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91. 发明授权

KR101348515B1 금속배선 형성을 위한 저점도 식각용액 有权
标题翻译：用于金属布线的低粘度蚀刻液
公开(公告)号：KR101348515B1
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：KR1020130057656
申请日：2013-05-22
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 이준우 , 이석준 , 신혜라
IPC分类号： C09K13/04 , C09K13/00 , C23F1/20 , H01L21/306
摘要： 본 발명은, 금속막 식각용액에 관한 것으로서, 조성물의 총 중량에 대해 5 내지 40중량%의 황산과; 조성물의 총 중량에 대해 0.5 내지 30중량%의 질산과; 조성물의 총 중량에 대해 0.1 내지 10중량%의 할로겐 계열 첨가제와; 조성물의 총 중량에 대해 0.5 내지 20 중량%의 무기계킬레이트화제와 조성물의 총 중량에 대해 나머지 성분은 물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 금속막 식각용액으로, 인듐산화막, 알루미늄, 알루미늄합금, 몰리브덴 및 몰리브덴합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상으로 마련되는 단일막 또는 다층막을 식각할 경우, 매우 양호한 식각특성을 제공할 수 있다. 더욱이, 액정표시장치용 어레이기판의 제조시 본 발명에 따른 금속막 식각용액을 사용하는 경우 식각속도의 조절이 가능하며, 양호한 프로파일을 얻을 수 있으며, 기판의 크기가 커도 식각균일성을 유지할 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及金属膜蚀刻溶液，其包含基于组合物总重量的5-40重量％的硫酸; 基于组合物的总重量，0.5-30重量％的硝酸; 基于组合物总重量的0.1-10重量％的卤素基添加剂; 基于组合物总重量的0.5至20重量％的螯合剂，并且基于组合物总重量的组合物的其余部分为水。

92. 发明授权

KR101346917B1 박막트랜지스터의 제조방법, 및 상기 방법에 이용되는식각액 조성물 有权
标题翻译：一种制造薄膜晶体管的方法以及在该方法中使用的蚀刻剂组合物
公开(公告)号：KR101346917B1
公开(公告)日：2014-01-03
申请号：KR1020080010997
申请日：2008-02-04
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 신혜라 , 이석준 , 이석
IPC分类号： H01L29/786
摘要： 본 발명은, 반도체층, 게이트 절연막, 구리막과 몰리브덴 합금막을 포함하는 게이트 전극, 층간절연막, 및 구리막과 몰리브덴 합금막을 포함하는 소오스/드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터에 있어서, 상기 게이트 전극 및 소오스/드레인 전극을 조성물의 총 중량에 대해, 무기염 산화제 1 내지 20중량%; 무기산 1 내지 10중량%; 인산염 0.1 내지 5중량%; 질소원자를 포함하는 제 1 첨가제 0.2 내지 4중량%; 질소원자를 포함하는 제 2 첨가제 0.2 내지 4중량%; 플루오르 화합물 0.01 내지 1.0중량%; 및 물 잔량을 포함하는 것을 특징으로 하는 구리-몰리브덴막 식각액 조성물을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법 및 상기 제조방법에 이용되는 식각액 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 조성물을 사용하는 경우, 종래에 과산화수소수를 주산화제로 사용하는 조성물과 달리 불안정성 문제가 없으며, 식각 잔사가 발생하지 아니하여 전기적인 쇼트나 배선의 불량, 휘도의 감소 등의 문제가 발생하지 않으며, 게이트 전극 및 게이트 배선, 데이터 전극 및 데이터 배선을 일괄 식각하는 것이 가능하게 되어 공정이 매우 단순화되고 공정수율이 극대화 되는 효과를 얻을 수 있다.
구리막, 몰리브덴막, 박막트랜지스터, 식각액 조성물
摘要翻译：本发明中，半导体层，栅极绝缘层，栅极，其包括根据上述薄膜晶体管，其包括源极/漏极电极，其中包括一个膜，所述栅电极和源极的铜层和钼合金膜电极，层间绝缘膜和铜膜和钼合金 /排水电极，其量为无机盐氧化剂的1至20重量％，基于组合物的总重量; 1至10重量％的无机酸; 0.1至5重量％的磷酸盐; 0.2至4重量％的包含氮原子的第一添加剂; 0.2至4重量％的包含氮原子的第二添加剂; 0.01至1.0重量％的氟化合物; 本发明还涉及用于制造薄膜晶体管的方法中的蚀刻溶液组合物。

