基本信息:
- 专利标题： 半導体装置
- 专利标题（英）：SEMICONDUCTOR DEVICE
- 申请号：PCT/JP2021/030688 申请日：2021-08-20
- 公开(公告)号：WO2022039277A1 公开(公告)日：2022-02-24
- 发明人： ▲柳▼田 秀彰 , 四戸 孝 , 安藤 裕之 , 松原 佑典 , 北角 英人
- 申请人： 株式会社ＦＬＯＳＦＩＡ
- 申请人地址： 〒6158245 京都府京都市西京区御陵大原１番２９号 Kyoto
- 专利权人： 株式会社ＦＬＯＳＦＩＡ
- 当前专利权人： 株式会社ＦＬＯＳＦＩＡ
- 当前专利权人地址： 〒6158245 京都府京都市西京区御陵大原１番２９号 Kyoto
- 优先权： JP2020-139470 2020-08-20
- 主分类号： H01L29/872
- IPC分类号： H01L29/872 ; H01L21/822 ; H01L27/04 ; H01L27/06 ; H01L29/861 ; H01L29/868 ; H02M1/00 ; H02M7/48
摘要：
小型化や高密度化を図りながら過電流への耐久性を向上させることのできる半導体装置を提供する。本発明の半導体装置は、負の温度特性を備え直列接続される複数のPN接合ダイオードと、前記複数のPN接合ダイオードのそれぞれに並列接続されるとともに、互いに直列接続される複数の抵抗素子と、正の温度特性を備え前記複数のPN接合ダイオードと並列接続されるショットキーバリアダイオードとを有する半導体装置である。
摘要（英）：
Provided is a semiconductor device capable of improving durability against overcurrent while enabling a decrease in size and an increase in density. A semiconductor device of the present invention includes a plurality of PN junction diodes having a negative temperature characteristic and connected in series, a plurality of resistance elements connected in parallel to a respective PN junction diode and in series to each other, and a Schottky barrier diode having a positive temperature characteristic and connected in parallel with the plurality of PN junction diodes.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/86 | ..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的 |
| ------------H01L29/861 | ...二极管 |
| --------------H01L29/872 | ....肖特基二极管 |