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1. 发明专利

JP2014236055A エッチング方法有权
标题翻译：蚀刻方法
公开(公告)号：JP2014236055A
公开(公告)日：2014-12-15
申请号：JP2013115577
申请日：2013-05-31
申请人：東京エレクトロン株式会社 , Tokyo Electron Ltd , レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード , L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude
发明人： MORIYA SHUJI , ANDO ATSUSHI , SONOBE ATSUSHI , CHRISTOPHER TURPIN
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： H01L21/67069 , H01L21/3065 , H01L21/67207
摘要：【課題】プラズマを用いないドライエッチングにより、高エッチングレートおよび高選択比で被処理基板のシリコン部分をエッチングすることができるエッチング方法を提供すること。【解決手段】被処理基板Wの表面に存在するシリコン部分を選択的にエッチングするエッチング方法は、チャンバー40内に被処理基板Wを配置し、チャンバー40内にFNOガスおよびF2ガスを、不活性ガスであるN2ガスで希釈して供給し、FNOガスおよびF2ガスを被処理基板Wの表面のシリコン部分と反応させる。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够通过不使用等离子体的干蚀刻以高蚀刻速率和高选择率来蚀刻待处理基板的硅部分的蚀刻方法。解决方案：在选择性地蚀刻存在于要被处理的基板W的表面上的硅部分，将待处理的基板W设置在室40中，将FNO气体和Fgas用作为惰性气体的Ngas稀释以供应到室40中，FNO气体和Fgas与待处理的基板W的表面上的硅部分反应。

2. 发明专利

DE102005049066B4 未知
公开(公告)号：DE102005049066B4
公开(公告)日：2009-02-12
申请号：DE102005049066
申请日：2005-10-13
申请人： TOKYO ELECTRON LTD
发明人： ANDO ATSUSHI , WATANABE KATSUHIDE
IPC分类号： H01J37/30 , H01J37/317
摘要： A sample chamber and a column are connected to each other and comprise a magnetic substance. An exhaust section controls a pressure in the sample chamber and the column. A stage controller controls a stage, above which a sample is placed, in the sample chamber. An electron beam source power supply supplies power to an electron beam source, which emits an electron beam to the sample. A power supply supplies voltage to electron optic system, which controls the electron beam. The sample chamber, exhaust section, stage controller, electron beam source power supply and power supply are grounded by a first, second, third, fourth and fifth grounding point, respectively. The electron beam source and the electron optic system are electrically insulated from the sample chamber, column, exhaust section and stage. One of the first, second and third grounding point is different from the fourth or fifth grounding point.

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