专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201830722A 改善光伏裝置之晶圓性能之方法审中-公开
简体标题：改善光伏设备之晶圆性能之方法
公开(公告)号：TW201830722A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106140627
申请日：2017-11-22
申请人：澳大利亞商新南創新私人有限公司 , NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED
发明人：西斯拉艾利森 , CIESLA, ALISON , 海崙布萊特傑森 , HALLAM, BRETT JASON , 陳凱薩琳艾蜜莉 , CHAN, CATHERINE EMILY , 張子文 , CHONG, CHEE MUN , 陳丹尼 , CHEN, DANIEL , 貝格諾戴倫 , BAGNALL, DARREN , 派恩大衛尼爾 , PAYNE, DAVID NEIL , 梅里 , MAI, LY , 艾伯特麥爾康大衛 , ABBOTT, MALCOLM DAVID , 金文龍 , KIM, MOONYONG , 陳然 , CHEN, RAN , 溫漢史都華羅斯 , WENHAM, STUART ROSS , 馮浚桁 , FUNG, TSUN HANG , 施正榮 , SHI, ZHENGRONG
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/04 , H01L21/324
摘要：本發明係關於一種用於處理矽晶圓之方法，其容許藉由利用結晶不完美之性質而改善性能。該方法包括以下步驟：接近矽之一表面形成具有結晶不完美之矽層；以使得氫原子遷移朝向具有結晶不完美之區域且沿著該等結晶不完美至該矽中之一方式將裝置之至少一部分曝露至氫原子；及藉由熱處理該矽同時將該矽曝露至小於10 mW/cm2之一照明強度而控制定位於該等結晶不完美處之氫原子之電荷狀態以當該等不完美在該晶圓之一p型區域中時為正；且當該等不完美在該晶圓之一n型區域處時為負。
简体摘要：本发明系关于一种用于处理硅晶圆之方法，其容许借由利用结晶不完美之性质而改善性能。该方法包括以下步骤：接近硅之一表面形成具有结晶不完美之硅层；以使得氢原子迁移朝向具有结晶不完美之区域且沿着该等结晶不完美至该硅中之一方式将设备之至少一部分曝露至氢原子；及借由热处理该硅同时将该硅曝露至小于10 mW/cm2之一照明强度而控制定位于该等结晶不完美处之氢原子之电荷状态以当该等不完美在该晶圆之一p型区域中时为正；且当该等不完美在该晶圆之一n型区域处时为负。

2. 发明专利

TW201705229A 一種處理矽材料的方法审中-公开
简体标题：一种处理硅材料的方法
公开(公告)号：TW201705229A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105107722
申请日：2016-03-11
申请人：新南創新私人有限公司 , NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED
发明人：艾特麥爾康 , ABBOTT, MALCOLM DAVID , 哈朗巴雷特 , HALLAM, BRETT JASON , 哈姆飛利浦 , HAMER, PHILLIP GEORGE , 溫罕史都華 , WENHAM, STUART ROSS
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/428
CPC分类号： H01L31/1868 , H01L31/1804 , H01L31/186 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：本揭示內容提供用於加速摻雜矽中之缺陷的形成之方法。摻雜矽區域被以高強度電磁輻射暴露，以提供大量超過的多數載子及增進缺陷形成之高比率，以允許有效率的矽鈍化。
简体摘要：本揭示内容提供用于加速掺杂硅中之缺陷的形成之方法。掺杂硅区域被以高强度电磁辐射暴露，以提供大量超过的多数载子及增进缺陷形成之高比率，以允许有效率的硅钝化。

3. 发明专利

TW202023063A 改良異質接面太陽能電池的效能的方法审中-公开
简体标题：改良异质接面太阳能电池的性能的方法
公开(公告)号：TW202023063A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108138436
申请日：2019-10-24
申请人：澳洲商新南創新私人有限公司 , NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED
发明人：哈勒姆布雷特傑森 , HALLAM, BRETT JASON , 賴特馬修詹姆士 , WRIGHT, MATTHEW JAMES , 金文龍 , KIM, MOONYONG , 陳丹尼 , CHEN, DANIEL
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/028 , H01L31/0376 , H01L31/024
摘要：本揭露內容提供一種用於迅速處理使用排他性地與n型摻雜劑摻雜之一結晶矽晶圓製造的一異質接面太陽能電池以改良表面鈍化及載流子輸送性質之方法，其使用以下步驟：提供一異質接面太陽能電池；該太陽能電池具有排他性地與具有高於1×1014cm-3之一濃度的n型摻雜劑摻雜之一n型矽基板，及多個金屬接點；在少於5分鐘之一週期內且在200℃與300℃之間的一溫度下照射該太陽能電池之一表面部分，其中光具有至少2 kW/m2之一強度及一波長使得該光由該表面部分吸收且在該太陽能電池中產生電子-電洞對。照射該太陽能電池之一表面部分之該步驟使得將少於0.5 kWh/m2之能量轉移至該表面部分，且該表面部分之一溫度在照射期間之一時間週期內以至少10℃/s之一速率增加。
简体摘要：本揭露内容提供一种用于迅速处理使用排他性地与n型掺杂剂掺杂之一结晶硅晶圆制造的一异质接面太阳能电池以改良表面钝化及载流子输送性质之方法，其使用以下步骤：提供一异质接面太阳能电池；该太阳能电池具有排他性地与具有高于1×1014cm-3之一浓度的n型掺杂剂掺杂之一n型硅基板，及多个金属接点；在少于5分钟之一周期内且在200℃与300℃之间的一温度下照射该太阳能电池之一表面部分，其中光具有至少2 kW/m2之一强度及一波长使得该光由该表面部分吸收且在该太阳能电池中产生电子-电洞对。照射该太阳能电池之一表面部分之该步骤使得将少于0.5 kWh/m2之能量转移至该表面部分，且该表面部分之一温度在照射期间之一时间周期内以至少10℃/s之一速率增加。

4. 发明专利

TW201828485A 減少光伏裝置中之氫致重組及表面鈍化劣化之先進氫鈍化审中-公开
简体标题：减少光伏设备中之氢致重组及表面钝化劣化之雪铁龙氢钝化
公开(公告)号：TW201828485A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106140628
申请日：2017-11-22
申请人：澳大利亞商新南創新私人有限公司 , NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED
发明人：溫漢史都華羅斯 , WENHAM, STUART ROSS , 西斯拉艾利森 , CIESLA, ALISON , 貝格諾戴倫 , BAGNALL, DARREN , 陳然 , CHEN, RAN , 艾伯特麥爾康大衛 , ABBOTT, MALCOLM DAVID , 海崙布萊特傑森 , HALLAM, BRETT JASON , 陳凱薩琳艾蜜莉 , CHAN, CATHERINE EMILY , 張子文 , CHONG, CHEE MUN , 陳丹尼 , CHEN, DANIEL , 派恩大衛尼爾 , PAYNE, DAVID NEIL , 梅里 , MAI, LY , 金文龍 , KIM, MOONYONG , 馮浚桁 , FUNG, TSUN HANG , 施正榮 , SHI, ZHENGRONG
IPC分类号： H01L31/0328 , H01L31/18
摘要：本發明提供用於製造光伏裝置之方法。特定言之，本發明係關於在光伏裝置之製造期間使用氫來鈍化矽中之缺陷且解決光致降級。本發明中之方法利用在中性或帶電狀態中之氫之產生及操縱以最佳化缺陷鈍化。一些方法揭示使用熱處理、使用次能隙光子之照明、電場或矽中之缺陷來控制氫之電荷之狀態、將氫移動至裝置中之不同位置或將氫保持在特定位置處。
简体摘要：本发明提供用于制造光伏设备之方法。特定言之，本发明系关于在光伏设备之制造期间使用氢来钝化硅中之缺陷且解决光致降级。本发明中之方法利用在中性或带电状态中之氢之产生及操纵以最优化缺陷钝化。一些方法揭示使用热处理、使用次能隙光子之照明、电场或硅中之缺陷来控制氢之电荷之状态、将氢移动至设备中之不同位置或将氢保持在特定位置处。

5. 发明专利

TW201340177A 在包含多種不純物類型的矽形成局部融化區域的方法审中-公开
简体标题：在包含多种不纯物类型的硅形成局部融化区域的方法
公开(公告)号：TW201340177A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW101139464
申请日：2012-10-25
申请人：新南創新有限公司 , NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED
发明人：霍蘭布列特傑森 , HALLAM, BRETT JASON , 張凱薩琳艾蜜莉 , CHAN, CATHERINE EMILY , 王瀚史崔特羅斯 , WENHAM, STUART ROSS , 蘇吉亞托艾德林 , SUGIANTO, ADELINE , 呂珮玄 , LU, PEI HSUAN , 維斯華倫提斯 , VAIS, VALANTIS
IPC分类号： H01L21/22 , H01L31/18
CPC分类号： H01L21/2254 , H01L21/2225 , H01L21/2636 , H01L21/268 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：本發明提供一種創造一種不純物空間分佈輪廓在包含結晶矽材料的一基材的方法。矽材料具有一第一不純物類型的初始背景摻雜且不純物空間分佈輪廓自該基材的一表面向內延伸。方法包含a)在基材的背景摻雜之外提供一種或更多的不純物來源；b)局部地加熱矽材料以及在基材中或鄰近基材之表面的一種或更多的不純物來源藉由施加雷射熱源；c)藉由自基材表面的點移除熱源冷卻熔化的矽材料以讓熔化的矽材料重新結晶；d)控制施加及/或移除雷射熱源的速率以及施加熱源的期間藉以控制熔化的速率及深度、矽保持熔化的期間以及矽材料重新結晶的速率。
简体摘要：本发明提供一种创造一种不纯物空间分布轮廓在包含结晶硅材料的一基材的方法。硅材料具有一第一不纯物类型的初始背景掺杂且不纯物空间分布轮廓自该基材的一表面向内延伸。方法包含a)在基材的背景掺杂之外提供一种或更多的不纯物来源；b)局部地加热硅材料以及在基材中或邻近基材之表面的一种或更多的不纯物来源借由施加激光热源；c)借由自基材表面的点移除热源冷却熔化的硅材料以让熔化的硅材料重新结晶；d)控制施加及/或移除激光热源的速率以及施加热源的期间借以控制熔化的速率及深度、硅保持熔化的期间以及硅材料重新结晶的速率。

