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91. 发明公开

KR20200145732A 바니시 조성물, 바니시 조성물의 제조 방법, 폴리이미드 다공질막의 전구막의 제조 방법, 폴리이미드 다공질막의 전구막, 및 폴리이미드 다공질막의 제조 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20200145732A
公开(公告)日：2020-12-30
申请号：KR20200073796
申请日：2020-06-17
申请人： TOKYO OHKA KOGYO CO LTD
发明人： ISHIKAWA KAORU
IPC分类号： C09D179/08 , C09D7/40 , C09D7/63
摘要： [과제] 물을포함하고있음에도불구하고, 두께나조성이균일한도포막을형성할수 있으며, 또한균일한조성의, 폴리이미드다공질막형성용의미립자를포함하는바니시조성물과, 당해바니시조성물의제조방법과, 전술한바니시조성물을사용하는폴리이미드다공질막의전구막의제조방법과, 폴리이미드다공질막의전구막과, 당해전구막을사용하는폴리이미드다공질막의제조법을제공하는것. [해결수단] 폴리아믹산 (A) 과, 유기미립자 (B) 와, 용매 (S) 를포함하는폴리이미드다공질막형성용의바니시조성물을형성할때에, 바니시조성물에염기성화합물 (C) 을첨가함과함께, 유기용매 (S-I), 및소정량의물 (S-II) 을포함하는용매 (S) 를사용한다.

92. 发明公开

KR20200131766A 함규소 폴리머, 막형성용 조성물, 함규소 폴리머 피막의 형성 방법, 실리카계 피막의 형성 방법, 및 함규소 폴리머의 제조 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20200131766A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：KR20200057378
申请日：2020-05-13
申请人： TOKYO OHKA KOGYO CO LTD
发明人： NODA KUNIHIRO , SESHIMO TAKEHIRO , KUBO KEISUKE , KINOSHITA YOHEI
IPC分类号： C08G77/04 , C08G77/18 , C08G77/20 , C08G77/28 , C08G77/42 , C09D183/04
摘要： 기판에대한밀착성이양호하고기판으로부터박리하기어려운도포막을형성가능한조성물을부여하는신규한함규소폴리머와, 상기함규소폴리머를포함하는막형성용조성물과, 상기막형성용조성물을이용하는함규소폴리머피막의형성방법과, 상기막형성용조성물을이용하는실리카계피막의형성방법, 및전술의함규소폴리머의제조방법을제공하는것을목적으로한다. 분자쇄중에폴리또는올리고실록산쇄와, 폴리또는올리고실란쇄의적어도어느하나를포함하는함규소폴리머에있어서, 예를들면, 엔티올반응에의해서, 분자쇄상에, 축합반응할수 있는실릴기와설피드기를갖는기를도입한다.

93. 发明公开

KR20200130096A 기판 지지 장치, 기판 처리 장치, 및 기판 지지 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20200130096A
公开(公告)日：2020-11-18
申请号：KR20200036291
申请日：2020-03-25
申请人： TOKYO OHKA KOGYO CO LTD
发明人： CHIBA MASAKI , IKEDA TAKAO
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/687
摘要： [과제] 휨이생긴기판을용이하고또한확실하게유지하는것이가능한기판지지장치, 기판처리장치, 기판지지방법을제공한다. [해결수단] 기판지지장치 (2) 는, 천면 (4t) 에기판 (100) 을지지하는지지면 (41) 을갖는기판지지테이블 (4) 과, 기판지지테이블 (4) 의상방에설치되고, 상하방향으로진퇴하여지지면 (41) 상에재치된기판 (100) 을상방으로부터누르는기판누름부 (7) 와, 지지면 (41) 으로부터상방을향하여출몰가능하게설치되고, 지지면 (41) 상에재치되는기판 (100) 의하면 (100b) 을흡착하는기판흡착부 (6) 를구비한다.

94. 发明公开

KR20180066829A 기재 상에 평탄화막 또는 마이크로 렌즈를 형성하기 위해 사용되는 에너지 감수성 조성물, 경화체의 제조 방법, 경화체, 마이크로 렌즈의 제조 방법, 및 CMOS 이미지 센서 审中-公开
公开(公告)号：KR20180066829A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：KR20170152911
申请日：2017-11-16
申请人： TOKYO OHKA KOGYO CO LTD
发明人： ISOBE SHINGO , GONSUI SHINOBU , IKEDA YURI , INOUE TOMOYUKI
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/16
摘要： (과제) 저온경화성이우수한, 기재상에평탄화막또는마이크로렌즈를형성하기위해사용되는에너지감수성조성물, 경화체의제조방법, 경화체, 마이크로렌즈의제조방법, 및 CMOS 이미지센서를제공하는것. (해결수단) 본발명의에너지감수성조성물은, 기재상에평탄화막또는마이크로렌즈를형성하기위해사용되는에너지감수성조성물로서, 그에너지감수성조성물은, (A) 수지및 (B) 열산발생제를함유하고, 상기 (A) 수지는, 수산기함유 (메트)아크릴산유도체에서유래하는구조단위 (a1) 을갖고, 시차주사열량측정에있어서관측되는상기 (B) 열산발생제의산발생온도가 100 ℃이상 200 ℃이하이고, 상기에너지감수성조성물은, 추가로 (C) 산가교성구조를함유하고, 상기 (C) 산가교성구조는, (C1) 폴리머또는 (C2) 모노머의부분구조이며, 상기 (C1) 폴리머는, 상기 (A) 수지여도된다.

