基本信息:
- 专利标题： TRANSISTOR WITH HOLE BARRIER LAYER
- 专利标题（中）：具有孔障碍层的晶体管
- 申请号：PCT/US2016/028580 申请日：2016-04-21
- 公开(公告)号：WO2016176104A1 公开(公告)日：2016-11-03
- 发明人： HANSON, Allen W. , CUEVA, Gabriel R. , STRUBLE, Wayne M. , ZHANG, Yan
- 申请人： M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS HOLDINGS, INC.
- 申请人地址： 100 Chelmsford Street Lowell, Massachusetts 01851 US
- 专利权人： M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS HOLDINGS, INC.
- 当前专利权人： M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS HOLDINGS, INC.
- 当前专利权人地址： 100 Chelmsford Street Lowell, Massachusetts 01851 US
- 代理机构： MAIORANA, Christopher
- 优先权： US14/700,712 20150430
- 主分类号： H01L29/768
- IPC分类号： H01L29/768 ; H01L21/04
摘要：
An apparatus comprising a channel layer, a first layer, a hole barrier layer and a second layer is disclosed. The channel layer may be configured to carry a drain current in response to a voltage at a gate node. The first layer may be between the channel layer and the gate node. The first layer generally has a first bandgap. The hole barrier layer may be in contact with the first layer. The hole barrier layer generally has a second bandgap that (i) forms a valance band offset relative to the first bandgap and (ii) is configured to impede holes generated in one or more of the channel layer and the first layer from reaching the gate node. The gate node may be in contact with the second layer. The apparatus generally comprises a field effect transistor.
摘要（中）：
公开了一种包括沟道层，第一层，空穴阻挡层和第二层的装置。 沟道层可以被配置为响应于栅极节点处的电压承载漏极电流。 第一层可以在信道层和栅极节点之间。 第一层通常具有第一带隙。 空穴阻挡层可以与第一层接触。 空穴阻挡层通常具有第二带隙，其中（i）相对于第一带隙形成有效带偏移，并且（ii）被配置为阻止在一个或多个沟道层和第一层中产生的空穴到达栅极节点 。 门节点可以与第二层接触。 该装置通常包括场效应晶体管。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/765 | .....电荷耦合器件 |
| ------------------H01L29/768 | ......具有由绝缘栅产生的场效层的 |