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1. 发明专利

TWI427791B 半導體裝置、半導體裝置的製造方法及基板處理裝置有权
简体标题：半导体设备、半导体设备的制造方法及基板处理设备
公开(公告)号：TWI427791B
公开(公告)日：2014-02-21
申请号：TW099145996
申请日：2010-12-27
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI-KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：堀井貞義 , HORII, SADAYOSHI , 小川有人 , OGAWA, ARITO , 板谷秀治 , ITATANI, HIDEHARU
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/28088 , C23C16/06 , C23C16/34 , C23C16/45529 , H01L21/28194 , H01L21/7687 , H01L23/5223 , H01L28/75 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

2. 发明专利

TW201327649A 半導體裝置之製造方法，半導體裝置及基板處理裝置审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法，半导体设备及基板处理设备
公开(公告)号：TW201327649A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW101134288
申请日：2012-09-19
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：堀井貞義 , HORII, SADAYOSHI , 板谷秀治 , ITATANI, HIDEHARU
IPC分类号： H01L21/283 , H01L21/314 , H01L29/51 , H01L21/67
CPC分类号： H01L29/517 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/0262 , H01L21/28088 , H01L28/60 , H01L29/4966 , H01L29/94
摘要：本發明係一種半導體裝置之製造方法，半導體裝置及基板處理控裝置，其中，具有：於處理室，搬入形成有閘極絕緣膜(302)或電容絕緣膜於表面之基板(300)的基板搬入工程，和於基板上，形成含有導電性氧化膜之電極，其中，添加有調製導電性氧化膜之工作函數之添加劑的電極(318)之電極形成工程，和將形成有電極之基板，從處理室搬出之基板搬出工程。
简体摘要：本发明系一种半导体设备之制造方法，半导体设备及基板处理控设备，其中，具有：于处理室，搬入形成有闸极绝缘膜(302)或电容绝缘膜于表面之基板(300)的基板搬入工程，和于基板上，形成含有导电性氧化膜之电极，其中，添加有调制导电性氧化膜之工作函数之添加剂的电极(318)之电极形成工程，和将形成有电极之基板，从处理室搬出之基板搬出工程。

3. 发明专利

TWI501296B 半導體裝置之製造方法，半導體裝置及基板處理裝置有权
简体标题：半导体设备之制造方法，半导体设备及基板处理设备
公开(公告)号：TWI501296B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW101134288
申请日：2012-09-19
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：堀井貞義 , HORII, SADAYOSHI , 板谷秀治 , ITATANI, HIDEHARU
IPC分类号： H01L21/283 , H01L21/314 , H01L29/51 , H01L21/67
CPC分类号： H01L29/517 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/0262 , H01L21/28088 , H01L28/60 , H01L29/4966 , H01L29/94

4. 发明专利

TWI442477B 半導體裝置之製造方法有权
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI442477B
公开(公告)日：2014-06-21
申请号：TW099145123
申请日：2010-12-22
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI-KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：原田和宏 , HARADA, KAZUHIRO , 板谷秀治 , ITATANI, HIDEHARU , 堀井貞義 , HORII, SADAYOSHI
IPC分类号： H01L21/3205
CPC分类号： C23C16/34 , C23C16/45525 , H01L21/28088 , H01L21/76834 , H01L29/495 , H01L29/513 , H01L29/517

