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91. 发明公开

KR1019990067763A 유에스비 등시 데이타를 전송 및 수신하는 장치 및 방법 有权
标题翻译：发送和接收USB异步数据的装置和方法
公开(公告)号：KR1019990067763A
公开(公告)日：1999-08-25
申请号：KR1019990000142
申请日：1999-01-07
申请人： 내셔널 세미콘덕터 코포레이션
发明人： 브리프데이비드
IPC分类号： G06F13/38
CPC分类号： G06F13/385
摘要： 등시성데이타를 USB 엔드포인트파이프상에전송및 동기시키는장치및 방법이개시되어있다. 또한, 2 중버퍼링능력, 전송지연능력, 동기화능력및 클록조절능력이개시되어있다.

92. 发明公开

KR1019990067730A 유니버설 시리얼 버스 디바이스 내부로 및 외부로 데이터를 송신 및 수신하기 위한 장치 및 방법 有权
标题翻译：用于发送和接收通用串行总线设备的数据的装置和方法
公开(公告)号：KR1019990067730A
公开(公告)日：1999-08-25
申请号：KR1019990000085
申请日：1999-01-06
申请人： 내셔널 세미콘덕터 코포레이션
发明人： 브리프데이비드 , 딘그레고리루이스
IPC分类号： G06F13/38
CPC分类号： G06F13/387
摘要： USB 디바이스를동적으로구성하는방법및 장치. 상기 USB 디바이스는수신된토큰과종단점파이프를연관시키는복수의매핑을포함한다. 상기매핑은초기화에서설정되고, USB 네트워크의동작중에동적으로선택된다.

93. 发明授权

KR100211549B1 공유 내부 메모리를 가지는 종합 디지탈 신호프로세서/범용 CPU 失效
标题翻译：嵌入式数字信号处理器/一般用途CPU与共享内部存储器
公开(公告)号：KR100211549B1
公开(公告)日：1999-08-02
申请号：KR1019900018430
申请日：1990-11-14
申请人： 내셔널 세미콘덕터 코포레이션 , 모쉬도른
发明人： 아모스인트레이터 , 기대은인트레이터 , 레브엘스테인
IPC分类号： G06F15/16
CPC分类号： H04L27/00 , G06F9/3885 , G06F15/7842
摘要： 범용 프로세서와 디지털 신호 프로세서(DSP) 모듈을 포함하는 디지털 신호 처리용 종합 데이터 처리 시스템. DSP 모듈은 범용 프로세서에 의해 선택된 DSP 연산 시이퀀스를 이용하여 디지털 신호로부터 디지털 데이터를 회복한다. 범용 프로세서는 DSP 모듈에 의해 회복된 디지털 데이터를 처리할 뿐 아니라 범용 타스크(task)를 수행하는데에도 이용가능하다. 공유내부 어레이는 DSP 모듈 및 범용 프로세서에 정보를 선택적으로 제공한다. 내부 메모리 어레이에 저장된 정보는 DSP 알고리듬의 실행에 이용되는 오퍼랜드 및 DSP 알고리듬의 실행을 제어하기 위해서 또는 자체의 범용 타스크를 실행하기 위해서 범용 CPU에 의해 이용되는 선택된 명령 및 데이터를 포함한다.
많은 응용 례에 있어서, 데이터 처리 시스템은 아날로그 전송 채널상에서 수신된 변조 입력 신호를 데이터 처리 시스템에 의한 처리를 위해 상용하는 디지털 신호로 변환시키는 아날로그 전단을 포함할 것이나, 데이터 처리 시스템은 또한 디지털 소스로부터 직접 디지털 신호를 수신할 수도 있다.

94. 发明授权

KR100207944B1 초고주파 위상동기루프용 디지탈 부호 위상 주파수 변환기 失效
标题翻译：用于超声波相位锁定环的数字签名相位转换器
公开(公告)号：KR100207944B1
公开(公告)日：1999-07-15
申请号：KR1019920005651
申请日：1992-04-04
申请人： 내셔널 세미콘덕터 코포레이션
发明人： 히웡 , 츈-키트친
IPC分类号： H03L3/00
CPC分类号： H03L7/08
摘要： 초고주파 위상동기루프에 사용하기 위한 음양 부호 위상-주파수('P-F') 변환기가 개시되어 있다. 상기한 PF 변환기는 양/음(plus/minus) 위상오차를 나타내는 입력신호 및 인에이블 신호를 수신한다.
상기 입력신호는 계수회로에 의하여 계수신호(count)로 변환된다.
상기 계수신호의 상위부는 3-상 톱니 디지탈 패턴을 발생시키는데에 사용된다. 상기 계수신호의 하위부는 하위-비트 펄스밀도변조('PDM') 회로에 의하여 변환되어서 상기 계수신호의 하위부의 2진 웨이트를 나타내는 신호를 발생시킨다. 상기 하위-비트 PDM 회로의 출력 3상 디지탈 패턴과 함께, 3개의 상위 비트의 PDM 회로에 인가된다. 상위 비트 PDM 회로의 출력은 PF 변환기가 발생하는 디지탈 출력이며 RC 필터에 의하여 디지탈 신호에서 아날로그신호로 변환된다.

