基本信息:
- 专利标题： 반도체 패키지용 절연층 제조방법 및 이에 의해 형성된 반도체 패키지용 절연층
- 专利标题（英）：METHOD FOR MANUFACTURING INSULATING LAYER FOR SEMICONDUCTOR PACKAGE, AND INSULATING LAYER FOR SEMICONDUCTOR PACKAGE, FORMED BY SAME METHOD
- 申请号：PCT/KR2018/016351 申请日：2018-12-20
- 公开(公告)号：WO2019139274A1 公开(公告)日：2019-07-18
- 发明人： 정민수 , 경유진 , 최병주 , 정우재 , 이광주 , 조은별
- 申请人： 주식회사 엘지화학
- 申请人地址： 07336 서울시 영등포구 여의대로 128, Seoul KR
- 专利权人： 주식회사 엘지화학
- 当前专利权人： 주식회사 엘지화학
- 当前专利权人地址： 07336 서울시 영등포구 여의대로 128, Seoul KR
- 代理机构： 유미특허법인
- 优先权： KR10-2018-0003579 20180110
- 主分类号： H01L23/29
- IPC分类号： H01L23/29 ; H01L23/482 ; H01L23/485 ; H01L21/02
摘要：
본 발명은 반도체 패키지용 절연층 제조시 절연층 내부에 발생하는 기공을 자기적 특성을 이용하여 제거하여 신뢰성을 높일 수 있고, 우수한 내열성을 가질 수 있는 반도체 패키지용 절연층 제조방법 및 이러한 반도체 패키지용 절연층 제조방법을 이용하여 얻어지는 반도체 패키지용 절연층에 관한 것이다.
摘要（英）：
The present invention relates to: a method for manufacturing an insulating layer for a semiconductor package, wherein, in the process of manufacturing an insulating layer for a semiconductor package, pores generated in the insulating layer are removed using magnetic properties, so that the reliability of the insulating layer can be increased and the insulating layer can have excellent heat resistance; and an insulating layer for a semiconductor package, which is obtained using the method for manufacturing an insulating layer for a semiconductor package.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/02 | .容器；封接 |
| ----------H01L23/29 | ..按材料特点进行区分的 |