基本信息:
- 专利标题： VERFAHREN ZUM EUTEKTISCHEN BONDEN VON WAFERN UND WAFERVERBUND
- 专利标题（英）：Method for eutectic bonding of wafers, and a wafer bond
- 专利标题（中）：一种晶粒和晶粒复合材料的等效结合方法
- 申请号：PCT/EP2017/063220 申请日：2017-05-31
- 公开(公告)号：WO2017211654A1 公开(公告)日：2017-12-14
- 发明人： SCHMITZ, Volker , GROSSE, Axel
- 申请人： ROBERT BOSCH GMBH
- 申请人地址： Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart DE
- 专利权人： ROBERT BOSCH GMBH
- 当前专利权人： ROBERT BOSCH GMBH
- 当前专利权人地址： Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart DE
- 优先权： DE10 20160607
- 主分类号： B81C3/00
- IPC分类号： B81C3/00
摘要：
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum eutektischen Bonden von Wafern mit den Schritten: (a) Bereitstellen eines ersten Wafers (10) mit einer ersten Bondschicht (310) und eines zweiten Wafers (20) mit einer zweiten Bondschicht (320) sowie einem Abstandshalter (400) (b) Aneinanderlegen des ersten Wafers (10) an den zweiten Wafer (20), wobei der Abstandshalter (400) an der ersten Bondschicht (310) anliegt. (c) Aneinanderpressen des ersten Wafers (10) und des zweiten Wafers (20) bis zum Anliegen der ersten Bondschicht (310) an der zweiten Bondschicht (320), wobei der Abstandshalter (400) in die erste Bondschicht (310) eindringt. (d) Eutektisches Bonden des ersten Wafers (10) mit dem zweiten Wafer (20) durch Bilden einer eutektischen Legierung wenigstens aus Teilen der ersten Bondschicht (310) und der zweiten Bondschicht (320). Die Erfindung betrifft auch einen eutektisch gebondeten Waferverbund und eine mikromechanische Vorrichtung aufweisend einen solchen eutektisch gebondeten Waferverbund.
摘要（中）：
（a）提供具有第一结合层（310）的第一晶片（10）和具有第二结合层（310）的第二晶片（20）;以及 （320）和并置在第一晶片（10）的间隔件（400）（b）所述第二晶片（20），其中，所述第一接合层（310）在所述间隔物（400）被施加。 第一晶片（10）的压在一起，并且所述第二晶片（20）到所述第一接合层（310）到所述第二接合层（320）所关心的问题，其中所述间隔物（400）穿透（c）中在所述第一粘结层（310）。 通过形成共晶合金的第一晶片（10）到所述第二晶片（20）的（d）共晶接合在第一接合层（310）和所述第二接合层（320）的至少一部分。 本发明还涉及包含这种共晶结合晶片复合材料的共晶结合晶片复合材料和微机械器件
IPC结构图谱:
| B | 作业；运输 |
| --B81 | 微观结构技术 |
| ----B81C | 专门适用于制造或处理微观结构的装置或系统的方法或设备 |
| ------B81C3/00 | 从单独处理过的部件组装装置或系统 |