5. 发明专利

TWI222681B 半導體處理裝置及其清潔方法 SEMICONDUCTOR TREATING APPARATUS AND CLEANING METHOD OF THE SAME 失效
简体标题：半导体处理设备及其清洁方法 SEMICONDUCTOR TREATING APPARATUS AND CLEANING METHOD OF THE SAME
公开(公告)号：TWI222681B
公开(公告)日：2004-10-21
申请号：TW091114434
申请日：2002-06-28
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD. , 日立國際電氣股份有限公司 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：中原美和子 , 荒井利行 , 山本智志 , 大岡司 , 佐野敦 , 板谷秀治 , 佐久間春信
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/32136 , C23C16/18 , C23C16/40 , C23C16/4405 , C23C16/45565 , C23F1/12 , H01L28/65
摘要：本發明之課題在於有效果地除去附著或是堆積在半導體處理裝置的內部之釕膜、鋨膜以及這些元素的氧化物。為了達成上述目的，藉由將氧原子供給性氣體和鹵素氣體，分別個別地靈活運用地供應至裝置內部，能夠快速且有效果地除去堆積或是附著在裝置內的反應生成物。藉由此手段，不僅能夠使裝置安定地運轉，實現高品質的薄膜形成，進而實現以高良率來生產半導體元件。
简体摘要：本发明之课题在于有效果地除去附着或是堆积在半导体处理设备的内部之钌膜、锇膜以及这些元素的氧化物。为了达成上述目的，借由将氧原子供给性气体和卤素气体，分别个别地灵活运用地供应至设备内部，能够快速且有效果地除去堆积或是附着在设备内的反应生成物。借由此手段，不仅能够使设备安定地运转，实现高品质的薄膜形成，进而实现以高良率来生产半导体组件。

6. 发明专利

TW201629256A 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式审中-公开
简体标题：基板处理设备、半导体设备之制造方法及进程
公开(公告)号：TW201629256A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104107552
申请日：2015-03-10
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：板谷秀治 , ITATANI, HIDEHARU
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/4584 , C23C16/45551 , C23C16/52
摘要：本發明係一種基板處理裝置，半導體裝置之製造方法及程式，其課題為抑制特性為不連續的膜之形成，而實現產率高的基板處理者。解決手段為具有：處理室，和加以設置於前述處理室內，加以配置基板載置部為圓周狀之基板載置台，和使前述基板載置台旋轉之旋轉部，和於前述基板載置台之上方，加以複數配置成圓周狀之原料氣體供給構造，和藉由前述複數之原料氣體供給構造而於前述原料氣體供給構造之下方範圍，供給原料氣體之原料氣體供給部，和對應於各前述複數之原料氣體供給構造而加以設置，將前述原料氣體供給構造之下方範圍之環境進行排氣之原料氣體排氣構造，和連接於各前述原料氣體排氣構造之複數之原料氣體排氣管，和具有前述複數之原料氣體排氣管的同時，藉由前述原料氣體排氣構造而將前述處理室之環境進行排氣之原料氣體排氣部，和在前述基板載置台之上方，加以配置於前述原料氣體供給構造之間的複數之反應氣體供給構造，和藉由前述複數之反應氣體供給構造而於前述反應氣體供給構造之下方範圍，供給反應氣體之反應氣體供給部，和對應於各前述複數之反應氣體供給構造而加以設置，將前述反應氣體供給構造之下方範圍之環境進行排氣之複數的反應氣體排氣構造，和連接於各前述反應氣體排氣構造之複數之反應氣體排氣管，和具有前述複數之反應氣體排氣管的同時，藉由前述反應氣體排氣構造而將前述處理室之環境進行排氣之反應氣體排氣部，和加以設置於各前述反應氣體排氣管之複數之反應氣體壓力檢測器者。
简体摘要：本发明系一种基板处理设备，半导体设备之制造方法及进程，其课题为抑制特性为不连续的膜之形成，而实现产率高的基板处理者。解决手段为具有：处理室，和加以设置于前述处理室内，加以配置基板载置部为圆周状之基板载置台，和使前述基板载置台旋转之旋转部，和于前述基板载置台之上方，加以复数配置成圆周状之原料气体供给构造，和借由前述复数之原料气体供给构造而于前述原料气体供给构造之下方范围，供给原料气体之原料气体供给部，和对应于各前述复数之原料气体供给构造而加以设置，将前述原料气体供给构造之下方范围之环境进行排气之原料气体排气构造，和连接于各前述原料气体排气构造之复数之原料气体排气管，和具有前述复数之原料气体排气管的同时，借由前述原料气体排气构造而将前述处理室之环境进行排气之原料气体排气部，和在前述基板载置台之上方，加以配置于前述原料气体供给构造之间的复数之反应气体供给构造，和借由前述复数之反应气体供给构造而于前述反应气体供给构造之下方范围，供给反应气体之反应气体供给部，和对应于各前述复数之反应气体供给构造而加以设置，将前述反应气体供给构造之下方范围之环境进行排气之复数的反应气体排气构造，和连接于各前述反应气体排气构造之复数之反应气体排气管，和具有前述复数之反应气体排气管的同时，借由前述反应气体排气构造而将前述处理室之环境进行排气之反应气体排气部，和加以设置于各前述反应气体排气管之复数之反应气体压力检测器者。