95. 发明公开

KR20180041641A 접착제 조성물 审中-公开
公开(公告)号：KR20180041641A
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：KR20180041539
申请日：2018-04-10
申请人： TOKYO OHKA KOGYO CO LTD
发明人： INOUE TOMOYUKI , MOMOZAWA AYA
IPC分类号： C09J101/00
CPC分类号： C09J101/00
摘要： (과제) 도포하고경화시킨후의경화물을피접착대상으로부터용이하게박리시킬수 있는접착제조성물을제공한다. (해결수단) 본발명에관련된접착제조성물은하기 (1) 또는 (2) 중적어도 1 종의 (메트)아크릴모노머와광중합개시제를함유한다. (1) (메트)아크릴로일기를 2 개갖는 2 관능의 (메트)아크릴모노머로서, 2 개의 (메트)아크릴로일기사이에폴리알킬렌옥사이드사슬을가지며또한 2 개의 (메트)아크릴로일기를연결하는최단원자수가 13 이상이다. (2) (메트)아크릴로일기를 n 개 (n 은 3 이상의정수) 갖는 n 관능의 (메트)아크릴모노머로서, 임의의 2 개의 (메트)아크릴로일기사이에폴리알킬렌옥사이드사슬을가지며또한임의의 2 개의 (메트)아크릴로일기를연결하는최단원자수가 23 이상이다.

96. 发明公开

KR20180038397A 레지스트 패턴의 러프니스를 저감시키기 위해서 사용되는 피복제, 및 러프니스가 저감된 레지스트 패턴의 제조 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20180038397A
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：KR20170128555
申请日：2017-10-06
申请人： TOKYO OHKA KOGYO CO LTD
发明人： WATANABE RYOJI
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/004 , G03F7/34
CPC分类号： G03F7/11 , C08K5/06 , C09D139/06 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/40
摘要： (과제) 레지스트패턴의러프니스를양호하게저감시킬수 있는피복제와, 당해피복제를사용하여레지스트패턴의피복을실시하는것을포함하는, 러프니스가저감된레지스트패턴의제조방법을제공하는것. (해결수단) 기판상에형성된레지스트패턴을피복하여, 레지스트패턴의러프니스를저감시키기위해서사용되는피복제로서, 수지 (A) 와, 제 4 급탄소원자함유화합물 (B) 와, 용매 (S) 를함유하고, 제 4 급탄소원자함유화합물 (B) 가, 탄소원자수 1 이상 8 이하의지방족탄화수소기와, 에틸렌옥사이드및/또는프로필렌옥사이드가특정량부가된특정한구조의기를갖는화합물인조성물을사용한다.

97. 发明公开

KR20180038396A 레지스트 패턴의 러프니스를 저감시키기 위해서 사용되는 피복제, 및 러프니스가 저감된 레지스트 패턴의 제조 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20180038396A
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：KR20170128554
申请日：2017-10-06
申请人： TOKYO OHKA KOGYO CO LTD
发明人： WATANABE RYOJI
IPC分类号： G03F7/09 , G03F7/11 , G03F7/16 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0275 , C08F8/14 , G03F7/0035 , G03F7/40 , H01L21/0212 , H01L21/302 , H01L21/31127
摘要： (과제) 레지스트패턴의러프니스를양호하게저감시킬수 있는피복제와, 당해피복제를사용하여레지스트패턴의피복을실시하는것을포함하는, 러프니스가저감된레지스트패턴의제조방법을제공하는것. (해결수단) 기판상에형성된레지스트패턴을피복하여, 레지스트패턴의러프니스를저감시키기위해서사용되는피복제로서, 수지 (A) 와, 아민화합물 (B) 와, 용매 (S) 를함유하고, 아민화합물 (B) 가, 탄소원자수 8 이상 20 이하의, 1 이상의불포화이중결합을갖는지방족탄화수소기와, 에틸렌옥사이드및/또는프로필렌옥사이드가특정량부가된기를갖는아민화합물인조성물을사용한다.

