专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

CA36891A STREET RAILWAY 未知
公开(公告)号：CA36891A
公开(公告)日：1891-06-24
申请号：CA36891D
申请人： PRICE JAMES MARTIN
发明人： PRICE JAMES MARTIN

2. 发明申请

WO2007044934A2 METHODS FOR CHARACTERIZING SEMICONDUCTOR MATERIAL USING OPTICAL METROLOGY 审中-公开
标题翻译：用光学计量学表征半导体材料的方法
公开(公告)号：WO2007044934A2
公开(公告)日：2007-04-19
申请号：PCT/US2006/040262
申请日：2006-10-12
申请人： SEMATECH, INC. , DIEBOLD, Alain, Charles , PRICE, James, Martin
发明人： DIEBOLD, Alain, Charles , PRICE, James, Martin
IPC分类号： G01B11/06 , G01N21/21 , H01L21/66
CPC分类号： G01B11/0641
摘要： Methods for characterizing a semiconductor material using optical metrology are disclosed. In one respect, a electromagnetic radiation source may be directed in a direction substantially parallel to patterns on a semiconductor material. A polarized spectroscopic reflectivity may be obtained, and a critical point data may be determined. Using the critical point data, physical dimensions of the patterns may be determined. In other respects, using optical metrology techniques, a critical point data relating to electron mobility may be determined.
摘要翻译：公开了用于使用光学度量衡表征半导体材料的方法。在一个方面，电磁辐射源可以在基本上平行于半导体材料上的图案的方向上被引导。可以获得偏振光谱反射率，并且可以确定临界点数据。使用临界点数据，可以确定图案的物理尺寸。在其他方面，使用光学计量技术，可以确定与电子迁移率有关的临界点数据。

3. 发明申请

WO2007103933A1 METHODS AND SYSTEMS FOR DETERMINING TRAPPED CHARGE DENSITY IN FILMS 审中-公开
标题翻译：用于确定膜中束缚电荷密度的方法和系统
公开(公告)号：WO2007103933A1
公开(公告)日：2007-09-13
申请号：PCT/US2007/063406
申请日：2007-03-06
申请人： SEMATECH, INC. , PRICE, James, Martin
发明人： PRICE, James, Martin
IPC分类号： G01N21/21
CPC分类号： G01N21/211 , G01N2021/213 , H01L22/14 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Methods and systems for determining a charge trap density between a semiconductor material and a dielectric material are disclosed. In one respect, spectroscopic data of the semiconductor material may be determined and used to determine a change in dielectric function. A line shape fit of the change in the dielectric function may be applied using derivative function form. The amplitude of the line shape fit may be determined and used to determine an electric field of a space charge region of the semiconductor material. By applying Poisson's equations, the scalar potential due to the electric field in the space charge region may be determined. Subsequently, using the scalar potential the charge trap density may be determined.
摘要翻译：公开了用于确定半导体材料和电介质材料之间的电荷陷阱密度的方法和系统。在一个方面，半导体材料的光谱数据可以被确定并用于确定介电函数的变化。可以使用导数函数形式应用介电函数变化的线形拟合。可以确定线形拟合的幅度并用于确定半导体材料的空间电荷区域的电场。通过应用泊松方程，可以确定由空间电荷区域中的电场引起的标量电位。随后，使用标量电位可以确定电荷陷阱密度。

4. 发明申请

WO2007009078A1 METHODS AND SYSTEMS FOR CHARACTERIZING SEMICONDUCTOR MATERIALS 审中-公开
标题翻译：用于表征半导体材料的方法和系统
公开(公告)号：WO2007009078A1
公开(公告)日：2007-01-18
申请号：PCT/US2006/027439
申请日：2006-07-12
申请人： SEMATECH, INC. , PRICE, James, Martin
发明人： PRICE, James, Martin
IPC分类号： G01B11/06
CPC分类号： G01B11/0616
摘要： Methods for determining parameters of a semiconductor material, for example, non- classical substrates such as silicon-on-insulator (SOI) substrates, strained silicon-on-insulator (sSOI) substrates, silicon-germanium-on-insulator (GeOI) substrates, and strained silicon- germanium-on-insulator (sGeOI) substrates are described. The method provides steps for transforming data corresponding to the semiconductor material from real space to reciprocal space. The critical points are isolated in the reciprocal state and corresponding critical energies of the critical points are determined. The difference between the critical energies may be used to determine a thickness of a layer of the semiconductor material, in particular, a quantum confined layer.
摘要翻译：用于确定半导体材料的参数的方法，例如非绝缘衬底，例如绝缘体上硅（SOI）衬底，应变绝缘体上硅（sSOI）衬底，绝缘体上硅（GeOI）衬底，并描述了应变的绝缘体上硅（sGeOI）衬底。该方法提供用于将对应于半导体材料的数据从实际空间转换为互惠空间的步骤。关键点在互逆状态下被隔离，确定临界点的相应临界能量。临界能量之间的差异可用于确定半导体材料的层的厚度，特别是量子限制层。

5. 发明申请

WO2007044934A3 METHODS FOR CHARACTERIZING SEMICONDUCTOR MATERIAL USING OPTICAL METROLOGY 审中-公开
标题翻译：使用光学计量学表征半导体材料的方法
公开(公告)号：WO2007044934A3
公开(公告)日：2007-07-12
申请号：PCT/US2006040262
申请日：2006-10-12
申请人： SEMATECH INC , DIEBOLD ALAIN CHARLES , PRICE JAMES MARTIN
发明人： DIEBOLD ALAIN CHARLES , PRICE JAMES MARTIN
IPC分类号： G01B11/06 , G01N21/21 , H01L21/66
CPC分类号： G01B11/0641
摘要： Methods for characterizing a semiconductor material using optical metrology are disclosed. In one respect, a electromagnetic radiation source may be directed in a direction substantially parallel to patterns on a semiconductor material. A polarized spectroscopic reflectivity may be obtained, and a critical point data may be determined. Using the critical point data, physical dimensions of the patterns may be determined. In other respects, using optical metrology techniques, a critical point data relating to electron mobility may be determined.
摘要翻译：公开了使用光学计量学表征半导体材料的方法。在一个方面，电磁辐射源可以在基本平行于半导体材料上的图案的方向上引导。可以获得偏振光谱反射率，并且可以确定临界点数据。使用临界点数据，可以确定模式的物理尺寸。在其他方面，使用光学测量技术，可以确定与电子迁移率有关的临界点数据。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式