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1. 发明专利

TW200929353A 減壓裝置及其所使用之無機材質多孔體审中-公开
简体标题：减压设备及其所使用之无机材质多孔体
公开(公告)号：TW200929353A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097127837
申请日：2008-07-22
申请人：科發倫材料股份有限公司 COVALENT MATERIALS CORPORATION
发明人：齋藤紀彥 SAITO, NORIHIKO , 武田創太郎 TAKEDA, SOTARO
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： C23C16/4412 , C23C14/564 , H01L21/67017 , Y10T137/86083 , Y10T137/86992 , Y10T137/87362 , Y10T137/87539 , Y10T428/13 , Y10T428/131
摘要：本發明之減壓裝置係具備對真空室內進行減壓之排氣機構者,其特徵在於排氣機構具備:一端與真空室連通、另一端與真空泵連通之主排氣路;設於該主排氣路上之第1開閉閥;一端經由主排氣路或直接與真空室連通、另一端經由主排氣路或直接與真空泵連通之低速排氣路;在該低速排氣路中與該低速排氣路壁隔以間隔配設之圓筒形無機材質多孔體;及設於該低速排氣路上之第2開閉閥。
简体摘要：本发明之减压设备系具备对真空室内进行减压之排气机构者,其特征在于排气机构具备:一端与真空室连通、另一端与真空泵连通之主排气路;设于该主排气路上之第1开闭阀;一端经由主排气路或直接与真空室连通、另一端经由主排气路或直接与真空泵连通之低速排气路;在该低速排气路中与该低速排气路壁隔以间隔配设之圆筒形无机材质多孔体;及设于该低速排气路上之第2开闭阀。

2. 发明专利

TW200927649A 矽製造裝置及方法 SILICON MANUFACTURING APPARATUS AND RELATED METHOD 审中-公开
简体标题：硅制造设备及方法 SILICON MANUFACTURING APPARATUS AND RELATED METHOD
公开(公告)号：TW200927649A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097140449
申请日：2008-10-22
申请人：木野科技太陽能股份有限公司 KINOTECH SOLAR ENERGY CORPORATION , 科倫發材料股份有限公司 COVALENT MATERIALS CORPORATION
发明人：武內喜則 TAKEUCHI, YOSHINORI , 大介 SAKAKI, DAISUKE , 大橋忠 OHASHI, TADASHI , 松村尚 MATSUMURA, HISASHI
IPC分类号： C01B
CPC分类号： C01B33/033 , B01J4/002 , B01J12/005 , B01J19/24 , B01J2219/00132 , B01J2219/185
摘要：本發明係一種矽製造裝置,包含有:反應管,使鋅與矽化合物進行反應;鋅供給管,包括可加熱鋅而生成鋅氣之加熱部,以及可朝反應管內吐出而供給鋅氣之鋅吐出部;鋅投入部,可朝鋅供給管內投入鋅;矽化合物供給管,具有朝反應管內吐出而供給矽化合物氣體之矽化合物吐出部,使矽化合物氣體於反應管內,自下方朝上方流動;加熱爐,配置於反應管之外側而隔出加熱領域,並將反應管之一部份、加熱部及鋅吐出部配置於加熱領域內而進行加熱,以使供鋅氣及矽化合物氣體流動之反應管內之溫度分布在中心軸側低於反應管之側周面側。
简体摘要：本发明系一种硅制造设备,包含有:反应管,使锌与硅化合物进行反应;锌供给管,包括可加热锌而生成锌气之加热部,以及可朝反应管内吐出而供给锌气之锌吐出部;锌投入部,可朝锌供给管内投入锌;硅化合物供给管,具有朝反应管内吐出而供给硅化合物气体之硅化合物吐出部,使硅化合物气体于反应管内,自下方朝上方流动;加热炉,配置于反应管之外侧而隔出加热领域,并将反应管之一部份、加热部及锌吐出部配置于加热领域内而进行加热,以使供锌气及硅化合物气体流动之反应管内之温度分布在中心轴侧低于反应管之侧周面侧。

3. 发明专利

TWI386998B 減壓裝置及其所使用之無機材質多孔體有权
简体标题：减压设备及其所使用之无机材质多孔体
公开(公告)号：TWI386998B
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：TW097127837
申请日：2008-07-22
申请人：科發倫材料股份有限公司 , COVALENT MATERIALS CORPORATION
发明人：齋藤紀彥 , SAITO, NORIHIKO , 武田創太郎 , TAKEDA, SOTARO
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C14/34
CPC分类号： C23C16/4412 , C23C14/564 , H01L21/67017 , Y10T137/86083 , Y10T137/86992 , Y10T137/87362 , Y10T137/87539 , Y10T428/13 , Y10T428/131