7. 发明专利

TW201537625A 基板處理裝置，半導體裝置之製造方法及記錄媒體审中-公开
简体标题：基板处理设备，半导体设备之制造方法及记录媒体
公开(公告)号：TW201537625A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW103122668
申请日：2014-07-01
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：板谷秀治 , ITATANI, HIDEHARU
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/318
CPC分类号： C23C16/4412 , C23C16/455 , C23C16/45504 , C23C16/45523 , C23C16/458 , C23C16/4585 , C23C16/52 , H01L21/68735
摘要：本發明係能夠適當地進行朝向基板外周側之排氣導率調整，而藉此確實地尋求在膜形成時之處理空間內之壓力的均勻化。本發明之基板處理裝置係以具備有如下之構件之方式而加以構成：處理空間，其針對基板進行處理；排氣緩衝室，其具有以包圍處理空間之側方之周圍的方式所設置之空間，而流入被供給至處理空間內之氣體；及導率調整板，其以面向處理空間與排氣緩衝室之間之氣體流路之方式而加以配置。導率調整板係於面向從處理空間而朝向排氣緩衝室之氣體流路之內周側端緣，具有R狀(圓弧狀)部分或錐形傾斜狀部分。
简体摘要：本发明系能够适当地进行朝向基板外周侧之排气导率调整，而借此确实地寻求在膜形成时之处理空间内之压力的均匀化。本发明之基板处理设备系以具备有如下之构件之方式而加以构成：处理空间，其针对基板进行处理；排气缓冲室，其具有以包围处理空间之侧方之周围的方式所设置之空间，而流入被供给至处理空间内之气体；及导率调整板，其以面向处理空间与排气缓冲室之间之气体流路之方式而加以配置。导率调整板系于面向从处理空间而朝向排气缓冲室之气体流路之内周侧端缘，具有R状(圆弧状)部分或锥形倾斜状部分。

8. 发明专利

TWI416630B 半導體裝置之製造方法及基板處理裝置有权
简体标题：半导体设备之制造方法及基板处理设备
公开(公告)号：TWI416630B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW099115774
申请日：2010-05-18
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI-KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：小川有人 , OGAWA, ARITO , 堀井貞義 , HORII, SADAYOSHI , 板谷秀治 , ITATANI, HIDEHARU
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455
CPC分类号： H01L21/31645 , C23C16/405 , C23C16/45527 , H01L21/02181 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/6719 , H01L21/68785 , H01L28/40

9. 发明专利

TWI409897B 基板處理裝置及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：基板处理设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI409897B
公开(公告)日：2013-09-21
申请号：TW097109649
申请日：2008-03-19
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：佐野敦 , ATSUSHI SANO , 板谷秀治 , HIDEHARU ITATANI , 田邊光朗 , MITSURO TANABE
IPC分类号： H01L21/67 , G05D7/00

10. 发明专利

TWI591747B 基板處理裝置，半導體裝置之製造方法及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备，半导体设备之制造方法及基板处理方法
公开(公告)号：TWI591747B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW104123070
申请日：2015-07-16
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：稻田哲明 , INADA, TETSUAKI , 和田優一 , WADA, YUICHI , 石坂光範 , ISHISAKA, MITSUNORI , 平野光浩 , HIRANO, MITSUHIRO , 堀井貞義 , HORII, SADAYOSHI , 板谷秀治 , ITATANI, HIDEHARU , 高野智 , TAKANO, SATOSHI , 竹林基成 , TAKEBAYASHI, MOTONARI
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： C23C16/45551 , C23C16/34 , C23C16/45519 , C23C16/45591 , C23C16/4584 , H01L21/28562 , H01L21/32051

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