 A(C)IGS계 박막의 제조방법, 이에 의해 제조된 A(C)IGS계 박막 및 이를 포함하는 탠덤 태양전지 有权
标题翻译：使用CORE（SE）-SHELL（AG2SE）纳米颗粒的A（C）基于IGS的薄膜的制备方法，以及由其制备的（C）基于IGS的薄膜，以及包含其的TANDEM太阳能电池
公开(公告)号：KR101352861B1
公开(公告)日：2014-02-18
申请号：KR1020120150680
申请日：2012-12-21
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 조아라 , 윤경훈 , 안세진 , 윤재호 , 곽지혜 , 신기식 , 어영주 , 안승규
IPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/0725 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/035209 , C01B19/00 , C01B19/007 , C01P2004/80 , C01P2006/40 , H01L31/0322 , H01L31/0352 , H01L31/1864 , Y02E10/541
摘要： The present invention relates to a method for manufacturing an A(C)IGS-based thin film using core (Se) - shell (Ag2Se) nanoparticles and an A(C)IGS-based thin film and a tandem solar cell having the same, more particularly, to a method for manufacturing a dense thin film by non-vacuum coating slurries using core (Se) - shell (Ag2Se) nanoparticles and a A(C)IGS-based thin film and a tandem solar cell having the same. According to the present invention, a wide band gap A(C)IGS-based thin film can be provided by manufacturing an A(C)IGS-based thin film which contains Ag by applying core (Se) - shell (Ag2Se) nanoparticles to the manufacture of A(C)IGS-based thin film.
摘要翻译：本发明涉及一种使用核（Se） - 壳（Ag2Se）纳米颗粒和A（C）IGS系薄膜及其串联太阳能电池制造A（C）IGS系薄膜的方法，更具体地说，涉及使用芯（Se） - 壳（Ag2Se）纳米颗粒和A（C）IGS系薄膜和具有该薄膜的串联太阳能电池的非真空涂布浆料制造致密薄膜的方法。根据本发明，可以通过将芯（Se） - 壳（Ag2Se）纳米颗粒应用于包含Ag的A（C）IGS系薄膜来制造宽带隙A（C）IGS系薄膜制造A（C）基于IGS的薄膜。

92. 发明公开

KR1020130107904A 후면전극 표면에 텍스처가 형성된 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조된 칼코게나이드계 태양전지 有权
标题翻译：具有双面纹理结构的具有双面纹理结构的合成碳纳米管太阳能电池的制造方法
公开(公告)号：KR1020130107904A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：KR1020120030081
申请日：2012-03-23
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 안승규 , 윤경훈 , 윤재호 , 조준식 , 안세진 , 곽지혜 , 신기식 , 조아라 , 유진수 , 박상현 , 박주형 , 어영주
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0236 , H01L31/0749 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02363 , H01L31/02366 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a chalcogenide solar cell with a double texture structure formed on the surface of a back electrode, and the chalcogenide solar cell manufactured by the same are provided to increase light capturing performance by forming a front texture and a back texture. CONSTITUTION: A back texture (32) is formed on the surface of a back electrode. A light absorption layer (40) of a chalcogenide semiconductor material is formed on the back electrode. A buffer layer (50) is formed on the light absorption layer. A transparent electrode is formed on the buffer layer. A front texture (62) is formed on the surface of the transparent electrode.
摘要翻译：目的：制造在背面电极表面上形成的具有双重质感结构的硫族化物太阳能电池的方法，以及由其制造的硫族化物太阳能电池，以通过形成正面纹理和背部纹理来增加光捕获性能。构成：在背面电极的表面上形成背面纹理（32）。硫属元素半导体材料的光吸收层（40）形成在背电极上。在光吸收层上形成缓冲层（50）。在缓冲层上形成透明电极。在透明电极的表面上形成正面纹理（62）。

