基本信息:
- 专利标题： 一种将半导体衬底主体与其上功能层进行分离的方法
- 专利标题（英）：Method for separating semiconductor substrate body from functional layer thereon
- 申请号：PCT/CN2016/098943 申请日：2016-09-14
- 公开(公告)号：WO2017045598A1 公开(公告)日：2017-03-23
- 发明人： 胡兵 , 马亮 , 裴晓将 , 刘素绢
- 申请人： 胡兵
- 申请人地址： 中国江苏省南京市玄武区台城路台城花园5幢101室, Jiangsu 210008 CN
- 专利权人： 胡兵
- 当前专利权人： 胡兵
- 当前专利权人地址： 中国江苏省南京市玄武区台城路台城花园5幢101室, Jiangsu 210008 CN
- 代理机构： 北京轻创知识产权代理有限公司
- 优先权： CN201510599390.3 20150918
- 主分类号： H01L21/762
- IPC分类号： H01L21/762
摘要：
一种将半导体衬底主体（2）与其上功能层进行分离的方法，包括以下步骤：在半导体衬底（1）上表面进行离子注入，离子注入深度为0.1μm-100μm，离子注入后在半导体衬底（1）表面下产生一层离子损伤层（3）；在半导体衬底（1）上表面制备功能层；将半导体衬底（1）和其上功能层进行分离。该方法在离子注入后的衬底（1）上先进行功能层的制备，然后在离子损伤层（3）进行分离，且直接在半导体衬底（1）表面进行电子器件的制备，由于离子的注入深度决定了半导体衬底（1）的厚度，半导体衬底（1）具有与SOI薄膜相同的作用效果，且不需要键合工艺，减少了生产工艺，降低了生产成本。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/76 | ...组件间隔离区的制作 |
| --------------H01L21/762 | ....介电区 |