93. 发明公开

KR1020130070518A 액정 표시장치용 어레이 기판 제조방법 审中-实审
标题翻译：用于液晶显示的阵列基板的制造方法
公开(公告)号：KR1020130070518A
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：KR1020120133093
申请日：2012-11-22
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 윤영진 , 유인호 , 이석준
IPC分类号： G02F1/136 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/4908 , C23F1/18 , G02F1/136286 , H01L21/32134 , H01L29/458
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing an array substrate for a liquid crystal display is provided to prevent the overheat due to chain decomposition reaction of hydrogen peroxide by controlling the concentration of copper ions in an etchant in an etching process. CONSTITUTION: After a gate electrode is formed on a substrate, a gate insulating layer is formed on the substrate. After a semiconductor layer is formed on the gate insulating layer, the source/drain electrode is formed on the semiconductor layer. A pixel electrode is formed. The gate electrode and the source/drain electrode are formed by etching a copper metal layer. An etchant composition includes peracetic acid 1 to 10 weight %, fluorine compound 0.01 to 2 weight %, water-soluble cyclic amine compound 0.01-5.0 weight %, glycol 0.1-4 weight %, and water.
摘要翻译：目的：提供一种制造液晶显示器用阵列基板的方法，以通过在蚀刻工艺中控制蚀刻剂中的铜离子的浓度来防止由于过氧化氢的链分解反应引起的过热。构成：在基板上形成栅电极之后，在基板上形成栅极绝缘层。在栅绝缘层上形成半导体层之后，在半导体层上形成源/漏电极。形成像素电极。通过蚀刻铜金属层来形成栅极电极和源极/漏极电极。蚀刻剂组合物包括过乙酸1〜10重量％，氟化合物0.01〜2重量％，水溶性环胺化合物0.01-5.0重量％，乙二醇0.1〜4重量％，水。

94. 发明公开

KR1020120015487A 구리와 티타늄을 포함하는 금속막용 식각액 조성물 有权
标题翻译：用于包含铜和钛的金属层的蚀刻溶液组合物
公开(公告)号：KR1020120015487A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：KR1020100077624
申请日：2010-08-12
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 박영철 , 이석준 , 강경민 , 장상훈
IPC分类号： C09K13/08 , C23F1/18
摘要： PURPOSE: An etchant composition is provided to have excellent etching performance to metal layer comprising copper and titanium, to simplify etching process, and to improve productivity. CONSTITUTION: An etchant composition for a metal layer with copper and titanium comprises 5-20 weight% of persulfate, 0.01-2 weight% of a fluorine-containing compound, 1-10 weight% of inorganic acid, 0.3-5 weight% of a cyclic amine compound, 0.1-5 weight% of a chlorine-containing compound, 0.1-5 weight% of a phosphate, and residue water. The persulfate is at least one selected from a group consisting of ammonium persulfate, sodium persulfate, and potassium persulfate. The inorganic acid is at least one selected from nitric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, and perchloric acid.
摘要翻译：目的：提供蚀刻剂组合物以对包含铜和钛的金属层具有优异的蚀刻性能，以简化蚀刻工艺，并提高生产率。构成：具有铜和钛的金属层的蚀刻剂组合物包含5-20重量％的过硫酸盐，0.01-2重量％的含氟化合物，1-10重量％的无机酸，0.3-5重量％的环胺化合物，0.1-5重量％的含氯化合物，0.1-5重量％的磷酸盐和残余水。过硫酸盐是选自过硫酸铵，过硫酸钠和过硫酸钾中的至少一种。无机酸是选自硝酸，硫酸，磷酸和高氯酸中的至少一种。

95. 发明公开

KR1020110019602A 금속 배선 형성을 위한 식각액 조성물 有权
标题翻译：用于形成金属线的蚀刻溶液组合物
公开(公告)号：KR1020110019602A
公开(公告)日：2011-02-28
申请号：KR1020090077208
申请日：2009-08-20
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 임민기 , 이석준 , 장상훈 , 박영철
IPC分类号： C09K13/08
摘要： PURPOSE: An etching solution composition is provided to improve productivity of etching process and to ensure quick etching speed without damage to equipment. CONSTITUTION: An etching solution composition contains 1-20 weight% of H_2O_2; 1-15 weight% of compound in which nitrate ion is dissolved; 1-5 weight% of persulfated salt compound, 0.01-5 weight% of cyclic amine compound; and remaining amount of water. The compound in which nitrate ion is dissolved is one or more selected from the group consisting of ammonium nitrate, sodium nitrate, potassium nitrate, and nitric acid.
摘要翻译：目的：提供蚀刻溶液组合物以提高蚀刻工艺的生产率，并确保快速的蚀刻速度，而不会损坏设备。构成：蚀刻溶液组合物含有1-20重量％的H_2O_2; 1-15重量％的溶解有硝酸根离子的化合物; 1-5重量％的过硫酸盐化合物，0.01-5重量％的环胺化合物; 和剩余的水量。其中硝酸根离子溶解的化合物是选自硝酸铵，硝酸钠，硝酸钾和硝酸的一种或多种。

