基本信息:
- 专利标题： 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
- 专利标题（英）：METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND PROGRAM
- 申请号：PCT/JP2021/007506 申请日：2021-02-26
- 公开(公告)号：WO2022180825A1 公开(公告)日：2022-09-01
- 发明人： 清水 富介 , 尾崎 貴志 , 赤江 尚徳 , 西田 圭吾
- 申请人： 株式会社ＫＯＫＵＳＡＩ ＥＬＥＣＴＲＩＣ
- 申请人地址： 〒1010045 東京都千代田区神田鍛冶町三丁目４番地 Tokyo
- 专利权人： 株式会社ＫＯＫＵＳＡＩ ＥＬＥＣＴＲＩＣ
- 当前专利权人： 株式会社ＫＯＫＵＳＡＩ ＥＬＥＣＴＲＩＣ
- 当前专利权人地址： 〒1010045 東京都千代田区神田鍛冶町三丁目４番地 Tokyo
- 代理机构： 福岡 昌浩
- 主分类号： H01L21/31
- IPC分类号： H01L21/31 ; H01L21/318
摘要：
（ａ）基板に対して所定元素を含む第１原料を供給する工程と、（ｂ）基板に対して、第１原料とは分子構造が異なり、所定元素及び酸素を含む第２原料を供給する工程と、（ｃ）基板に対して酸化剤を供給する工程と、（ｄ）基板に対して窒化剤を供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことで、基板上に、所定元素、酸素及び窒素を含む膜を形成する工程を有する。
摘要（英）：
This method for producing a semiconductor device comprises a step for forming a film, which contains a specific element, oxygen and nitrogen, on a substrate by performing a cycle a predetermined number of times, the cycle comprising: (a) a step for supplying a first starting material, which contains the specific element, to the substrate; (b) a step for supplying a second starting material, which has a molecular structure that is different from the molecular structure of the first starting material, while containing the specific element and oxygen, to the substrate; (c) a step for supplying an oxidant to the substrate; and (d) a step for supplying a nitriding agent to the substrate.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/31 | .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择 |