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91. 发明专利

TWI293969B 陽離子化矽石分離液 CATIONIZED SILICA DISPERSION 失效
简体标题：阳离子化硅石分离液 CATIONIZED SILICA DISPERSION
公开(公告)号：TWI293969B
公开(公告)日：2008-03-01
申请号：TW091106741
申请日：2002-04-03
申请人：德山股份有限公司 TOKUYAMA CORPORATION
发明人：福田健太郎 KENTARO FUKUDA , 福永顯治 KENJI FUKUNAGA , 山下博也 HIROYA YAMASHITA
IPC分类号： C08J
CPC分类号： C08K3/36 , C08K2201/008
摘要：本發明係關於一種陽離子化矽石分散液，其係將乾的加工矽石和一種陽離子樹脂分散於一種極性溶劑中製備而成，其中在25℃下所溶解之矽酸濃度為200ppm或更少。當這種陽離子化的矽石分散液與一種黏結劑摻混在一起時，它大體上不會形成凝結物質，因此很適合用來製造一種塗料組成物，如用來形成阻氣層的一種塗料組成物和用於噴墨記錄紙的塗料組成物。
简体摘要：本发明系关于一种阳离子化硅石分散液，其系将干的加工硅石和一种阳离子树脂分散于一种极性溶剂中制备而成，其中在25℃下所溶解之硅酸浓度为200ppm或更少。当这种阳离子化的硅石分散液与一种黏结剂掺混在一起时，它大体上不会形成凝结物质，因此很适合用来制造一种涂料组成物，如用来形成阻气层的一种涂料组成物和用于喷墨记录纸的涂料组成物。

92. 发明专利

TWI267498B 氮化鋁接合體及其製造方法失效
简体标题：氮化铝接合体及其制造方法
公开(公告)号：TWI267498B
公开(公告)日：2006-12-01
申请号：TW093116803
申请日：2004-06-11
申请人：德山股份有限公司 TOKUYAMA CORPORATION
发明人：江崎龍夫 ESAKI, TATSUO
IPC分类号： C04B
CPC分类号： C04B37/006 , B32B18/00 , B32B2315/02 , C04B35/581 , C04B35/6303 , C04B35/634 , C04B35/645 , C04B37/001 , C04B37/003 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3225 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/661 , C04B2235/95 , C04B2235/96 , C04B2235/963 , C04B2235/9638 , C04B2237/122 , C04B2237/124 , C04B2237/125 , C04B2237/366 , C04B2237/704 , C04B2237/708 , H01L21/6833 , H05B3/143 , Y10T29/4913 , Y10T29/49826 , Y10T29/49968 , Y10T29/4997 , Y10T279/23 , Y10T428/12347 , Y10T428/12493 , Y10T428/24917 , Y10T428/249953
摘要：本發明之氮化鋁接合體，係由：在不使用接著劑之情況下相互接合之兩片氮化鋁燒結體板、在兩片氮化鋁燒結體板之接合界面之一部分所形成之金屬層所構成者，其特徵在於：以通過該接合體中心之側截面來觀看時，該接合界面中之燒結體板彼此直接面對之直接接合區域中係存在著複數之沿著接合界面之長度L平均為0.5~4μm之空孔，且由該空孔形成非接合部，
針對前述側截面，以下述式(1)：
非接合率Q=(X/Y)×100 ...(1)
(式中，X係以在直接接合區域所存在之空孔長度L之合計值所表示之非接合部在接合界面方向長度；Y為存在著空孔之直接接合區域之長度)所算出之非接合率Q平均後在0.1~0.5%之範圍內。該AlN接合體可有效抑制內部金屬層之翹曲，接合強度高、且耐久性優異，在半導體製造裝置中，當作載放半導體晶圓進行處理之平板加熱器或靜電夾甚為有用。
简体摘要：本发明之氮化铝接合体，系由：在不使用接着剂之情况下相互接合之两片氮化铝烧结体板、在两片氮化铝烧结体板之接合界面之一部分所形成之金属层所构成者，其特征在于：以通过该接合体中心之侧截面来观看时，该接合界面中之烧结体板彼此直接面对之直接接合区域中系存在着复数之沿着接合界面之长度L平均为0.5~4μm之空孔，且由该空孔形成非接合部，针对前述侧截面，以下述式(1)：非接合率Q=(X/Y)×100 ...(1) (式中，X系以在直接接合区域所存在之空孔长度L之合计值所表示之非接合部在接合界面方向长度；Y为存在着空孔之直接接合区域之长度)所算出之非接合率Q平均后在0.1~0.5%之范围内。该AlN接合体可有效抑制内部金属层之翘曲，接合强度高、且耐久性优异，在半导体制造设备中，当作载放半导体晶圆进行处理之平板加热器或静电夹甚为有用。