96. 发明公开

KR1020110016724A 금속 배선 형성을 위한 식각액 조성물 无效
标题翻译：用于形成金属线的蚀刻溶液组合物
公开(公告)号：KR1020110016724A
公开(公告)日：2011-02-18
申请号：KR1020090074367
申请日：2009-08-12
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 양승재 , 이석준 , 장상훈 , 이준우
IPC分类号： C09K13/08 , C09K13/04 , C23F1/20
CPC分类号： C23F1/44 , C09K13/08 , C23F1/10
摘要： PURPOSE: An etching solution composition is provided to reduce the increase of side etch caused by etching difference of a panel and a pad, the curling of an upper part of an Al-La-based alloy film caused by etching speed difference, and inclination angle defects. CONSTITUTION: An etching solution composition of an Al-La-based alloy film includes, based on the total weight of the composition, 0.1~10 weight% of nitric acid, 0.1~10 weight% of sulfuric acid, 0.01~5 weight% of fluorine-containing compound, and the balance of water. The Al-La-based alloy film is a film formed by Al-La or Al-La-X alloy containing 90% or more of aluminum and 10% or less of other metals including La, wherein X is at least one kind selected from the group consisting of Mg, Zn, In, Ca, Te, Sr, Cr, Co, Mo, Nb, Ta, W, Ni, Nd, Sn, Fe, Si, Ti, Pt and C.
摘要翻译：目的：提供蚀刻溶液组合物，以减少由于面板和垫的蚀刻差异引起的侧蚀刻的增加，由蚀刻速度差引起的Al-La基合金膜的上部的卷曲和倾斜角缺陷。构成：基于组合物的总重量，Al-La系合金膜的蚀刻液组成包含0.1〜10重量％的硝酸，0.1〜10重量％的硫酸，0.01〜5重量％的含氟化合物，余量为水。 Al-La系合金膜是由含有90％以上的铝和10％以下的其他金属（包括La）的Al-La或Al-La-X合金形成的膜，其中X是选自由Mg，Zn，In，Ca，Te，Sr，Cr，Co，Mo，Nb，Ta，W，Ni，Nd，Sn，Fe，Si，Ti，Pt和C组成的组。

97. 发明公开

KR1020110009495A 금속 배선 형성을 위한 식각액 조성물 有权
标题翻译：用于形成金属线的蚀刻溶液组合物
公开(公告)号：KR1020110009495A
公开(公告)日：2011-01-28
申请号：KR1020090066921
申请日：2009-07-22
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 임민기 , 이석준 , 장상훈 , 박영철
IPC分类号： C09K13/08
CPC分类号： C23F1/26 , C09K13/06 , C09K13/08 , C23F1/20
摘要： PURPOSE: An etching solution composition for formation of metal line is provided to ensure fast etching rate while preventing damage of underlayer and equipment and to enable uniform etching between pattern/non-pattern. CONSTITUTION: An etching solution composition for a monolayer and a multilayer made of at least one metal selected from titanium, titanium alloy, aluminum and aluminum alloy, based on the total weight of the composition, includes 1~20 weight% of H2O2, 1~7 weight% of a compound including nitrate ions, 0.05~2 weight% of fluorine-containing compound, 0.5~6 weight% of persulfate compound, and the balance of water.
摘要翻译：目的：提供用于形成金属线的蚀刻溶液组合物，以确保快速的蚀刻速率，同时防止底层和设备的损坏，并且能够在图案/非图案之间实现均匀的蚀刻。构成：基于组合物的总重量，用于单层和由至少一种选自钛，钛合金，铝和铝合金的金属制成的多层蚀刻溶液组合物包括1〜20重量％的H 2 O 2，1〜 7重量％的包含硝酸根离子的化合物，0.05〜2重量％的含氟化合物，0.5〜6重量％的过硫酸盐化合物，余量的水。

