基本信息:
- 专利标题： 半導体デバイス用基板用の洗浄剤組成物
- 专利标题（英）：WO2018123889A1 - Washing agent composition for substrate for semiconductor device
- 申请号：PCT/JP2017/046192 申请日：2017-12-22
- 公开(公告)号：WO2018123889A1 公开(公告)日：2018-07-05
- 发明人： 茅窪大輔 , 長沼純
- 申请人： 花王株式会社
- 申请人地址： 〒1038210 東京都中央区日本橋茅場町一丁目14番10号 Tokyo JP
- 专利权人： 花王株式会社
- 当前专利权人： 花王株式会社
- 当前专利权人地址： 〒1038210 東京都中央区日本橋茅場町一丁目１４番１０号 Tokyo JP
- 代理机构： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
- 优先权： JP2016-256228 20161228
- 主分类号： H01L21/304
- IPC分类号： H01L21/304 ; C11D3/04 ; C11D3/20 ; C11D3/34 ; C11D7/08 ; C11D7/26 ; C11D7/34 ; C11D17/08
摘要：
一態様において、セリアに対する洗浄性に優れ、セリアの溶解性の経時変化を抑制できる半導体デバイス用基板用の洗浄剤組成物の提供。 本開示は、一態様において、下記成分Ａ、下記成分Ｂ、下記成分Ｃ及び下記成分Ｄを含有する、半導体デバイス用基板用の洗浄剤組成物に関する。 成分Ａ：硫酸 成分Ｂ：アスコルビン酸 成分Ｃ：チオ尿素及びジチオトレイトールの少なくとも一つ 成分Ｄ：水
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/304 | ......机械处理，例如研磨、抛光、切割 |