基本信息:
- 专利标题： HALBLEITERBAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUTEILS
- 专利标题（英）：SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR COMPONENT
- 申请号：PCT/EP2020/078150 申请日：2020-10-07
- 公开(公告)号：WO2021073985A1 公开(公告)日：2021-04-22
- 发明人： PILZ, Alexander , BAGUNG, Detlev
- 申请人： VITESCO TECHNOLOGIES GMBH
- 申请人地址： Vahrenwalder Straße 9
- 专利权人： VITESCO TECHNOLOGIES GMBH
- 当前专利权人： VITESCO TECHNOLOGIES GMBH
- 当前专利权人地址： Vahrenwalder Straße 9
- 代理机构： WALDMANN, Alexander
- 优先权： DE10 2019 215 793.9 2019-10-14
- 主分类号： H01L23/473
- IPC分类号： H01L23/473 ; H01L23/498
摘要：
Es wird ein Halbleiterbauteil (1) mit einem Verdrahtungssubstrat (2) angegeben. Das Verdrahtungssubstrat (2) weist eine metallische Basisplatte (5) mit einer Oberseite (7) und einer Unterseite (9) auf, wobei auf der Oberseite (7) unmittelbar eine dielektrische Schicht (11) mit darauf ausgebildeten Leiterbahnstrukturen (13) angeordnet ist. Die Basisplatte (5) ist gleichzeitig als Kühlkörper ausgebildet ist und weist auf der Unterseite die Oberfläche vergrößernde Kühlstrukturen (19) auf. Auf der Oberseite (7) des Verdrahtungssubstrats (2) ist ein Halbleiterbauelement (3) angeordnet. Das Halbleiterbauteil (1) weist ferner eine Flüssigkeitskühlung auf, wobei der Kühlkörper einen Deckel eines mit Kühlflüssigkeit durchströmten Gehäuses (30) bildet. Zudem wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils angegeben.
摘要（英）：
A semiconductor component (1) having a wiring substrate (2) is specified. The wiring substrate (2) has a metal base plate (5) having a top side (7) and a bottom side (9), a dielectric layer (11) being directly arranged on the top side (7), conductor structures (13) being formed on said dielectric layer. The base plate (5) is simultaneously designed as a heat sink and has, on the bottom side, cooling structures (19) that enlarge the surface. A semiconductor device (3) is arranged on the top side (7) of the wiring substrate (2). The semiconductor component (1) further has a liquid cooling, the heat sink forming a cover of a housing (30) through which cooling liquid flows. A method for producing a semiconductor component is also specified.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/46 | ..包含有用流动流体传导热的 |
| ------------H01L23/473 | ...通过流动液体的 |