基本信息:
- 专利标题： METHOD OF MAKING HIGH CRITICAL TEMPERATURE METAL NITRIDE LAYER
- 申请号：PCT/US2021/018417 申请日：2021-02-17
- 公开(公告)号：WO2021168010A1 公开(公告)日：2021-08-26
- 发明人： YANG, Zihao , ZHU, Mingwei , MANGIPUDI, Shriram , CHOWDHURY, Mohammad Kamruzzaman , LAVAN, Shane , CHEN, Zhebo , CAO, Yong , PATIBANDLA, Nag B.
- 申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
- 申请人地址： 3050 Bowers Avenue
- 专利权人： APPLIED MATERIALS, INC.
- 当前专利权人： APPLIED MATERIALS, INC.
- 当前专利权人地址： 3050 Bowers Avenue
- 代理机构： GOREN, David J.
- 优先权： US62/980,101 2020-02-21
- 主分类号： H01L39/24
- IPC分类号： H01L39/24 ; C23C14/06 ; C23C14/02 ; G01J1/44
摘要：
A method of fabricating a device including a superconductive layer includes depositing a seed layer on a substrate, exposing the seed layer to an oxygen-containing gas or plasma to form a modified seed layer, and after exposing the seed layer to the oxygen-containing gas or plasma depositing a metal nitride superconductive layer directly on the modified seed layer. The seed layer is a nitride of a first metal, and the superconductive layer is a nitride of a different second metal.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L39/00 | 应用超导电性的或高导电性的器件，专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L39/24 | .专门适用于制造或处理包含在H01L39/00组内的器件或其部件的方法或设备 |