基本信息:
- 专利标题： HIGH EFFICIENCY MULTIJUNCTION PHOTOVOLTAIC CELLS
- 专利标题（中）：高效多结光伏电池
- 申请号：PCT/US2016/056437 申请日：2016-10-11
- 公开(公告)号：WO2017069970A1 公开(公告)日：2017-04-27
- 发明人： SUAREZ, Ferran , LIU, Ting , YUEN, Homan B. , BILIR, David Taner , SUKIASYAN, Arsen , LANG, Jordan
- 申请人： SOLAR JUNCTION CORPORATION
- 申请人地址： 401 Charcot Ave. San Jose, California 95131 US
- 专利权人： SOLAR JUNCTION CORPORATION
- 当前专利权人： SOLAR JUNCTION CORPORATION
- 当前专利权人地址： 401 Charcot Ave. San Jose, California 95131 US
- 代理机构： LAMBERT, William R.
- 优先权： US14/887,021 20151019
- 主分类号： H01L31/0304
- IPC分类号： H01L31/0304 ; H01L31/0687
摘要：
Multijunction photovoltaic cells having at least three subcells are disclosed, in which at least one of the subcells comprises a base layer formed of GaInNAsSb. The GaInNAsSb subcells exhibit high internal quantum efficiencies over a broad range of irradiance energies.
摘要（中）：
公开了具有至少三个子电池的多结光伏电池，其中至少一个子电池包括由GaInNAsSb形成的基层。 GaInNAsSb子单元在广泛的辐照能量范围内表现出高内部量子效率。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L31/00 | 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件 |
| --------H01L31/02 | .零部件 |
| ----------H01L31/0256 | ..以材料为特征的 |
| ------------H01L31/0264 | ...无机材料 |
| --------------H01L31/0304 | ....除掺杂或其他杂质外，只包含AⅢBⅤ化合物的 |