基本信息:
- 专利标题： 질화물계 전자소자 및 그 제조방법
- 专利标题（英）：WO2018110831A1 - Nitride-based electronic device and method for manufacturing same
- 申请号：PCT/KR2017/012441 申请日：2017-11-03
- 公开(公告)号：WO2018110831A1 公开(公告)日：2018-06-21
- 发明人： 이상민 , 구황섭 , 김현제 , 정희석
- 申请人： 주식회사 웨이비스
- 申请人地址： 18449 경기도 화성시 삼성1로5길 46 (석우동), Gyeonggi-do KR
- 专利权人： 주식회사 웨이비스
- 当前专利权人： 주식회사 웨이비스
- 当前专利权人地址： 18449 경기도 화성시 삼성1로5길 46 (석우동), Gyeonggi-do KR
- 代理机构： 특허법인 주원
- 优先权： KR10-2016-0169819 20161213
- 主分类号： H01L21/18
- IPC分类号： H01L21/18 ; H01L21/324 ; H01L21/768 ; H01L21/04 ; H01L21/8234 ; H01L21/265 ; H01L21/225 ; H01L21/027
摘要：
본 발명은 질화물계 전자소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판의 상부에 순차적층되는 채널층, 장벽층 및 보호층과, 보호층의 개구 부분을 통해 노출되는 보호층의 하부층에 접촉되는 오믹 콘택을 포함하는 질화물계 전자소자에 있어서, 상기 오믹 콘택은 개구 부분으로 노출된 상기 보호층의 하부층의 상부 및 상기 개구 부분 주변의 상기 보호층의 일부 상부에 위치하도록 구성된다.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |