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    • 1. 发明专利
    • 結晶シリコン太陽電池の表面テクスチャ構造及びその製造方法
    • 网纹表面结构和其结晶硅太阳能电池的制造方法
    • JP2017504179A
    • 2017-02-02
    • JP2016524403
    • 2013-11-15
    • ▲蘇▼州阿特斯▲陽▼光▲電▼力科技有限公司▲蘇▼州大学Soochow University▲蘇▼州大学Soochow University
    • ▲暁▼▲東▼ ▲蘇▼▲暁▼▲東▼ ▲蘇▼▲師▼ ▲鄒▼▲師▼ ▲鄒▼▲栩▼生 王▲栩▼生 王▲霊▼▲軍▼ 章▲霊▼▲軍▼ 章
    • H01L31/0236H01L21/306H01L21/308
    • H01L31/02363Y02E10/50
    • 結晶シリコン太陽電池の表面テクスチャ構造の製造方法であって、(1)シリコンウエハを洗浄して、テクスチャリングする工程と、(2)シリコンウエハを金属イオンを含有する溶液に浸漬して、シリコンウエハの表面に金属ナノ粒子層をコーティングする工程と、(3)シリコンウエハの表面を腐食して、ナノレベルの表面テクスチャ構造を形成する工程と、(4)シリコンウエハを洗浄して、金属粒子を除去する工程と、(5)シリコンウエハを第2化学エッチング液に浸漬して、微細構造に対し修正エッチングを行う工程と、(6)シリコンウエハを洗浄して、スピン乾燥させる工程と、を含む結晶シリコン太陽電池の表面テクスチャ構造の製造方法。試験によれば、本発明に係る表面テクスチャ構造は、サイズが100〜500nmであり、孔径が大きく深さが浅いナノ孔状又は角付きのナノピラミッド又は角付きのナノ円錐体又は角付きのナノピット状構造である。CN102610692Aに開示されているナノ—ミクロン複合テクスチャ構造に比べて、セルの変換効率を0.2〜0.5%程度向上させ、予想できない効果を取得した。
    • 制造晶体硅太阳能电池的纹理化表面结构的方法,(1)洗涤该硅晶片,纹理的工序,浸渍于含溶液的金属离子(2)的硅晶片,该硅晶片 的,(3)在硅晶片,形成纳米级的表面纹理结构的步骤的表面的腐蚀表面上涂覆金属纳米粒子层的工序,和洗涤(4)的硅晶片,金属颗粒 并除去,进行(5)的硅晶片浸渍在第二化学蚀刻剂,改性蚀刻到微结构的步骤的步骤,和对,甩干洗涤(6)的硅晶片的工序 制造方法的晶体硅太阳能电池的表面纹理化的结构。 根据试验,根据本发明的表面纹理化的结构,大小为100至500nm,具有纳米圆锥或角与纳米锥体或浅纳米孔形或方形孔尺寸更大的深度Nanopitto角 它是乔结构。 在纳米公开CN102610692A - 微米相比,复合变形,电池的转换效率是由大约0.2%至0.5%的改善,获得了不能预期的效果。