6. 发明专利

TW201519289A 矽內的高濃度摻雜审中-公开
简体标题：硅内的高浓度掺杂
公开(公告)号：TW201519289A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103125264
申请日：2014-07-24
申请人：新南創新有限公司 , NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED
发明人：霍蘭布列特傑森 , HALLAM, BRETT JASON , 艾德華馬修布魯斯 , EDWARDS, MATTHEW BRUCE , 王瀚史崔特羅斯 , WENHAM, STUART ROSS , 哈默菲利普喬治 , HAMER, PHILLIP GEORGE , 張凱薩琳艾蜜莉 , CHAN, CATHERINE EMILY , 張子文 , CHONG, CHEE MUN , 吕珮玄 , LU, PEI HSUAN , 麥禮 , MAI, LY , 宋立輝 , SONG, LIHUI , 蘇吉亞托艾德林 , SUGIANTO, ADELINE , 溫漢艾利森馬雷 , WENHAM, ALISON MAREE , 徐光琦 , XU, GUANGQI
IPC分类号： H01L21/24
CPC分类号： H01L31/068 , H01L21/2225 , H01L21/2255 , H01L21/3003 , H01L21/324 , H01L31/0288 , H01L31/035272 , H01L31/1804 , H01L31/186 , H01L31/1864 , H01L31/1876 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：矽裝置具有複數結晶矽區。一個結晶矽區為摻雜的結晶矽區。藉由導入氫原子於摻雜的結晶矽區而使摻雜的結晶矽區中的某些或全部摻雜質原子失活，藉此氫庫倫地鍵結某些或全部摻雜質原子，以使個別摻雜質原子失活。可藉由加熱或照明摻雜結晶矽區以打斷至少某些摻雜質-氫鍵而可使失活的摻雜質原子重新活化，同時保持條件以產生高濃度的中性氫原子，藉此使某些氫原子自摻雜的結晶矽區擴散而不會與摻雜質原子再結合。
简体摘要：硅设备具有复数结晶硅区。一个结晶硅区为掺杂的结晶硅区。借由导入氢原子于掺杂的结晶硅区而使掺杂的结晶硅区中的某些或全部掺杂质原子失活，借此氢库伦地键结某些或全部掺杂质原子，以使个别掺杂质原子失活。可借由加热或照明掺杂结晶硅区以打断至少某些掺杂质-氢键而可使失活的掺杂质原子重新活化，同时保持条件以产生高浓度的中性氢原子，借此使某些氢原子自掺杂的结晶硅区扩散而不会与掺杂质原子再结合。

7. 发明专利

TW201523749A 矽中的熱處理审中-公开
简体标题：硅中的热处理
公开(公告)号：TW201523749A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103125265
申请日：2014-07-24
申请人：新南創新有限公司 , NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED
发明人：霍蘭布列特傑森 , HALLAM, BRETT JASON , 艾德華馬修布魯斯 , EDWARDS, MATTHEW BRUCE , 王瀚史崔特羅斯 , WENHAM, STUART ROSS , 哈默菲利普喬治 , HAMER, PHILLIP GEORGE , 張凱薩琳艾蜜莉 , CHAN, CATHERINE EMILY , 張子文 , CHONG, CHEE MUN , 吕珮玄 , LU, PEI HSUAN , 麥禮 , MAI, LY , 宋立輝 , SONG, LIHUI , 蘇吉亞托艾德林 , SUGIANTO, ADELINE , 溫漢艾利森馬雷 , WENHAM, ALISON MAREE , 徐光琦 , XU, GUANGQI
IPC分类号： H01L21/56 , H01L31/028 , H01L31/048 , H01L31/18
CPC分类号： H01L21/3223 , B32B17/10036 , B32B17/10788 , H01L21/2253 , H01L21/324 , H01L21/56 , H01L23/3107 , H01L31/048 , H01L31/0488 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：本發明提供一種用於處理具有含內部氫源之結晶矽區域之裝置的方法。該方法包含：i)將密封材料塗覆至該裝置之前表面及後表面中之每一者以形成疊層；ii)向該疊層施加壓力且加熱該疊層以使該密封材料黏結於該裝置；及iii)冷卻該裝置，其中該加熱步驟或冷卻步驟或兩者在照明下完成。
简体摘要：本发明提供一种用于处理具有含内部氢源之结晶硅区域之设备的方法。该方法包含：i)将密封材料涂覆至该设备之前表面及后表面中之每一者以形成叠层；ii)向该叠层施加压力且加热该叠层以使该密封材料黏结于该设备；及iii)冷却该设备，其中该加热步骤或冷却步骤或两者在照明下完成。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式