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1. 发明申请

WO1995023359A1 AC DRIVING DEVICE 审中-公开
标题翻译：交流驱动装置
公开(公告)号：WO1995023359A1
公开(公告)日：1995-08-31
申请号：PCT/JP1995000270
申请日：1995-02-23
申请人： CITIZEN WATCH CO., LTD. , NEW JAPAN RADIO CO., LTD. , OKIGAMI, Tomio , OCHIAI, Shozo
发明人： CITIZEN WATCH CO., LTD. , NEW JAPAN RADIO CO., LTD.
IPC分类号： G04G09/00
CPC分类号： G04G19/02 , H05B33/08 , Y02B20/32
摘要： An improved EL driving device having a second power supply voltage generating means which generates a second power supply voltage for driving an EL by use of a first power source composed of a battery, third power supply voltage generating means which generates a third power supply voltage which is higher than a first power supply voltage and lower than a second power supply voltage, and driving signal supplying means which is driven by the third power supply voltage and supplies AC driving signals to the EL driving means. Since the level of the AC driving signals is raised in two stages, a semiconductor device for driving an EL having a high breakdown voltage and a high threshold voltage can be driven at a low voltage.
摘要翻译：一种改进的EL驱动装置，具有第二电源电压产生装置，其通过使用由电池构成的第一电源产生用于驱动EL的第二电源电压;第三电源电压产生装置，其产生第三电源电压，高于第一电源电压并且低于第二电源电压;以及驱动信号提供装置，其被第三电源电压驱动，并将AC驱动信号提供给EL驱动装置。由于AC驱动信号的电平分两级升高，所以可以以低电压驱动用于驱动具有高击穿电压和高阈值电压的EL的半导体器件。

2. 发明申请

WO1979000923A1 MICROWAVE MELTING DEVICE 审中-公开
标题翻译：微波熔炼设备
公开(公告)号：WO1979000923A1
公开(公告)日：1979-11-15
申请号：PCT/JP1979000092
申请日：1979-04-10
申请人： NEW JAPAN RADIO CO LTD , ASAKAWA N , SHIBATA C , TAMAI H
发明人： NEW JAPAN RADIO CO LTD
IPC分类号： B01J06/00
CPC分类号： H05B6/80 , B01J6/005 , G21F9/32 , H05B2206/045
摘要： Material to be heated such as ash from an incinerator is charged into a melting furnace which is designed to form a microwave resonator. This melting furnace is designed such that the microwave resonance matching varied by charging therein the material to be heated may be adjusted in response to both the quantity and the specific inductivity of the charged material to be heated. This furnace is adapted to be used for melting solid waste such as, especially, ash containing radioactive substance in order to treat such solid waste by the melting-solidifying process.

4. 发明专利

TW201447239A 使用反射型光偵知器的位置偵測裝置审中-公开
简体标题：使用反射型光侦知器的位置侦测设备
公开(公告)号：TW201447239A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103104016
申请日：2014-02-07
申请人：新日本無線股份有限公司 , NEW JAPAN RADIO CO., LTD.
发明人：福井和人 , FUKUI, KAZUHITO
IPC分类号： G01D5/347
CPC分类号： G01D5/34715
摘要：本發明具有反射體5，其具有沿著移動物之移動方向交互排列的反射部sa及非反射部sb，並且安裝於移動物上；本發明具有反射型光偵知器1，與發光元件3及反射體5所反射的光被複數個受光部受光之後的受光元件4並列而設置；本發明具有運算裝置8，其使用受光部的輸出信號算出移動物的位置被顯示出的值；受光元件4至少包含會輸出相位互異之信號的第一及第二受光部4a,4b；第二受光部4b在設置上分割為第一受光區域4b1及第二受光區域4b2，相對於上述第一受光部4a，其設置於發光元件3的相反側及發光元件3的旁邊；運算裝置使用第一及第二受光區域4b1,4b2的輸出信號所算出的1個信號和第一受光部的輸出信號算出移動物的位置被顯示出來的值。
简体摘要：本发明具有反射体5，其具有沿着移动物之移动方向交互排列的反射部sa及非反射部sb，并且安装于移动物上；本发明具有反射型光侦知器1，与发光组件3及反射体5所反射的光被复数个受光部受光之后的受光组件4并列而设置；本发明具有运算设备8，其使用受光部的输出信号算出移动物的位置被显示出的值；受光组件4至少包含会输出相位互异之信号的第一及第二受光部4a,4b；第二受光部4b在设置上分割为第一受光区域4b1及第二受光区域4b2，相对于上述第一受光部4a，其设置于发光组件3的相反侧及发光组件3的旁边；运算设备使用第一及第二受光区域4b1,4b2的输出信号所算出的1个信号和第一受光部的输出信号算出移动物的位置被显示出来的值。

