基本信息:
- 专利标题： 合成単結晶ダイヤモンド及びその製造方法
- 专利标题（英）：SYNTHETIC SINGLE-CRYSTAL DIAMOND AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
- 申请号：PCT/JP2021/040399 申请日：2021-11-02
- 公开(公告)号：WO2022097641A1 公开(公告)日：2022-05-12
- 发明人： 角谷 均 , 李 真和
- 申请人： 住友電気工業株式会社
- 申请人地址： 〒5410041 大阪府大阪市中央区北浜四丁目５番３３号 Osaka
- 专利权人： 住友電気工業株式会社
- 当前专利权人： 住友電気工業株式会社
- 当前专利权人地址： 〒5410041 大阪府大阪市中央区北浜四丁目５番３３号 Osaka
- 代理机构： 特許業務法人深見特許事務所
- 优先权： JP2020-184564 2020-11-04
- 主分类号： C30B29/04
- IPC分类号： C30B29/04 ; C01B32/26 ; C01B32/28 ; C30B9/10 ; C30B33/02 ; C30B33/04
摘要：
１つの空孔と、１つのホウ素原子との結合体を含む合成単結晶ダイヤモンドであって、ホウ素原子の原子数基準の濃度は、０．１ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下である。
摘要（英）：
Provided is a synthetic single-crystal diamond including a bond between one vacancy and one boron atom, wherein the concentration of boron atoms based on the number of atoms is 0.1-100 ppm, inclusive.