4. 发明专利

TW200921909A 化合物半導體基板 COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：化合物半导体基板 COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
公开(公告)号：TW200921909A
公开(公告)日：2009-05-16
申请号：TW097134360
申请日：2008-09-08
申请人：科發倫材料股份有限公司 COVALENT MATERIALS CORPORATION
发明人：阿部芳久 YOSHIHISA ABE , 小宮山純 JUN KOMIYAMA , 鈴木俊一 SHUNICHI SUZUKI , 大石浩司 HIROSHI OISHI , 吉田晃 AKIRA YOSHIDA , 中西秀夫 HIDEO NAKANISHI
IPC分类号： H01L , C23C , C30B
CPC分类号： H01L33/007 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/403 , H01L21/02381 , H01L21/02447 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02505 , H01L21/0254
摘要：本發明所提供的化合物半導體基板,係在抑制氮化物半導體單結晶層的龜裂(裂痕)、結晶缺陷等發生之情況下,達氮化物半導體單結晶層厚膜化。其具備有第1中間層110,該第1中間層110係形成於結晶面方位為{111}面的Si單結晶基板100上,且由依序互相積層著第1金屬化合物層110a與第2金屬化合物層100b,而該第1金屬化合物110a層係由TiC、TiN、VC、VN中任一種構成,該第2金屬化合物層110b係由不同於上述第1金屬化合物層110a的TiC、TiN、VC、VN中任一種構成。
简体摘要：本发明所提供的化合物半导体基板,系在抑制氮化物半导体单结晶层的龟裂(裂痕)、结晶缺陷等发生之情况下,达氮化物半导体单结晶层厚膜化。其具备有第1中间层110,该第1中间层110系形成于结晶面方位为{111}面的Si单结晶基板100上,且由依序互相积层着第1金属化合物层110a与第2金属化合物层100b,而该第1金属化合物110a层系由TiC、TiN、VC、VN中任一种构成,该第2金属化合物层110b系由不同于上述第1金属化合物层110a的TiC、TiN、VC、VN中任一种构成。

5. 发明专利

TWI309442B 矽構件及其製造方法 SILICON MEMBER AND METHOD OF MANUFACTURE THE SAME 有权
简体标题：硅构件及其制造方法 SILICON MEMBER AND METHOD OF MANUFACTURE THE SAME
公开(公告)号：TWI309442B
公开(公告)日：2009-05-01
申请号：TW095101669
申请日：2006-01-17
申请人：科發倫材料股份有限公司 COVALENT MATERIALS CORPORATION , 東京電子股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：森谷正孝 MASATAKA MORIYA , 鹿島一日兒 KAZUHIKO KASHIMA , 宮野真一 SHINICHI MIYANO
IPC分类号： H01L , C30B
CPC分类号： H01L21/3225
摘要：本發明所提供的矽構件及其製造方法,係在半導體製造步驟,特別係電漿處理步驟中,將可抑制構件本身的電阻率變動,藉此便可達晶圓處理的均勻化,且不致成為對被處理晶圓等污染的雜質污染源。經由:製造經第IIIA族原子摻雜之內在電阻率1 ��.cm以上且100 ��.cm以下之P型矽單晶的步驟;以及將上述P型矽單晶依300℃以上且500℃以下施行退火處理,形成氧施體,藉以使之P/N反轉的步驟,便可製得電阻率0.1 ��.cm以上且100 ��.cm以下的矽構件。
简体摘要：本发明所提供的硅构件及其制造方法,系在半导体制造步骤,特别系等离子处理步骤中,将可抑制构件本身的电阻率变动,借此便可达晶圆处理的均匀化,且不致成为对被处理晶圆等污染的杂质污染源。经由:制造经第IIIA族原子掺杂之内在电阻率1 ��.cm以上且100 ��.cm以下之P型硅单晶的步骤;以及将上述P型硅单晶依300℃以上且500℃以下施行退火处理,形成氧施体,借以使之P/N反转的步骤,便可制得电阻率0.1 ��.cm以上且100 ��.cm以下的硅构件。