5. 发明专利

TW201349368A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201349368A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW101142152
申请日：2012-11-13
申请人：新日本無線股份有限公司 , NEW JAPAN RADIO CO., LTD.
发明人：藤井芳雄 , FUJII, YOSHIO
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L21/02697 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/48458 , H01L2224/4847 , H01L2224/48472 , H01L2224/48505 , H01L2224/48724 , H01L2224/48824 , H01L2224/73265 , H01L2924/10272 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/20757 , H01L2924/00015 , H01L2924/00012
摘要：半導體元件的電極表面係可使用鋁材，且該鋁層亦無需要浪費地厚厚形成，無關於線徑均可將銅線牢固地接合於半導體元件電極，且達高耐熱化。功率半導體元件10的基板係使用碳化矽(SiC)，在該碳化矽基板上形成當作電極15用的鈦層20與鋁層21，一邊賦予超音波振動，一邊對上述電極15的鋁層21施行銅線16的球形接合或楔形接合，藉此便在銅線16與鈦層20之間形成銅-鋁化合物(Al4Cu9、AlCu等)23。
简体摘要：半导体组件的电极表面系可使用铝材，且该铝层亦无需要浪费地厚厚形成，无关于线径均可将铜线牢固地接合于半导体组件电极，且达高耐热化。功率半导体组件10的基板系使用碳化硅(SiC)，在该碳化硅基板上形成当作电极15用的钛层20与铝层21，一边赋予超音波振动，一边对上述电极15的铝层21施行铜线16的球形接合或楔形接合，借此便在铜线16与钛层20之间形成铜-铝化合物(Al4Cu9、AlCu等)23。

6. 发明专利

TWI461649B 使用反射型光感測器之位置檢測裝置有权
简体标题：使用反射型光传感器之位置检测设备
公开(公告)号：TWI461649B
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：TW100133732
申请日：2011-09-20
申请人：新日本無線股份有限公司 , NEW JAPAN RADIO CO., LTD
发明人：大野文昭 , OHNO, FUMIAKI
IPC分类号： G01B11/00 , G02B7/04
CPC分类号： G01B11/026

7. 发明专利

TW201721173A 光反射器审中-公开
公开(公告)号：TW201721173A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105122894
申请日：2016-07-20
申请人：新日本無線股份有限公司 , NEW JAPAN RADIO CO., LTD.
发明人：大野文昭 , OHNO, FUMIAKI , 小池誠二 , KOIKE, SEIJI
IPC分类号： G01S7/481 , G01S17/06
CPC分类号： H01L31/173 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
摘要：實現縮短到檢測對象的距離，可以進行更近的檢測對象物的位置檢測，並得以有助於配置空間的縮小化的光反射器。光反射器(10)，係具備有：基板(11)，係成板狀；發光元件(13)，係安裝於基板(11)；光接收元件(14)，係安裝於基板(11)；透光性樹脂層(12)，係密封發光元件(13)及光接收元件(14)；以及遮光部(21)，係設置於發光元件(13)及光接收元件(14)之間；遮光部(21)形成的高度，係在發光元件(13)及光接收元件(14)之間透過前述透光性樹脂層(21)可以直接接收光的一部分。
简体摘要：实现缩短到检测对象的距离，可以进行更近的检测对象物的位置检测，并得以有助于配置空间的缩小化的光反射器。光反射器(10)，系具备有：基板(11)，系成板状；发光组件(13)，系安装于基板(11)；光接收组件(14)，系安装于基板(11)；透光性树脂层(12)，系密封发光组件(13)及光接收组件(14)；以及遮光部(21)，系设置于发光组件(13)及光接收组件(14)之间；遮光部(21)形成的高度，系在发光组件(13)及光接收组件(14)之间透过前述透光性树脂层(21)可以直接接收光的一部分。

