基本信息:
- 专利标题： 積層配線膜および薄膜トランジスタ素子
- 专利标题（英）：Multilayer wiring film and thin film transistor element
- 专利标题（中）：层压布线膜和薄膜晶体管元件
- 申请号：PCT/JP2017/017690 申请日：2017-05-10
- 公开(公告)号：WO2017195826A1 公开(公告)日：2017-11-16
- 发明人： 志田 陽子 , 後藤 裕史
- 申请人： 株式会社神戸製鋼所
- 申请人地址： 〒6518585 兵庫県神戸市中央区脇浜海岸通二丁目2番4号 Hyogo JP
- 专利权人： 株式会社神戸製鋼所
- 当前专利权人： 株式会社神戸製鋼所
- 当前专利权人地址： 〒6518585 兵庫県神戸市中央区脇浜海岸通二丁目２番４号 Hyogo JP
- 代理机构： 特許業務法人栄光特許事務所
- 优先权： JP2016-097321 20160513
- 主分类号： H01L21/285
- IPC分类号： H01L21/285 ; C22C9/01 ; C22C9/04 ; C22C9/05 ; C23C14/14 ; C23C14/34 ; H01L21/28 ; H01L29/417 ; H01L29/423 ; H01L29/49
摘要：
本発明は、電気抵抗が１０μΩｃｍ以下のＣｕまたはＣｕ合金からなる配線層と、該配線層の上層および下層のうちの少なくとも一方に設けられるＣｕとＸ元素を含むＣｕ－Ｘ合金層とを備え、Ｘ元素は、Ａｌ、Ｍｎ、ＺｎおよびＮｉからなるＸ群から選ばれる少なくとも１種であり、Ｃｕ－Ｘ合金層を構成する金属が、特定の組成系である積層配線膜に関する。本発明の積層配線膜によれば、低い電気抵抗であり、ＣＶＤ法による層間絶縁膜のＳｉＯｘ成膜での剥離が無く、かつ４００℃以上の高温熱処理を行っても電気抵抗上昇の無い積層配線膜を提供することができる。
摘要（中）：
本发明包括布线层，其电阻由以下Cu或Cu合金10的.mu..OMEGA.cm，设置在上部和下部布线层的Cu中的至少一种Cu和X元素 和-X合金层，X元素是至少一种铝，锰，选自由Zn和Ni中，构成的Cu-X合金层中的金属组成的组中选择的X具有特定的组合物基于层压 到布线膜。 根据本发明的层叠配线膜，低电阻，不脱层在层间通过CVD法绝缘膜的的SiOx沉积，也没有层叠配线电阻增大，即使400℃以上的高温热处理 可以提供膜。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/283 | .....用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积 |
| ------------------H01L21/285 | ......气体或蒸气的沉积，例如冷凝 |