6. 发明专利

TW201539522A 聚焦環审中-公开
简体标题：聚焦环
公开(公告)号：TW201539522A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW104105841
申请日：2015-02-24
申请人：科發倫材料股份有限公司 , COVALENT MATERIALS CORPORATION
发明人：久保田真弘 , KUBOTA, MASAHIRO , 島敬明 , SHIMA, TAKAAKI
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32642
摘要：本發明提供一種聚焦環，其不使用黏著劑，當在電漿處理裝置內被加以使用之時，可抑制異常放電，而獲得在圓周方向上之均勻的電漿環境。本發明之聚焦環係不使用黏著劑，而藉由複數個連結構件20將複數個圓弧狀構件10加以連結，構成為圓環狀之矽製的聚焦環1，從上述連結構件20上表面至上述凹狀嵌合部23之底面23a為止之厚度尺寸d2，係較從上述圓弧狀構件10上表面至第二凹部底面13a為止之厚度尺寸d1而以較大之尺寸加以形成。
简体摘要：本发明提供一种聚焦环，其不使用黏着剂，当在等离子处理设备内被加以使用之时，可抑制异常放电，而获得在圆周方向上之均匀的等离子环境。本发明之聚焦环系不使用黏着剂，而借由复数个链接构件20将复数个圆弧状构件10加以链接，构成为圆环状之硅制的聚焦环1，从上述链接构件20上表面至上述凹状嵌合部23之底面23a为止之厚度尺寸d2，系较从上述圆弧状构件10上表面至第二凹部底面13a为止之厚度尺寸d1而以较大之尺寸加以形成。

7. 发明专利

TW200920714A 積層陶瓷電容器燒成用工具材料、其製造方法及再生方法审中-公开
简体标题：积层陶瓷电容器烧成用工具材料、其制造方法及再生方法
公开(公告)号：TW200920714A
公开(公告)日：2009-05-16
申请号：TW097124390
申请日：2008-06-27
申请人：科倫發材料股份有限公司 COVALENT MATERIALS CORPORATION
发明人：岡田裕 OKADA, HIROSHI , 大屋鎖登志 OOYA, SATOSHI
IPC分类号： C04B , H01G
摘要：本發明之積層陶瓷電容器燒成用工具材料之製造方法包括:於SiC粉末原料中,添加燒結後之殘碳率未滿5.0重量%之量之有機黏合劑並加以混合之步驟;添加水後加以捏合而成形之步驟;以1500~2400℃之溫度進行燒結之步驟;於氧氣濃度為2%以上之氧氣環境下,以1350~1650℃之溫度燒成1~6小時之步驟;以及藉由熔射法而於所形成之SiO2層表面上形成包含ZrO2或Al2O3之被覆層的步驟,藉由上述製造方法而獲得於SiC基材表面上形成有SiO2層,視孔隙度為15%以上,視比重為3.05~3.20,SiC含量為90重量%以上,且於上述SiO2層表面上形成有包含ZrO2或Al2O3之被覆層的工具材料。
简体摘要：本发明之积层陶瓷电容器烧成用工具材料之制造方法包括:于SiC粉末原料中,添加烧结后之残碳率未满5.0重量%之量之有机黏合剂并加以混合之步骤;添加水后加以捏合而成形之步骤;以1500~2400℃之温度进行烧结之步骤;于氧气浓度为2%以上之氧气环境下,以1350~1650℃之温度烧成1~6小时之步骤;以及借由熔射法而于所形成之SiO2层表面上形成包含ZrO2或Al2O3之被覆层的步骤,借由上述制造方法而获得于SiC基材表面上形成有SiO2层,视孔隙度为15%以上,视比重为3.05~3.20,SiC含量为90重量%以上,且于上述SiO2层表面上形成有包含ZrO2或Al2O3之被覆层的工具材料。

8. 发明专利

TW200844272A 單結晶拉起裝置 SINGLE CRYSTAL PULLING APPARATUS 审中-公开
简体标题：单结晶拉起设备 SINGLE CRYSTAL PULLING APPARATUS
公开(公告)号：TW200844272A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW097104162
申请日：2008-02-04
申请人：科發倫材料股份有限公司 COVALENT MATERIALS CORPORATION
发明人：久一俊雄 TOSHIO HISAICHI
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B15/305 , C30B15/14 , C30B29/06 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1024 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072
摘要：提供一種對坩鍋內之矽熔液施加磁場,藉由久奇拉斯基(Czochralski)法自坩鍋中拉起單結晶之單結晶拉起裝置,為可容易地得到高氧濃度的矽單結晶之單結晶拉起裝置。其係於爐體2內具備有:具有圍繞著坩鍋3周圍之圓筒狀發熱部4a,藉由發熱部4a之熱輻射使原料矽M熔融的加熱器4;與設置成圍繞爐體2周圍對坩鍋3內之矽熔液M施加水平磁場的電磁鐵13;加熱器4之發熱部4a中之拉起軸方向之長度尺寸h係形成為坩鍋3內徑之0.5~0.9倍,且加熱器4之發熱部4a中之拉起軸方向之第一中央位置係配置於電磁鐵13中之拉起軸方向之第二中央位置之較下方,並且其等第一及第二中央位置之距離差d為該坩鍋3內徑R之0.15~0.55倍。
简体摘要：提供一种对坩锅内之硅熔液施加磁场,借由久奇拉斯基(Czochralski)法自坩锅中拉起单结晶之单结晶拉起设备,为可容易地得到高氧浓度的硅单结晶之单结晶拉起设备。其系于炉体2内具备有:具有围绕着坩锅3周围之圆筒状发热部4a,借由发热部4a之热辐射使原料硅M熔融的加热器4;与设置成围绕炉体2周围对坩锅3内之硅熔液M施加水平磁场的电磁铁13;加热器4之发热部4a中之拉起轴方向之长度尺寸h系形成为坩锅3内径之0.5~0.9倍,且加热器4之发热部4a中之拉起轴方向之第一中央位置系配置于电磁铁13中之拉起轴方向之第二中央位置之较下方,并且其等第一及第二中央位置之距离差d为该坩锅3内径R之0.15~0.55倍。