8. 发明专利

TW201720367A 光感測器审中-公开
简体标题：光传感器
公开(公告)号：TW201720367A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105125439
申请日：2016-08-10
申请人：新日本無線股份有限公司 , NEW JAPAN RADIO CO., LTD.
发明人：大野文昭 , OHNO, FUMIAKI
IPC分类号： A61B5/024
CPC分类号： A61B5/02 , A61B5/1455
摘要：本發明提供一種光感測器，係具備：光反射器(1)，該光反射器係具有已安裝於基板(11)上的發光元件(12)及受光元件(13)、分別封裝這些發光元件(12)及受光元件(13)的透光性樹脂(15)、以及遮光性樹脂(2)；或是更具備：透光性的覆蓋材料(20)，其面向光反射器(1)的受光及發光部所配置；在發光元件(12)與受光元件(13)之間使用遮光性樹脂(2)來形成遮光壁(2a)，並且形成有與遮光壁(2a)連結且用以縮窄發光元件(12)上方之發光面的簷(2b)。
简体摘要：本发明提供一种光传感器，系具备：光反射器(1)，该光反射器系具有已安装于基板(11)上的发光组件(12)及受光组件(13)、分别封装这些发光组件(12)及受光组件(13)的透光性树脂(15)、以及遮光性树脂(2)；或是更具备：透光性的覆盖材料(20)，其面向光反射器(1)的受光及发光部所配置；在发光组件(12)与受光组件(13)之间使用遮光性树脂(2)来形成遮光壁(2a)，并且形成有与遮光壁(2a)链接且用以缩窄发光组件(12)上方之发光面的檐(2b)。

9. 发明专利

TWI485368B 位置檢測用光偵測器、使用該偵測器之位置檢測裝置及位置檢測方法有权
简体标题：位置检测用光侦测器、使用该侦测器之位置检测设备及位置检测方法
公开(公告)号：TWI485368B
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：TW101121465
申请日：2012-06-15
申请人：新日本無線股份有限公司 , NEW JAPAN RADIO CO., LTD.
发明人：大野文昭 , OHNO, FUMIAKI , 福井和人 , FUKUI, KAZUHITO
IPC分类号： G01D5/347
CPC分类号： G01D5/34746

10. 发明专利

TW201340287A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201340287A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW101143867
申请日：2012-11-23
申请人：新日本無線股份有限公司 , NEW JAPAN RADIO CO., LTD.
发明人：松本英顯 , MATSUMOTO, HIDEAKI , 山下順 , YAMASHITA, JUN , 江刺家健司 , ESASHIKA, KENJI , 杉野高夫 , SUGINO, TAKAO
IPC分类号： H01L23/60 , H01L27/04
CPC分类号： H01L27/0248 , H01L27/0262 , H01L27/0623
摘要：本發明提供半導體裝置，具有ESD(靜電放電)保護元件，可以抑制尺寸擴大，不必追加製程，且不招致半導體裝置的性能下降而形成；此裝置包含：半導體基板(1)；電路元件(10)，包含在其上形成並與此基板不同導電型的區域(2)所形成的PN接合；以及其保護元件(11)；此保護元件(11)係由上述區域(2)、與此區域相同導電型的其他區域(6)及半導體基板(1)所形成的電晶體，其射極與半導體基板(1)連接。
简体摘要：本发明提供半导体设备，具有ESD(静电放电)保护组件，可以抑制尺寸扩大，不必追加制程，且不招致半导体设备的性能下降而形成；此设备包含：半导体基板(1)；电路组件(10)，包含在其上形成并与此基板不同导电型的区域(2)所形成的PN接合；以及其保护组件(11)；此保护组件(11)系由上述区域(2)、与此区域相同导电型的其他区域(6)及半导体基板(1)所形成的晶体管，其射极与半导体基板(1)连接。

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