基本信息:
- 专利标题： SOURCE-GATE REGION ARCHITECTURE IN A VERTICAL POWER SEMICONDUCTOR DEVICE
- 专利标题（中）：垂直功率半导体器件中的源极区域结构
- 申请号：PCT/US2016/015394 申请日：2016-01-28
- 公开(公告)号：WO2017058279A1 公开(公告)日：2017-04-06
- 发明人： HARRINGTON, Thomas, E.
- 申请人： D3 SEMICONDUCTOR LLC
- 申请人地址： 15050 E. Beltwood Parkway Addison, TX 75001 US
- 专利权人： D3 SEMICONDUCTOR LLC
- 当前专利权人： D3 SEMICONDUCTOR LLC
- 当前专利权人地址： 15050 E. Beltwood Parkway Addison, TX 75001 US
- 代理机构： ANDERSON, Rodney, M.
- 优先权： US62/236,009 20151001
- 主分类号： H01L21/82
- IPC分类号： H01L21/82 ; H01L21/32 ; H01L21/70 ; H01L21/77 ; H01L21/822
摘要：
A vertical drift metal-oxide-semiconductor (VDMOS) transistor with improved contact to source and body regions, and a method of fabricating the same. A masked ion implant of the source regions into opposite-type body regions defines the locations of body contact regions, which are implanted subsequently with a blanket implant. The surface of the source regions and body contact regions are silicide clad, and an overlying insulator layer deposited and planarized. Contact openings are formed through the planarized insulator layer, within which conductive plugs are formed to contact the metal silicide, and thus the source and body regions of the device. A metal conductor is formed overall to the desired thickness, and contacts the conductive plugs to provide bias to the source and body regions.
摘要（中）：
具有改善与源极和体区的接触的垂直漂移金属氧化物半导体（VDMOS）晶体管及其制造方法。 源极区域的掩模离子注入到相对体区域中限定了身体接触区域的位置，其随后用橡皮布植入物植入。 源极区域和体接触区域的表面是硅化物包层的，并且上覆的绝缘体层沉积并平坦化。 通过平坦化的绝缘体层形成接触开口，其中形成导电插塞以接触金属硅化物，从而与器件的源极和体区接触。 金属导体整体形成所需的厚度，并且与导电塞接触以向源区和身体区提供偏压。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |
| --------------H01L21/82 | ....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路 |