基本信息:
- 专利标题： 成膜装置及び成膜方法
- 专利标题（英）：WO2018216226A1 - Film-forming device and film-forming method
- 申请号：PCT/JP2017/020526 申请日：2017-05-26
- 公开(公告)号：WO2018216226A1 公开(公告)日：2018-11-29
- 发明人： 本多 祐二 , 木島 健 , 濱田 泰彰
- 申请人： アドバンストマテリアルテクノロジーズ株式会社
- 申请人地址： 〒2700156 千葉県流山市西平井956番地の1 Chiba JP
- 专利权人： アドバンストマテリアルテクノロジーズ株式会社
- 当前专利权人： アドバンストマテリアルテクノロジーズ株式会社
- 当前专利权人地址： 〒2700156 千葉県流山市西平井９５６番地の１ Chiba JP
- 代理机构： 柳瀬 睦肇
- 主分类号： H01L21/203
- IPC分类号： H01L21/203 ; H01L41/187 ; H01L41/316
摘要：
本発明の一態様に係る成膜装置は、接地電位に電気的に接続されるチャンバー２１と、前記チャンバー内に配置されたターゲットＴＧと、前記ターゲットに高周波電力を供給する電力供給部３２と、前記チャンバー内にガスを供給するガス供給部２３，２４と、前記チャンバー内に配置され、基板ＳＢを前記ターゲットに対向させて保持する絶縁性基板保持部２５ｂと、前記絶縁性基板保持部を支持する導電性支持部４２と、前記導電性支持部と前記チャンバーとの間に配置された第１絶縁性部材５３と、を有し、前記導電性支持部は前記第１絶縁性部材によって前記チャンバーに対して電気的に浮遊しており、前記基板の外周部が前記絶縁性基板保持部と接触することで、前記絶縁性基板保持部に前記基板が保持され、前記基板は前記導電性支持部に対して電気的に浮遊しており、前記絶縁性基板保持部は、平面視において前記基板の中央部と重ならない。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |
| ----------------H01L21/203 | .....应用物理沉积的，例如真空沉积，溅射 |