93. 发明授权

KR101281053B1 태양전지 열화 테스트 챔버 및 이를 이용한 테스트 방법 有权
标题翻译：用于太阳能电池的测试室和使用它的测试方法
公开(公告)号：KR101281053B1
公开(公告)日：2013-07-09
申请号：KR1020120054547
申请日：2012-05-23
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 박상현 , 곽지혜 , 안세진 , 윤경훈 , 신기식 , 안승규 , 조아라 , 윤재호 , 조준식 , 유진수 , 박주형 , 어영주
IPC分类号： G01R31/36 , H01L31/042
CPC分类号： Y02E10/50 , G01R31/36 , H01L31/042
摘要： PURPOSE: A solar cell deterioration test chamber and a test method using the same are provided to make an internal chamber environment be a prerequisite for a deterioration test while a solar cell is installed within a chamber for the deterioration test, to make artificial light be not irradiated to the solar cell until a light amount of an artificial light source is stabilized up to a required level for the deterioration test and to make the artificial light be irradiated to the solar cell without changing inner temperature or humidity of the chamber after being stabilized. CONSTITUTION: A solar cell deterioration test chamber includes a chamber housing (201), a light shielding partition (210), a rotary type jig (220) and a temperature control unit. The chamber housing has a light penetration window through which light penetrates. The light shielding partition having an open part divides an internal space of the chamber housing into a first space adjacent to the light penetration window and a second space which is in an opposite side of the first space and shields light penetration from the first space to the second space. The rotary type jig installed to rotate at least 180 degrees in the open part of the light shield partition has a body for shielding light penetration and includes a solar cell for a test object in one surface. The temperature control unit controls the first space and the second space to substantially maintain the same temperature.
摘要翻译：目的：提供一种太阳能电池劣化试验箱及其试验方法，在将太阳能电池安装在用于劣化试验的室内时，使室内环境成为劣化试验的先决条件，使人造光不照射到太阳能电池，直到人造光源的光量稳定到劣化试验的所需水平，并且在稳定后不改变室内温度或湿度使人造光照射到太阳能电池。构成：太阳能电池劣化试验室包括室室（201），遮光隔板（210），旋转式夹具（220）和温度控制单元。腔室具有透光窗口，光穿过其中。具有开口部分的遮光隔板将室壳体的内部空间划分成与透光窗相邻的第一空间和与第一空间相反的一侧的第二空间，并将光从第一空间屏蔽到第二空间。安装成在遮光隔板的敞开部分中旋转至少180度的旋转式夹具具有用于屏蔽透光的主体，并且在一个表面中包括用于测试对象的太阳能电池。温度控制单元控制第一空间和第二空间以基本保持相同的温度。

94. 发明授权

KR101271499B1 반도체 박막 제조용 반응기 및 그를 이용한 반도체 박막 제조 방법 有权
标题翻译：制造半导体薄膜的反应器及其制造方法
公开(公告)号：KR101271499B1
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：KR1020110094532
申请日：2011-09-20
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 고창현 , 김종남 , 박종호 , 한상섭 , 윤재호 , 윤경훈 , 안세진 , 곽지혜
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 본 발명은 반도체 박막 제조용 반응기 및 그를 이용한 반도체 박막 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 반도체 박막 제조용 반응기는 내부에 기판이 수용될 수 있는 공간이 형성된 상태로 상부가 개방되며, 유체가 유입될 수 있는 유입구 및 유출될 수 있는 유출구가 형성된 용기; 상기 용기의 개방된 상부를 덮는 덮개; 및 상기 용기의 하부에 위치하여 기판을 가열하기 위해 상기 용기 측으로 빛을 조사하는 광조사부를 포함하고, 상기 용기의 재질은 빛을 투과할 수 있는 것임을 특징으로 한다. 그러므로 용기는 빛을 투과할 수 있고, 기판은 불투명하게 제작되기 때문에 용기 측으로 빛을 조사할 때, 용기 자체는 가열 되지 않고, 불투명한 기판만 가열되어 기판에 박막을 균일하게 형성할 수 있다는 효과가 있다.

95. 发明授权

KR101193106B1 Ｃｕ-Ｓｅ 이성분계 나노입자 플럭스를 이용한 Ｃｕ-Ｓｅ 박막을 포함하는 ＣＩ(Ｇ)Ｓ계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 ＣＩ(Ｇ)Ｓ계 박막 有权
标题翻译：使用CU-SE二元纳米颗粒作为通量的CI（G）S基化合物薄膜的制备方法和由其制备的CI（G）S基化合物薄膜
公开(公告)号：KR101193106B1
公开(公告)日：2012-10-19
申请号：KR1020110071294
申请日：2011-07-19
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 조아라 , 윤경훈 , 윤재호 , 곽지혜 , 안세진 , 신기식 , 안승규
IPC分类号： H01L31/0445 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/18 , H01L21/02422 , H01L21/02491 , H01L21/02568 , H01L21/02601 , H01L21/02614 , H01L21/02628 , H01L31/0322 , H01L31/035218 , H01L31/0749 , Y02E10/541
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a CI(G)S based thin film including a Cu-Se thin film using Cu-Se binary nano particle flux and the CI(G)S based thin film manufactured by the same are provided to obtain a dense structure by filling a gap between particles. CONSTITUTION: Cu-Se binary nano particles an In nano particles are made. Slurry including Cu-Se binary nano particles is made by mixing the Cu-Se binary nano particles, solvents, and a binder. Slurry including In nano particles is made by mixing the In nano particles, the solvents, and the binder. A thin film is formed by alternatively coating a substrate with the slurry including Cu-Se binary nano particles and the slurry including In nano particles. The thin film is thermally processed for 60 to 90 minutes at substrate temperatures of 520 to 550 degrees centigrade by supplying selenium steam. [Reference numerals] (AA) Selenization thermal process; (BB) Cu-Se flux
摘要翻译：目的：提供一种使用Cu-Se二元纳米粒子通量的Cu-Se薄膜和由其制造的CI（G）S系薄膜的CI（G）S系薄膜的制造方法，填充颗粒之间的间隙的结构。构成：制备Cu-Se二元纳米颗粒和纳米颗粒。通过混合Cu-Se二元纳米颗粒，溶剂和粘合剂制备包括Cu-Se二元纳米颗粒的浆料。包括纳米颗粒在内的浆料是通过混合In纳米颗粒，溶剂和粘合剂制成的。通过用包括Cu-Se二元纳米颗粒和包含In纳米颗粒的浆料的浆料交替地涂布基材来形成薄膜。通过提供硒蒸汽将薄膜在520至550摄氏度的基板温度下热处理60至90分钟。（附图标记）（AA）硒化热处理; （BB）Cu-Se焊剂

