基本信息:
- 专利标题： 不揮発性記憶装置
- 专利标题（英）：NONVOLATILE STORAGE DEVICE
- 申请号：PCT/JP2022/000526 申请日：2022-01-11
- 公开(公告)号：WO2022201744A1 公开(公告)日：2022-09-29
- 发明人： 野々口 誠二 , 椎本 恒則 , 清 宏彰
- 申请人： ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
- 申请人地址： 〒2430014 神奈川県厚木市旭町四丁目１４番１号 Kanagawa
- 专利权人： ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
- 当前专利权人： ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
- 当前专利权人地址： 〒2430014 神奈川県厚木市旭町四丁目１４番１号 Kanagawa
- 代理机构： 弁理士法人つばさ国際特許事務所
- 优先权： JP2021-048235 2021-03-23
- 主分类号： H01L45/00
- IPC分类号： H01L45/00 ; H01L49/00 ; H01L21/8239 ; H01L27/105 ; G11C13/00
摘要：
不揮発性記憶装置は、第１電極と、スイッチ層と、第２電極とを備えている。第２電極は第１電極に対向して配設されている。スイッチ層は第１電極と第２電極との間に配設されている。スイッチ層はゲルマニウム、砒素及びセレンを主成分としている。
摘要（英）：
This nonvolatile storage device comprises a first electrode, a switch layer, and a second electrode. The second electrode is arranged facing the first electrode. The switch layer is arranged between the first electrode and the second electrode. The switch layer has germanium, arsenic and selenium as principal components thereof.