9. 发明专利

TW200925329A 電解裝置 ELECTROLYSIS APPARATUS 审中-公开
简体标题：电解设备 ELECTROLYSIS APPARATUS
公开(公告)号：TW200925329A
公开(公告)日：2009-06-16
申请号：TW097140448
申请日：2008-10-22
申请人：木野科技太陽能股份有限公司 KINOTECH SOLAR ENERGY CORPORATION , 科倫發材料股份有限公司 COVALENT MATERIALS CORPORATION
发明人：武內喜則 TAKEUCHI, YOSHINORI , 大介 SAKAKI, DAISUKE , 大橋忠 OHASHI, TADASHI , 松村尚 MATSUMURA, HISASHI
IPC分类号： C25C , C25B
CPC分类号： C25C7/005 , C25C3/34 , C25C7/06
摘要：本發明係提供一種電解裝置,包含有:電解槽,可容置電解液;加熱部,設於電解槽之周圍,可加熱電解槽;電極部,包含將浸漬於電解液中之電極單元,以及可保持電極單元而通電之電極通電部;蓋體,可於電解槽之上部隔出封閉空間;排出部,配置於蓋體上而可使封閉空間與外部連通,並由封閉空間朝外部排出由電解液伴隨電分解而產生之副產氣體;及,蒸發抑制構件,覆蓋電解液之液面並對電解液形成漂浮配置狀態,使伴隨電分解而產生之副產氣體流至封閉空間,同時抑制電解液之蒸發。
简体摘要：本发明系提供一种电解设备,包含有:电解槽,可容置电解液;加热部,设于电解槽之周围,可加热电解槽;电极部,包含将浸渍于电解液中之电极单元,以及可保持电极单元而通电之电极通电部;盖体,可于电解槽之上部隔出封闭空间;排出部,配置于盖体上而可使封闭空间与外部连通,并由封闭空间朝外部排出由电解液伴随电分解而产生之副产气体;及,蒸发抑制构件,覆盖电解液之液面并对电解液形成漂浮配置状态,使伴随电分解而产生之副产气体流至封闭空间,同时抑制电解液之蒸发。

10. 发明专利

TW200916614A 矽單晶拉起方法 METHOD OF PULLING UP SILICON SINGLE CRYSTAL 审中-公开
简体标题：硅单晶拉起方法 METHOD OF PULLING UP SILICON SINGLE CRYSTAL
公开(公告)号：TW200916614A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：TW097129779
申请日：2008-08-06
申请人：科發倫材料股份有限公司 COVALENT MATERIALS CORPORATION
发明人：南俊郎 TOSHIRO MINAMI
IPC分类号： C30B
摘要：本發明提供於藉由柴氏法(Czochralski Method)之於矽單晶生長中可抑制頸徑之變動率於既定範圍內,將在頸部之移位早期排除之矽單晶拉起方法。其係使種晶與原料矽熔融液接觸後將其拉起,生長成頸部後,使其增徑而生長成既定的結晶徑之單晶者;使前述頸徑增減以生長該頸部,其間,於以增減之前述頸徑之鄰接的折曲點P1、P2間之頸徑差(A-B)除以前述折曲點間之頸長L之値作為頸徑變動率時,前述頸徑變動率係定為0.05以上、未滿0.5。
简体摘要：本发明提供于借由柴氏法(Czochralski Method)之于硅单晶生长中可抑制颈径之变动率于既定范围内,将在颈部之移位早期排除之硅单晶拉起方法。其系使种晶与原料硅熔融液接触后将其拉起,生长成颈部后,使其增径而生长成既定的结晶径之单晶者;使前述颈径增减以生长该颈部,其间,于以增减之前述颈径之邻接的折曲点P1、P2间之颈径差(A-B)除以前述折曲点间之颈长L之値作为颈径变动率时,前述颈径变动率系定为0.05以上、未满0.5。

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