96. 发明授权

KR101192289B1 이성분계 나노입자 하이브리드 방법을 이용한 ＣＩ(Ｇ)Ｓ계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 ＣＩ(Ｇ)Ｓ계 박막 有权
标题翻译：使用二元纳米颗粒水和CI（G）S基的化合物薄膜制备CI（G）S基化合物薄膜的制备方法
公开(公告)号：KR101192289B1
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：KR1020110070403
申请日：2011-07-15
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 조아라 , 윤경훈 , 윤재호 , 곽지혜 , 안세진 , 신기식 , 안승규
IPC分类号： H01L31/0445 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0322 , C23C18/1204 , C23C18/1254 , H01L21/02568 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , Y02E10/541
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a CI(G)S based thin film using a binary nano particle hybrid method and the CI(G)S based thin film manufactured by the same are provided to improve the efficiency of a solar cell by densifying the structure of a thin film. CONSTITUTION: CI(G)S based binary nano particles are made using a low temperature colloidal method. The CI(G)S based binary nano particles are selected among a group of Cu-Se, In-Se, Ga-Se, Cu-S, In-S and Ga-S. Hybrid slurry is made by mixing the binary nano particles, a solution precursor including CI(G)S based elements, alcohol based solvents and chelating agents. A CI(G)S based thin film is formed by coating the hybrid slurry. The formed CI(G)S thin film is thermally processed.
摘要翻译：目的：提供一种使用二元纳米颗粒混合法制造CI（G）S基薄膜的方法和由其制造的基于CI（G）S的薄膜），以通过使结构致密化来提高太阳能电池的效率的薄膜。构成：使用低温胶体法制备CI（G）S基二元纳米颗粒。 CI（G）S二元纳米粒子选自Cu-Se，In-Se，Ga-Se，Cu-S，In-S和Ga-S。混合浆料是通过混合二元纳米颗粒，包括CI（G）S基元素，醇基溶剂和螯合剂的溶液前体制成的。通过涂布混合浆料形成基于CI（G）S的薄膜。形成的CI（G）S薄膜被热处理。

97. 发明授权

KR101145180B1 자체 전력으로 후면을 가열하는 저열화 실리콘 박막 태양 전지 有权
标题翻译：使用全功能加热低温硅胶薄膜
公开(公告)号：KR101145180B1
公开(公告)日：2012-05-14
申请号：KR1020100074576
申请日：2010-08-02
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 박상현 , 이정철 , 조준식 , 윤경훈 , 윤재호 , 안세진
IPC分类号： H01L31/0445
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 본 발명은 실리콘 박막 태양 전지에 관한 것으로서, 특히 태양 전지에서 생산되는 전기 중 일부로 태양 전지의 후면 온도를 상승시켜 열화를 감소시키고 장기간 동안의 전체 발전량을 개선시킬 수 있는 자체 전력으로 후면을 가열하는 저열화 실리콘 박막 태양 전지에 대한 것이다. 본 발명의 태양 전지는, 제 1 태양 전지; 제 2 태양 전지; 및 상기 제 2 태양 전지와 전기적으로 접속되며, 상기 제 1 태양 전지 및 상기 제 2 태양 전지의 후면에 위치하는 발열층을 포함한다. 또한, 이에 따라 본 발명은 태양 전지의 일부 태양 전지 셀 라인에서 자체 생산되는 전기로 발열층을 가열하여 태양 전지 후면의 온도를 상승시켜 열화를 감소시키고, 열화에 따른 손상 및 오작동을 방지할 수 있는 자체 전력으로 후면을 가열하는 저열화 실리콘 박막 태양 전지를 제공할 수 있다.

