基本信息:
- 专利标题： METHOD AND APPARATUS TO MONITOR A PROCESS APPARATUS
- 专利标题（中）：监视过程设备的方法和设备
- 申请号：PCT/EP2017/070586 申请日：2017-08-14
- 公开(公告)号：WO2018046246A1 公开(公告)日：2018-03-15
- 发明人： MASLOW, Mark, John , MULKENS, Johannes, Catharinus, Hubertus , TEN BERGE, Peter , VAN DE MAST, Franciscus , GEMMINK, Jan-Willem , REIJNEN, Liesbeth
- 申请人： ASML NETHERLANDS B.V.
- 申请人地址： P.O. Box 324 5500 AH Veldhoven NL
- 专利权人： ASML NETHERLANDS B.V.
- 当前专利权人： ASML NETHERLANDS B.V.
- 当前专利权人地址： P.O. Box 324 5500 AH Veldhoven NL
- 代理机构： PETERS, John
- 优先权： EP16187478.9 20160906
- 主分类号： G03F7/20
- IPC分类号： G03F7/20
摘要：
A substrate, including a substrate layer; and an etchable layer on the substrate layer, the etchable layer including a patterned region thereon or therein and including a blank region of sufficient size to enable a bulk etch rate of an etch tool for etching the blank region to be determined.
摘要（中）：
包括衬底层的衬底; 以及在衬底层上的可蚀刻层，可蚀刻层包括其上或其中的图案化区域，并且包括空白区域，该空白区域具有足够尺寸以使蚀刻工具的体蚀刻速率能够蚀刻待确定的空白区域。