95. 发明授权

KR100207942B1 개별 비트 라인 회복 회로 失效
标题翻译：个别位线恢复电路
公开(公告)号：KR100207942B1
公开(公告)日：1999-07-15
申请号：KR1019910009263
申请日：1991-06-05
申请人： 내셔널 세미콘덕터 코포레이션
发明人： 로버트에이.커티스
IPC分类号： G11C11/41
CPC分类号： G11C11/419 , G11C7/12
摘要： 정적 랜덤 액세스 메모리 셀용 바이폴라 회복 회로가 개시되어 있다. 상기 회로는 공지된 공통 베이스 노드의 기록 회복 회로에서 발생하는 반전된 에미터 - 베이스 한계 전압을 보정한다.
상기 회로는 간단하므로 제조하는데 실리콘 칩 영역이 적게 요구된다.
한 바람직한 실시예에 있어서, 분리된 회복 회로는 상기 메모리 셀의 참값 출력 라인 및 그의 보수 출력 라인 각각에 연결된다.

96. 发明授权

KR100199465B1 반도체 디바이스용으로 제조되는 접점구조물 및 이를 제조하는 방법 失效
标题翻译：半导体器件的接触点结构及其制作方法
公开(公告)号：KR100199465B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019910004976
申请日：1991-03-29
申请人： 내셔널 세미콘덕터 코포레이션
发明人： 비다일데렘 , 알란지.솔헤임 , 릭씨.제롬
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： H01L29/665 , H01L21/28525 , H01L21/8249 , H01L23/5226 , H01L27/0623 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 BiCMOS 디바이스 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.
상기 BiCMOS 디바이스는 겹친 규소화물 접점의 사용을 통한 개선된 성능. 개선된 게이트 형성. n - 및 p -형 LDD의 사용. 바이폴라 트랜지스터에 있어 매우 얕은 베이스 영역의 형성. 및 바이폴라 트랜지스터의 베이스 영역 및 MOSFET 의 소오스/ 드레인 영역에 대한 분리된 주입물을 통한 개선된 성능을 달성한다.

97. 发明授权

KR100177146B1 전력 FET용 적응 게이트 방전 회로 失效
标题翻译：用于功率FET的自适应栅极放电电路
公开(公告)号：KR100177146B1
公开(公告)日：1999-04-01
申请号：KR1019900017896
申请日：1990-11-06
申请人： 내셔널 세미콘덕터 코포레이션
发明人： 민톤이.윌콕스
IPC分类号： H03K17/687
CPC分类号： H03K17/6877 , H01L2924/0002 , H03K17/063 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 전력 FET 트랜지스터의 게이트를 방전시키기 위한 적응 게이트 방전 회로에 관한 것이다. 상기 적응 게이트 방전 회로는 제어 신호에 응답하여 상기 전력 FET 게이트를 그 전력 FET의 초기 온 전위에서 상기 전력 FET가 턴오프되는 선택된 전위 이하로 방전시키는 방전 구동 회로를 포함한다. 게이트 방전 동안이기는 하나 전력 FET 게이트 전위가 상기 선택된 전위 이하로 강하하기 전에는, 적응 바이어스 회로는 상기 방전 구동 회로 및 그것이 바이어스 할 수 있는 다른 회로에 바이어스 전류를 제공하기 위하여 계속적으로 작동한다. 그러나, 상기 전력 FET 게이트의 전위가 상기 선택된 전위 이하로 강하하는 경우, 저전류 바이어스 회로는 상기 적응 바이어스용 회로의 동작 전압을 감소시키므로써 상기 적응 바이어스 회로 및 그것이 바이어스 할 수 있는 다른 회로를 턴오프시킨다.

98. 发明公开

KR1019990023444A 씨모스 공정에서 고속 바이폴라 트랜지스터를 제조하는 방법 失效
标题翻译：如何在CMOS工艺中制造高速双极晶体管
公开(公告)号：KR1019990023444A
公开(公告)日：1999-03-25
申请号：KR1019980032129
申请日：1998-08-07
申请人： 내셔널 세미콘덕터 코포레이션
发明人： 모니어엘-디와니
IPC分类号： H01L21/8222
摘要： 고주파 바이폴라 트랜지스터의 제조는 최소의 추가 비용을 들이면서 CMOS 공정에 합체된다. 바이폴라 디바이스의 폴리실리콘 에미터 및 MOS 디바이스의 폴리 실리콘 게이트는 개별 폴리실리콘 층을 사용함으로써, 바이폴라 에미터 및 MOS 게이트가 서로 독립적으로 도우핑되는 것을 허용한다. 그러한 공정 스킴은 MOS 디바이스가 부분분할되는 것을 필요로 하지 않는다.

