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    • 1. 发明授权
    • Field emission device and method for the conditioning thereof
    • 场致发射装置及其调理方法
    • US06573642B1
    • 2003-06-03
    • US09491357
    • 2000-01-26
    • Paul VonAllmenBernard F. CollAlbert Alec Talin
    • Paul VonAllmenBernard F. CollAlbert Alec Talin
    • H01J1304
    • H01J1/3044H01J2201/30426
    • A field emission device (100) includes an electron emitter structure (105) having a deuteride layer (108), which defines a surface (109) of electron emitter structure (105). Deuteride layer (108) is disposed upon an electron emitter (106), which is made from a metal. Deuteride layer (108) is a deuteride of the metal from which electron emitter (106) is made. A method for conditioning field emission device (100) includes the step of providing a contaminated cathode structure (137), which has a contaminated emitter structure (138). The method further includes the step of causing deuterium to react with a metal oxide layer (140) of emitter structure (138), so that the deuterium replaces the oxygen of metal oxide layer (140).
    • 场发射器件(100)包括具有限定电子发射器结构(105)的表面(109)的氘化层(108)的电子发射器结构(105)。 氘化层(108)设置在由金属制成的电子发射器(106)上。 氘化层(108)是制造电子发射体(106)的金属的氘化物。一种用于调节场发射装置(100)的方法包括提供污染的阴极结构(137)的步骤,该污染阴极结构具有污染的发射体结构 (138)。 该方法还包括使氘与发射极结构(138)的金属氧化物层(140)反应的步骤,使得氘代替金属氧化物层(140)的氧。