基本信息:
- 专利标题： ALD-DEPOSITED GRAPHENE ON A CONFORMAL SEED LAYER
- 专利标题（中）：在一个合适的种子层上的ALD沉积的石墨
- 申请号：PCT/FI2015/050233 申请日：2015-04-01
- 公开(公告)号：WO2016156659A1 公开(公告)日：2016-10-06
- 发明人： KOSTAMO, Juhana , MALINEN, Timo , LI, Wei-Min
- 申请人： PICOSUN OY
- 申请人地址： Tietotie 3 FI-02150 Espoo FI
- 专利权人： PICOSUN OY
- 当前专利权人： PICOSUN OY
- 当前专利权人地址： Tietotie 3 FI-02150 Espoo FI
- 代理机构： ESPATENT OY
- 主分类号： C23C16/455
- IPC分类号： C23C16/455 ; H01L29/00
摘要：
A deposition method, comprising depositing a transition metal ALD layer by an ALD (atomic layer deposition) method on an electronic product in an ALD reactor, and depositing a graphene ALD layer (12) on top of the transition metal ALD layer by an ALD method using the transition metal ALD layer as a seed layer (11). The electronic product may be a product, such as a transistor (30) with a gate (32) and a gate dielectric (31).
摘要（中）：
一种沉积方法，包括通过ALD（原子层沉积）方法在ALD反应器中的电子产品上沉积过渡金属ALD层，并通过ALD方法在过渡金属ALD层的顶部上沉积石墨烯ALD层（12） 使用过渡金属ALD层作为种子层（11）。 电子产品可以是产品，例如具有栅极（32）和栅极电介质（31）的晶体管（30）。