93. 发明专利

TW200640786A 微粒狀矽石审中-公开
简体标题：微粒状硅石
公开(公告)号：TW200640786A
公开(公告)日：2006-12-01
申请号：TW094116782
申请日：2005-05-23
申请人：德山股份有限公司 TOKUYAMA CORPORATION
发明人：長谷安浩 NAGATANI, YASUHIRO , 石本龍二 ISHIMOTO, RYUJI , 有行正男 ARIYUKI, MASAO
IPC分类号： C01B , B41M , C09D
摘要：本發明係提供一種適用於添加於水、液狀樹脂、塗料等液體後，進行調整其黏度，觸變性等黏彈性等特性時所使用之增黏劑類之黏彈性調整劑、或適合作為矽橡膠、密封膠補強、填充劑、CMP(化學機械研磨)之研磨劑、噴墨記錄紙之表面塗佈劑的微粒狀矽石。該微粒狀矽石為滿足BET比表面積S為130～380m^2／g，且α值解析對象範圍20nm～30nm中之不規則形狀參數α1為滿足下式(1)，且，α值解析對象範圍30nm～50nm中不規則形狀參數α2為滿足下式(2)。α1＋0.00175S＜2.518 …… (1)α2＋0.00174S＜2.105 …… (2)
简体摘要：本发明系提供一种适用于添加于水、液状树脂、涂料等液体后，进行调整其黏度，触变性等黏弹性等特性时所使用之增黏剂类之黏弹性调整剂、或适合作为硅橡胶、密封胶补强、填充剂、CMP(化学机械研磨)之研磨剂、喷墨记录纸之表面涂布剂的微粒状硅石。该微粒状硅石为满足BET比表面积S为130～380m^2／g，且α值解析对象范围20nm～30nm中之不守则形状参数α1为满足下式(1)，且，α值解析对象范围30nm～50nm中不守则形状参数α2为满足下式(2)。α1＋0.00175S＜2.518 …… (1)α2＋0.00174S＜2.105 …… (2)

94. 发明专利

TWI261585B 酸酐之製造方法 PROCESS FOR PRODUCTION OF ACID ANHYDRIDE 失效
简体标题：酸酐之制造方法 PROCESS FOR PRODUCTION OF ACID ANHYDRIDE
公开(公告)号：TWI261585B
公开(公告)日：2006-09-11
申请号：TW091117197
申请日：2002-07-31
申请人：德山股份有限公司 TOKUYAMA CORPORATION
发明人：椎木啓文 SHIIGI HIROFUMI , 大島榮治 , 山口真男 YAMAGUCHI, MASAO
IPC分类号： C07C
CPC分类号： C07C51/56 , C07C57/04
摘要：本發明是說明，羧酸尤其是具有聚合性基之羧酸與磺醯鹵化物在三級胺之存在下或是在三級胺與無機鹼之存在下進行反應之酸酐之製造方法中，相對於來自磺醯鹵化物所產生之酸份，使用0.9至1.2當量之三級胺或是三級胺與無機鹼為其特徵之酸酐之製造方法。
简体摘要：本发明是说明，羧酸尤其是具有聚合性基之羧酸与磺酰卤化物在三级胺之存在下或是在三级胺与无机碱之存在下进行反应之酸酐之制造方法中，相对于来自磺酰卤化物所产生之酸份，使用0.9至1.2当量之三级胺或是三级胺与无机碱为其特征之酸酐之制造方法。