99. 发明公开

KR1019990013384A 재충전가능한 바테리 셀의 충전 및 방전을 제어하는데 적합한양방향 전류 제어 회로 无效
标题翻译：双向电流控制电路适用于控制充电电池单元的充电和放电
公开(公告)号：KR1019990013384A
公开(公告)日：1999-02-25
申请号：KR1019980020009
申请日：1998-05-30
申请人： 내셔널 세미콘덕터 코포레이션
发明人： 스미스그레고리제이. , 샥터스튜어트 , 마티네즈스티브
IPC分类号： H02J7/00
摘要： 재충전가능한 바테리 셀의 충전 및 방전을 제어하는 용도에 적합한 양방향 전류 제어 회로는 각각의 몸체 다이오드를 갖는 2 개의 직렬 접속된 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 ( MOSFET ), 상기 MOSFET 와 직렬로 접속되어 그러한 MOSFET 를 통한 전류를 기초로하여 전압을 발생시키는 레지스터, 및 제어 회로를 포함한다. 상기 제어 회로는 상기 레지스터 양단간의 전압을 감시하고 상기 MOSFET 를 온 또는 오프로 각각 선택적으로 스위칭한다. 상기 MOSFET 를 통한 전류가 최대 양(+) 전류보다 작고 최소 음(-) 전류 보다 클 경우, 이들 MOSFET 는 그들 각각의 온 상태로 유지된다. 음 (-) 전류가 최소 음 전류보다 작아질 경우, 제 1 MOSFET 는 턴오프되지만 제 2 MOSFET 는 턴온되고, 양 (+) 전류가 최대 양 전류보다 커질 경우, 제 2 MOSFET 는 턴오프되지만 제 1 MOSFET 는 턴온된다. 그 모든 상태에서, 턴온되는 MOSFET 및 턴오프되는 MOSFET 의 몸체 다이오드에 의해 도통된 전류가 방향을 반전시키고 최소 전류보다 높게 상승하지만 해당하는 최대 전류이하에 남아 있는 경우, 안전한 동작 상태로의 복귀가 그리하여 나타나며 이들 모든 MOSFET 가 턴온된다. 변형 실시예에서, 상기 제어 회로는 MOSFET 자체 양단간의 전압을 감시하여 개별 MOSFET 를 온 상태나 오프 상태로 스위칭해야 할지 및 개별 MOSFET 를 온 상태나 오프 상태로 스위칭해야 할때를 결정한다.

100. 发明公开

KR1019990013382A 회전 예측 적응 필터 失效
标题翻译：旋转预测自适应滤波器
公开(公告)号：KR1019990013382A
公开(公告)日：1999-02-25
申请号：KR1019980019851
申请日：1998-05-29
申请人： 내셔널 세미콘덕터 코포레이션
发明人： 그린버그크레익비.
IPC分类号： H03M7/30
摘要： 동적으로 변하는 다중 경로를 갖는 전파 환경의 상태에서 적응 등화기의 계수를 효과적으로 갱신하는 방법이 개시된다. 본 발명은 정적 직접 경로, 동적 다중 경로, 및 협대역 신호 (대역폭 반송 주파수) 의 상태에서 이용된다. 본 발명의 방법은 수신 신호의 일부인 위상 항에서 동적 다중 경로 지연의 미소 변경의 결과로 발생하는 수신 신호의 순환 (회전) 특성에 대한 발명가의 인식에 의거한 것이다. 이에 발명가는 적응 등화기의 계수가 유사한 순환 동작을 나타내는 것으로 결론지었다. 등화기 계수의 순환 동작은 회전 동작 (즉, e
jψ ) 을 갖는 예측 함수항으로 표준 계수를 승산함으로서 LMS 형 계수 갱신 수학식으로 도입된다. 다음으로 등화기 계수 및 회전항에 대한 갱신 수학식이 전개된다. 갱신 수학식의 동작이 안정됨에 따라, 수정된 계수값은 동적 다중경로 지연 인자 d(t) 의 결과로 발생하는 회전 위상 동작을 갖는 항으로 수렴한다. 이것은 등화기의 출력을 전송 신호의 출력에 더욱 근접하도록하고, 적응 등화기가 동적 다중 경로 환경의 결과에 대해 보상을 가능하게 한다.

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