基本信息:
- 专利标题： SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
- 专利标题（中）：半导体存储器件
- 申请号：PCT/JP2016/057482 申请日：2016-03-03
- 公开(公告)号：WO2017043111A1 公开(公告)日：2017-03-16
- 发明人： FUJITA, Katsuyuki , YIM, Hyuck Sang
- 申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA , SK HYNIX INC.
- 申请人地址： 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001 JP
- 专利权人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA,SK HYNIX INC.
- 当前专利权人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA,SK HYNIX INC.
- 当前专利权人地址： 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001 JP
- 代理机构： KURATA, Masatoshi et al.
- 优先权： US62/216,179 20150909
- 主分类号： G11C11/15
- IPC分类号： G11C11/15
摘要：
According to one embodiment, a semiconductor memory device comprises a first bank and a second bank. Each of the first bank and the second bank comprises a memory cell having a variable resistor element, a reference cell, a sense amplifier having a first input terminal electrically coupled to the memory cell and a second input terminal electrically coupled to the reference cell, and a first transistor electrically coupling the memory cell and the first input terminal of the sense amplifier. A gate of the first transistor of the first bank and a gate of the first transistor of the second bank are independently supplied with a voltage.
摘要（中）：
根据一个实施例，半导体存储器件包括第一存储体和第二存储体。 第一组和第二组中的每一个包括具有可变电阻元件的存储单元，参考单元，具有电耦合到存储单元的第一输入端的读出放大器和电耦合到参考单元的第二输入端，以及 第一晶体管电耦合存储单元和读出放大器的第一输入端。 第一组的第一晶体管的栅极和第二组的第一晶体管的栅极独立地被提供电压。
IPC结构图谱:
| G11C11/56 | 组优先于G11C11/02至G11C11/54中各组。 |
| --G11C11/02 | .应用磁性元件的 |
| ----G11C11/14 | ..应用薄膜元件的 |
| ------G11C11/15 | ...应用多层磁性层的 |