95. 发明专利

TW200624449A 聚合硬化性組成物 POLYMERIZATION CURABLE COMPOSITION 审中-公开
简体标题：聚合硬化性组成物 POLYMERIZATION CURABLE COMPOSITION
公开(公告)号：TW200624449A
公开(公告)日：2006-07-16
申请号：TW094139296
申请日：2005-11-09
申请人：德山股份有限公司 TOKUYAMA CORPORATION
发明人：田中伸幸 TANAKA, NOBUYUKI , 百田潤二 MOMODA, JUNJI
IPC分类号： C08F , C08K , G02B , G02C
CPC分类号： C08F222/1006 , G02B1/041
摘要：本發明提供一種聚合硬化性組成物，其係賦予顯示褪色速度快之優越彩色特性、可使用於無框眼鏡、兼備充分的耐穿孔加工強度之硬化物的聚合硬化性組成物，進而為長期間儲存穩定性高之聚合硬化性組成物。其特徵為在分別以特定之比例含有：具有透過特定之基結合如2,2–雙(4–甲基丙烯醯氧基聚乙氧基苯基)丙烷的二個伸苯基之結構的特定之二官能單體，如三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯之三官能以上的多官能聚合性單體，及此等以外之單體的單體成份中，配合分別特定量之彩色化合物、及如雙(1,2,2,6,6–五甲基–4–啶基)癸二酸酯之特定的光穩定劑。
简体摘要：本发明提供一种聚合硬化性组成物，其系赋予显示褪色速度快之优越彩色特性、可使用于无框眼镜、兼备充分的耐穿孔加工强度之硬化物的聚合硬化性组成物，进而为长期间存储稳定性高之聚合硬化性组成物。其特征为在分别以特定之比例含有：具有透过特定之基结合如2,2–双(4–甲基丙烯酰氧基聚乙氧基苯基)丙烷的二个伸苯基之结构的特定之二官能单体，如三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯之三官能以上的多官能聚合性单体，及此等以外之单体的单体成份中，配合分别特定量之彩色化合物、及如双(1,2,2,6,6–五甲基–4–啶基)癸二酸酯之特定的光稳定剂。

96. 发明专利

TW200512160A 間隙孔性二氧化矽顆粒及其製備方法 MESOPOROUS SILICA PARTICLES AND PRODUCTION PROCESS THEREOF 失效
简体标题：间隙孔性二氧化硅颗粒及其制备方法 MESOPOROUS SILICA PARTICLES AND PRODUCTION PROCESS THEREOF
公开(公告)号：TW200512160A
公开(公告)日：2005-04-01
申请号：TW093122767
申请日：2004-07-29
申请人：德山股份有限公司 TOKUYAMA CORPORATION
发明人：福田健太郎 FUKUDA, KENTARO , 福永顯治 FUKUNAGA, KENJI , 山下博也 YAMASHITA, HIROYA
IPC分类号： C01B
CPC分类号： B41M5/5218 , C01B33/193
摘要：當界面活性劑存在於間隙孔中，且間隙孔性二氧化矽顆粒具有1微米或更小的平均粒徑時之溼式粉碎間隙孔性二氧化矽顆粒的方法，其中直徑2至50奈米之間隙孔的體積係0.7毫升／克或更大，且間隙孔分布的幾何標準偏差係2.0或更小。在以上的方法中，可以高產率製得粒徑在次微米等級時間隙孔性二氧化矽顆粒而不會引起間隙孔的顯著塌陷，並可使用普通粉碎機有效地製備，以及使用水性介質安全地製備。平均粒徑1微米或更小之間隙孔性二氧化矽顆粒可用作噴墨記錄紙的墨水吸收劑、低介電膜、觸媒支撐物、分離劑、吸收劑及藥物用藥物載劑。
简体摘要：当界面活性剂存在于间隙孔中，且间隙孔性二氧化硅颗粒具有1微米或更小的平均粒径时之湿式粉碎间隙孔性二氧化硅颗粒的方法，其中直径2至50奈米之间隙孔的体积系0.7毫升／克或更大，且间隙孔分布的几何标准偏差系2.0或更小。在以上的方法中，可以高产率制得粒径在次微米等级时间隙孔性二氧化硅颗粒而不会引起间隙孔的显着塌陷，并可使用普通粉碎机有效地制备，以及使用水性介质安全地制备。平均粒径1微米或更小之间隙孔性二氧化硅颗粒可用作喷墨记录纸的墨水吸收剂、低介电膜、触媒支撑物、分离剂、吸收剂及药物用药物载剂。