98. 发明公开

KR1020090081144A 평판표시장치의 제조방법, 및 상기 방법에 이용되는 식각액조성물 无效
标题翻译：平板显示装置的制造方法，使用该方法的蚀刻溶液组合物
公开(公告)号：KR1020090081144A
公开(公告)日：2009-07-28
申请号：KR1020080007070
申请日：2008-01-23
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 윤영진 , 이석 , 이석준
IPC分类号： C09K13/08 , G02F1/136
CPC分类号： C09K13/08 , H01L21/30604
摘要： A method for manufacturing a flat panel display, and an etchant composition used in the method are provided to maintain the initial etching characteristic by the minimized galvanic effect even in case of the etching of a large amount of substrates. A method for manufacturing a flat panel display comprises the steps of (a) forming a gate electrode on a substrate; (b) forming a gate isolation layer on the substrate containing the gate electrode; (c) forming a semiconductor layer the gate isolation layer; (d) forming a source electrode and a drain electrode on the semiconductor layer; and (e) forming a pixel electrode connected to the drain electrode, wherein the gate electrode, the source electrode and the drain electrode are formed by forming a molybdenum/aluminum double film on the substrate and etching it with an etchant composition in the steps (a) and (d), and the pixel electrode is formed by forming an indium oxide film and etching it with the etchant composition in the step (e). The etchant composition comprises ferric nitrate (Fe(NO3)3) 2 ~ 5 weight%, a fluorine-containing compound 0.1 ~ 1 weight%, phosphoric acid (H3PO4) 0.5 ~ 5 weight%, and the balance of water.
摘要翻译：提供了一种用于制造平板显示器的方法和用于该方法的蚀刻剂组合物，即使在蚀刻大量基板的情况下，也能通过最小化的电化学效应来保持初始蚀刻特性。一种制造平板显示器的方法包括以下步骤：（a）在基板上形成栅电极; （b）在包含栅电极的基板上形成栅极隔离层; （c）形成栅极隔离层的半导体层; （d）在半导体层上形成源电极和漏电极; 和（e）形成连接到漏电极的像素电极，其中通过在衬底上形成钼/铝双膜并在步骤（1）中用蚀刻剂组合物蚀刻栅电极，源电极和漏电极， a）和（d），并且通过形成氧化铟膜并在步骤（e）中用蚀刻剂组合物蚀刻其形成像素电极。蚀刻剂组成包括硝酸铁（Fe（NO 3）3）2〜5重量％，含氟化合物0.1〜1重量％，磷酸（H 3 PO 4）0.5〜5重量％，余量为水。

99. 发明公开

KR1020090069633A 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법 有权
标题翻译：用于液晶显示的阵列基板的制造方法
公开(公告)号：KR1020090069633A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：KR1020070137358
申请日：2007-12-26
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 최용석 , 이석 , 이석준
IPC分类号： G02F1/136 , G02F1/13
CPC分类号： G02F1/136286 , C23F1/26 , G02F1/13439 , G02F1/1368
摘要： A manufacturing method of an array panel for a liquid crystal display providing etchant composites etching a molybdenum system metal/aluminum based metallurgy double film and indium oxide film is provided to prevent the generation of etching residue. A molybdenum metal/aluminum metal double layer is formed on a substrate. A gate line is formed by performing etching operation by etchant composition. A gate insulating layer is formed on the substrate including the gate wiring. A semiconductor layer is formed on the gate isolation layer. Source/drain electrodes are formed on the above semiconductor layer. A pixel electrode connected to the drain electrode is formed.
摘要翻译：提供用于液晶显示器的阵列面板的制造方法，其提供蚀刻剂复合材料来蚀刻钼系金属/铝基冶金双层膜和氧化铟膜，以防止蚀刻残留物的产生。在基板上形成钼金属/铝金属双层。通过蚀刻剂组成进行蚀刻操作形成栅极线。在包括栅极布线的基板上形成栅极绝缘层。在栅极隔离层上形成半导体层。源极/漏极形成在上述半导体层上。形成连接到漏电极的像素电极。

100. 发明公开

KR1020090049364A 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성방법 无效
标题翻译：用于制作金属图案的蚀刻组合物和方法
公开(公告)号：KR1020090049364A
公开(公告)日：2009-05-18
申请号：KR1020070115592
申请日：2007-11-13
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 양승재 , 이석준 , 이현규
IPC分类号： C09K13/08
摘要： 본 발명은 조성물 총 중량에 대하여, 0.1~7 중량%의 질산(HNO
3 ), 황산(H
2 SO
4 ) 또는 이들의 혼합물; 0.5~20 중량%의 (NH
4 )
2 S
2 O
8 ; 0.01~1 중량%의 함불소 화합물; 0.01~1 중량%의 헤테로사이클릭 아민 화합물; 및 71~99.38 중량%의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성 방법을 제공한다.
구리, 몰리브데늄, 식각액

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