98. 发明授权

KR101070774B1 염료감응 태양전지용 나노젤형 전해질, 이의 제조방법 및 이를 이용한 염료감응 태양전지 有权
标题翻译：用于透明的SOLARCELL的纳米级电解质，其制备方法和使用其的透明的SOLARCELL
公开(公告)号：KR101070774B1
公开(公告)日：2011-10-07
申请号：KR1020100067557
申请日：2010-07-13
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 한치환 , 윤경훈 , 한상도 , 조태연 , 배상훈 , 전세미나
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： Y02E10/542 , H01G9/2018 , B82Y40/00
摘要： 본 발명은 실릴프로필메타크릴레이트가 결합된 나노실리카 분말; 및 액체 전해질을 포함하는 염료감응 태양전지용 나노젤형 전해질, 이의 제조방법 및 이를 이용한 염료감응 태양전지에 관한 것이다. 고온에서 액체 전해질이 증발되는 현상을 감소시켜 장기 안정성을 향상시킬 수 있으며, 프린팅 방법에 의해 전해질층 형성이 가능하여 양산성이 우수한 본 발명의 염료감응 태양전지용 나노젤형 전해질을 염료감응 태양전지에 활용함으로써, 우수한 안정성, 양산성, 광전변환효율을 갖는 염료감응 태양전지를 제공할 수 있다.

99. 发明授权

KR101062486B1 발열체를 이용한 저열화 실리콘 박막 태양 전지 失效
标题翻译：使用加热元件的低降解硅薄膜光伏
公开(公告)号：KR101062486B1
公开(公告)日：2011-09-05
申请号：KR1020100074579
申请日：2010-08-02
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 박상현 , 이정철 , 조준식 , 윤경훈 , 신기식 , 조아라 , 안승규
IPC分类号： H01L31/0445
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/0445
摘要： 본 발명은 실리콘 박막 태양 전지에 관한 것으로서, 특히, 태양 전지의 후면에 구비된 발열층을 가열하는 발열체를 이용하여 태양 전지의 후면 온도를 상승시켜 열화를 감소시키고 장기간 동안의 전체 발전량을 개선시킬 수 있는 발열체를 이용한 저열화 실리콘 박막 태양 전지에 대한 것이다. 본 발명의 발열체를 이용한 저열화 실리콘 박막 태양 전지는, 상기 태양 전지의 일면에 구비된 발열층; 및 상기 발열층에 열을 전달하는 발열체를 포함하여 이루어진다. 또한, 이에 따라, 본 발명은 태양광을 집광하여 발열하는 발열체와 발열체에서 열을 전달받아 태양 전지의 후면 온도를 일정하게 상승 및 유지시켜 태양 전지의 열화를 방지하는 발열층을 구비하여 열화에 따른 태양 전지의 손상 및 오작동을 방지할 수 있는 발열체를 이용한 저열화 실리콘 박막 태양 전지를 제공할 수 있다. 또한, 본 발명은 발열체를 이용하여 추가적인 전력 소모 없이 태양 전지 후면의 온도를 일정하게 상승 및 유지시킬 수 있는 발열체를 이용한 저열화 실리콘 박막 태양 전지를 제공할 수 있다.

100. 发明授权

KR100743923B1 씨아이예스계 화합물 박막 태양 전지의 후면 전극 有权
标题翻译： 씨아이예스계화합물박막태양전지의후면전극
公开(公告)号：KR100743923B1
公开(公告)日：2007-07-30
申请号：KR1020060012093
申请日：2006-02-08
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 윤재호 , 윤경훈 , 김기환 , 안병태 , 김민식 , 안세진 , 이정철
IPC分类号： H01L31/0445 , H01L31/0224
摘要： A back surface electrode of a CIS(CuInSe2)-based compound thin solar cell is provided to quantify the quantity of added sodium by using a dual layer of sodium-added molybdenum and molybdenum. A first electrode layer is made of molybdenum to which sodium deposited at an argon partial pressure of 5~15 millitorr is added. A second electrode layer is made of molybdenum deposited at an argon partial pressure of 1~4 millitorr. The first and second electrode layers are included in a metal electrode of a CIGS(Cu(In,Ga)Se2)-including CIS-based compound thin solar cell. The lower substrate of the first electrode layer further includes a glass substrate and an alumina layer.
摘要翻译：提供基于CIS（CuInSe2）的化合物薄太阳能电池的背表面电极以通过使用添加钼的钼和钼的双层来量化添加的钠的量。第一电极层由钼制成，向其中加入在氩气分压为5〜15毫托下沉积的钠。第二电极层由在1〜4毫托的氩气分压下沉积的钼制成。第一电极层和第二电极层包含在CIGS（Cu（In，Ga）Se2） - 包括CIS-基化合物薄太阳能电池的金属电极中。第一电极层的下基板还包括玻璃基板和氧化铝层。

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