发明申请
WO2016179025A1 ENHANCED PATTERNING OF INTEGRATED CIRCUIT LAYER BY TILTED ION IMPLANTATION
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： ENHANCED PATTERNING OF INTEGRATED CIRCUIT LAYER BY TILTED ION IMPLANTATION
- 专利标题（中）：通过倾斜离子植入增强集成电路层的图案
- 申请号：PCT/US2016/030218 申请日：2016-04-29
- 公开(公告)号：WO2016179025A1 公开(公告)日：2016-11-10
- 发明人： LIU, Tsu-Jae , ZHANG, Xi , ZHENG, Peng
- 申请人： THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
- 申请人地址： 1111 Franklin Street, 12th Floor Oakland, California 94607-5200 US
- 专利权人： THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
- 当前专利权人： THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
- 当前专利权人地址： 1111 Franklin Street, 12th Floor Oakland, California 94607-5200 US
- 代理机构： O'BANION, John
- 优先权： US62/155,903 20150501
- 主分类号： H01L21/265
- IPC分类号： H01L21/265 ; H01L21/027 ; H01J37/317
摘要：
Methods for achieving sub-lithographic feature sizes in an integrated circuit (IC) layer are provided that use ion implantation to enhance or reduce the etch rate of a thin masking layer. The etch rates also can be enhanced or reduced at specific locations through multiple implantation steps. The implantation can be performed at tilted angles to achieve sub-lithographic implanted regions that are self-aligned to pre-existing photoresist or hard-mask features over the masking layer on the surface of a substrate. A higher density of features can be achieved in an IC layer than are present in an overlying masking layer with the use of ion implantation.
摘要（中）：
提供了在集成电路（IC）层中实现亚光刻特征尺寸的方法，其使用离子注入来增强或降低薄掩模层的蚀刻速率。 也可以通过多个注入步骤在特定位置增强或减少蚀刻速率。 可以以倾斜角度进行注入，以实现与基板表面上的掩模层上的预先存在的光致抗蚀剂或硬掩模特征自对准的亚光刻注入区域。 通过使用离子注入，在IC层中可以实现比叠加的掩蔽层中存在的更高密度的特征。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/263 | .....带有高能辐射的 |
| ------------------H01L21/265 | ......产生离子注入的 |