98. 发明公开

KR20180026334A 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법 审中-公开
标题翻译：抗性组合物和形成抗体模式的方法
公开(公告)号：KR20180026334A
公开(公告)日：2018-03-12
申请号：KR20170108804
申请日：2017-08-28
申请人： TOKYO OHKA KOGYO CO LTD
发明人： YAMADA TOMOTAKA , KAMIZONO TAKASHI , FUKUMURA YUKI , FUJII TATSUYA
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2037 , G03F7/322 , G03F7/38 , G03F7/40
摘要： 본원발명은, 노광에의해산을발생하고, 산의작용에의해현상액에대한용해성이변화하는레지스트조성물로서, 기재성분 (A) 를함유하고, 상기기재성분 (A) 는, 식 (a9-1) 로나타내는구성단위 (a91) 또는식 (a9-2) 로나타내는구성단위 (a92) 와, 식 (a10-1) 로나타내는구성단위 (a10) 을 30 몰% 이상과, 산의작용에의해극성이증대하는산 분해성기를포함하는구성단위 (a1) 을 45 몰% 이상을갖는공중합체 (A1) 을포함하는레지스트조성물, 및그것을사용한레지스트패턴형성방법을제공한다. 각식 중, R 은수소원자등;Ya및 Ya은단결합또는 2 가의연결기;R은탄소수 1 ∼ 20 의탄화수소기등;R는산소원자등;j 및 n은 1 ∼ 3 의정수;Wa은 (n+1) 가의방향족탄화수소기를나타낸다.
摘要翻译：本发明中，产生的曝光和，溶解作为抗蚀剂组合物，在通过酸的作用的显影剂的变化中的溶解度，将含有基材成分（A），其中，所述基材成分（A），式（A9-1 ）由结构单元的极性（A91）或由下式表示的基团（A9-2）时，结构单元（A92）和式（A10-1），结构单元（A10）的超过30％（摩尔）的动作，和该酸通过由所表示的表示所表示 yijeung处理单元，其含有酸可分解基团（a1）中，以提供抗蚀剂组合物，和用于形成一个抗蚀剂方法使用相同的，其包括具有多于45摩尔％的共聚物（A1）的图案。 gaksik的，R隐士希望和椅子; Ya和雅eundan键或二价连接基团; R euntan这类烃基少量的1〜20; R是氧原子，CAN协议j和n为1〜3; Wa为（N 1）芳族烃基。

99. 发明专利

DE112009000792B4 Tintenstrahldiffusionsmittelzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung einer Elektrode oder Solarbatterie mittels dieser Zusammensetzung 未知
公开(公告)号：DE112009000792B4
公开(公告)日：2020-04-02
申请号：DE112009000792
申请日：2009-04-08
申请人： TOKYO OHKA KOGYO CO LTD
发明人： MORITA TOSHIRO , TANITSU KATSUYA
IPC分类号： H01L21/225 , C09D11/30 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： Bereitgestellt werden: eine Tintenstrahldiffusionsmittelzusammensetzung; ein Verfahren zur Herstellung einer Elektrode und einer Solarbatterie mittels dieser Zusammensetzung; und eine Solarbatterie hergestellt nach diesem Verfahren. Die Tintenstrahldiffusionsmittelzusammensetzung umfasst (a) eine Silizium-Verbindung, (b) eine Verunreinigungsdiffusionskomponente und (c) ein Lösungsmittel, wobei: das Lösungsmittel (c) ein Lösungsmittel c1 mit einem Siedepunkt von höchstens 100°C und ein Lösungsmittel c2 mit einem Siedepunkt von 180 bis 230°C enthält; und das Lösungsmittel c1 in einem Verhältnis von 70 bis 90 Masse-% enthalten ist und das Lösungsmittel c2 in einem Verhältnis von 1 bis 20 Masse-% enthalten ist, beides relativ zur Gesamtmasse der Zusammensetzung.

100. 发明专利

DE102017205290A1 Hochfrequenzantennenelement und Hochfrequenzantennenmodul 未知
公开(公告)号：DE102017205290A1
公开(公告)日：2017-10-05
申请号：DE102017205290
申请日：2017-03-29
申请人： UNIV TOKYO , TOKYO OHKA KOGYO CO LTD
发明人： OHKOSHI SHIN-ICHI , NAMAI ASUKA , YOSHIKIYO MARIE , ONO TAKASHI
IPC分类号： H01Q17/00
摘要： Es soll ein Hochfrequenzantennenelement bereitgestellt werden, das, selbst wenn ein elektromagnetischer Wellenabsorber verwendet wird, leicht verkleinert wird, und das fähig ist, eine Empfangsantenneneinheit zu schützen, indem die Empfangsantenneneinheit abgedeckt wird, und ein Hochfrequenzantennenmodul bereitgestellt werden, welches das Hochfrequenzantennenelement umfasst. Das Hochfrequenzantennenelement ist derart konfiguriert, dass es umfasst: ein Substrat, eine dielektrische Schicht, eine Empfangsantenneneinheit und eine Beschichtungsschicht, wobei die dielektrische Schicht auf das Substrat laminiert ist, die Empfangsantenneneinheit auf die dielektrische Schicht montiert ist und die Beschichtungsschicht eine Oberfläche der dielektrischen Schicht in einem Abschnitt bedeckt, in dem die Empfangsantenneneinheit nicht montiert ist, während die Beschichtungsschicht in Kontakt mit den gesamten Seitenoberflächen der Empfangsantenneneinheit ist, und die Beschichtungsschicht wenigstens einen Teil einer oberen Oberfläche der Empfangsantenneneinheit bedeckt.

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