97. 发明专利

TWI686352B 多結晶矽破碎物、多結晶矽破碎物的製造方法及多結晶矽塊破碎裝置有权
简体标题：多结晶硅破碎物、多结晶硅破碎物的制造方法及多结晶硅块破碎设备
公开(公告)号：TWI686352B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW104133472
申请日：2015-10-13
申请人：日商德山股份有限公司 , TOKUYAMA CORPORATION
发明人：川口一博 , KAWAGUCHI, KAZUHIRO , 藤井正美 , FUJII, MASAMI , 內田翔 , UCHIDA, SHO , 近藤学 , KONDO, MANABU , 三戶美文 , MITO, YOSHIFUMI , 義松信昭 , YOSHIMATSU, NOBUAKI
IPC分类号： C01B33/02 , C30B29/06 , C30B35/00 , C30B33/00 , B02C1/02 , B02C2/02 , B02C4/02 , B02C23/08

98. 发明专利

TW202003923A 隔膜－襯墊－保護構材複合體、電解要素及電解槽审中-公开
简体标题：隔膜－衬垫－保护构材复合体、电解要素及电解槽
公开(公告)号：TW202003923A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108109480
申请日：2019-03-20
申请人：日商德山股份有限公司 , TOKUYAMA CORPORATION
发明人：田中康行 , TANAKA, YASUYUKI , 宮川泰典 , MIYAGAWA, YASUNORI
IPC分类号： C25B1/12 , C25B13/02 , C25B9/08 , C25B9/20
摘要：一種隔膜-襯墊-保護構材複合體，具備離子穿透性的隔膜、保持隔膜的周緣部的襯墊、和保持襯墊的電絕緣性的框狀的保護構材，保護構材具備框狀的基體和框狀的蓋體構材，基體具備設於該基體的內周側並接收襯墊及蓋體構材的收容部、和從收容部朝基體的內周側突出而延伸並將被收容部接收的襯墊支撐於與隔膜的主面相交的方向的支撐部，蓋體構材具有可被基體的收容部接收的尺寸，襯墊及蓋體構材被基體的收容部接收，使得襯墊被夾於基體的支撐部與蓋體構材之間。
简体摘要：一种隔膜-衬垫-保护构材复合体，具备离子穿透性的隔膜、保持隔膜的周缘部的衬垫、和保持衬垫的电绝缘性的框状的保护构材，保护构材具备框状的基体和框状的盖体构材，基体具备设于该基体的内周侧并接收衬垫及盖体构材的收容部、和从收容部朝基体的内周侧突出而延伸并将被收容部接收的衬垫支撑于与隔膜的主面相交的方向的支撑部，盖体构材具有可被基体的收容部接收的尺寸，衬垫及盖体构材被基体的收容部接收，使得衬垫被夹于基体的支撑部与盖体构材之间。

99. 发明专利

TWI676762B 液狀化學物質用之貯槽有权
简体标题：液状化学物质用之贮槽
公开(公告)号：TWI676762B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW105105047
申请日：2016-02-22
申请人：日商德山股份有限公司 , TOKUYAMA CORPORATION
发明人：山根淳 , YAMANE, JUN , 德永伸二 , TOKUNAGA, SHINJI
IPC分类号： F17D1/20 , B67D7/36

100. 发明专利

TW201833398A 多晶矽的製造方法审中-公开
简体标题：多晶硅的制造方法
公开(公告)号：TW201833398A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW107100222
申请日：2018-01-03
申请人：日商德山股份有限公司 , TOKUYAMA CORPORATION
发明人：井上祐一 , INOUE, YUICHI
IPC分类号： C30B28/14 , C30B29/06 , H01L21/02
摘要：本發明實現一種方法，其係在防止被配置於過濾器後之後續步驟的分離裝置與配管中矽微粉的堆積以及泵浦的破損時，抑制矽烷類低聚物之朝過濾器的附著。本發明一實施形態之多晶矽的製造方法，其係包含：矽析出步驟；分離步驟；及微粉去除步驟，其係使氯矽烷凝縮液通過過濾器而去除矽微粉。
简体摘要：本发明实现一种方法，其系在防止被配置于过滤器后之后续步骤的分离设备与配管中硅微粉的堆积以及泵浦的破损时，抑制硅烷类低聚物之朝过滤器的附着。本发明一实施形态之多晶硅的制造方法，其系包含：硅析出步骤；分离步骤；及微粉去除步骤，其系使氯硅烷凝缩液通过过滤器而去除硅微粉。

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